És még az átviteli görbe.

Esetleg még négyszögjelátvitel, mondjuk fél teljesítménynél. Névleges terhelésen, meg üresjáratban. 1 kHz-en.

Mégiscsak a kondenzátor áramát csatolom vissza feszültségként.
Ha a kimeneten csökken a feszültség, növekszik az áram, növekszik a feszültség a bemeneten. Átbillen a komparátor kimenete, így tovább... Ehez még hozzáadom az alacsonyfrekvenciás jelem. Ennek kb. megfelel az 5. képen a lila jelem, aminek a borítékja megegyezik bemenő jellel.

Ezt a mostanit, hagyd úgy ahogy van. Nem szólhat rosszul. Nézd meg a négyszögátvitelt, az még nagyon tudományosnak hathat egy dolgozatnál.. Ide tedd fel, aztán lehet, hogy lesz még ötlet.

Ezt a kondenzátoráramot egyenlőre hagyd, ha túl vagy a "kötelezőn", akkor kezd előről, ha érdekel a téma. Ha most elkezdesz változtatgatni, akkor sosem lesz kész. De nem értetted meg azt az MS fájlt, sőt, az egész eszmefuttatásomat sem. Pont arrra ment ki a dolog, hogy az UcD-ben is a kondi árama van visszacsatolva, csak ez elektronikusan van előállítva. Azért van benne a differenciátor. Egy kérdés: meg tudtad egyáltalán nézni azt a fájlt, vagy egész más szimulátort használsz? Vannak kétségeim...

Megnéztem, de azt annyira nem értettem meg, sok volt benne a blokk.
Csak próbálom felfogni ezt az egyszerű ucd-t, mert valahogy nem fér a fejembe, hogy összehasonlítok valamit valamivel. Próbálok találni egy olyan magyarázatot amit megértek, és úgy tudok előadni, hogy értem is azt. Mert mikor a mondandóm közepette rájövök, hogy nem is értem, az elég ciki
Különben jól szól és nem is dobozolt hangszóróval hallgattam. Jobb mint az eddigiek IC-s AB amiket csináltam.

Átalakítottam az előző elméletemnek megfelelően és működik ugyanúgy. Csak gyorsabban, mert nincs késés. Minnél kisebb az áram/fesz időbeli eltérése (kapacitás alacsony) annál nagyobb frekvencián rezeg. Akkor ezekszerint megállja a helyét a fejtegetésem, hogy pozitív VCS-t hozok létre, rezgésre bírom és még ehez adom hozzá az AF jel egy részét.

Blokk?Azok matematikai modellek. Ha kétszer rákattintasz, akkor előjön egy táblázat. Abból ki lehet találni, hogy mire jó...

Összehasonlítás? Hát van egy erősítő, vagy egy matemetikai modell, aminek "summator" a neve, az egyik bemenetre megy 3 V, a másikra meg 2V és elvégez egy matematikai műveletet. A kettőt összeadja, vagy kivonja, attól függően, hogy építetted meg, vagy hogyan paraméterezted. Ez kerül a komparátor bemenetre. Ha ez nagyobb mint nulla, akkor a komparátor kimenete plusz táp, ha kisebb mint nulla akkor minusz táp. A komparátor bemeneten levő jel a hibajel, hiszen a bemeneti jel és a kimeneti jel ( vagy valamilyen átviteli tényezővel módosított változata ) van egymásból kivonva. Akkor ideális az erősítő, ha ez a különbségi jel zérus. Sajnos nem az, csak hibával. Ezért az a neve, hogy hibajel. Egyes irodalmak szerint, ez rendelkezőjel. Szerintem a hibajel sokkal jobban fedi a valóságot.

Csinálj hangfalat. Ha kisebb a hangszóró, akkor fogsz egy cipősdobozt és beleépíted a hangszórót. Ha nagyobb, akkor valami nagyobb kartondobozba. Még mindig jobb, mint a semmi.

Na igen, én is így gondoltam, de én a saját kapcsolásomra vonatkoztatva. A komparátor bemenetén a hibajel van és ezt hasonlítom össze a 0-val. Nem biztos, hogy ez a helyes magyarázat, de nekem valahogy felfoghatóbb mint az, hogy az audio jelet, összehasonlítom egy képzeletbeli háromszöggel, ami valójában szinusz. Miközben az már a hibajel, vagy ki minek nevezi.

Ezzel az egésszel nagyon sokat kell foglalkoznod és akkor letisztulnak a dolgok..

Hát ez tipikusan olyan dolog, amivel vagy soha nem fog akarni többet foglalkozni az ember, vagy a megszállottjává vállik. Én amit nemértek, az általában idegesít, hogy akkor, hogy is van és annál inkább foglalkozok vele.

Hát, akkor lehet nekiállni...

Államvizsga után Ma megnyugtattak, hogy semmi gond ha nem értem, ők még annyira sem fogják. Elég ha csak úgy előadom, mintha érteném

Nagyon szèp jelalakok!
Hány ohmos a gaten az ellenállás? Egy tanács: egy picivel kisebb ellenállással próbáld ki, 1. azzal gyorsabban bekapcsol a fet, 2. kevèsbè torzít, 3. stabilabb lesz, nekem alig lehet látni a gate töltèst olyan gyorsan kapcsolja be 10 ohmos ellenállással a fetet. Igaz èn spec. IC-vel csináltam. Nagyon stabil volt, bár megszenvedtem vele.

Nem rossz szándèkból mondom!! Ha elfogadod a tanácsot akkor elfogadod, ha nem akkor nem.

Szia! 22R a gate ellenállás. Majd kipróbálom, csak nincs 10R smd-m jelenleg.

Csökken az effektív holtidő, emiatt csökken a torzítás is. De ugye a holtidőt utána is lehet állítani.

Azonban ha túl gyorsan kapcsolod be a FETet, akkor a félhíd ámeneti ideje nagyon rövidre csökken. TO220 FETnél van egy határ, ami felett ugye nem tudsz effektíven snubberrelni, így nő a azvarkibocsátásod.
Ugye a tekrcsednek is van parazita kapitása, tehát csak bizonyos frekvenciáig aluláteresztőd az LC szűrő. Ezért inkább érdemes kontrolláltan lassúra csinálni a MOSFET bekapcsolását.

DirectFET-nél én is be fogok vállalni sokkal gyorsabb kapcsolást, hiszen jó pár mm-rel közelebb tudom rakni a tápszűrő X7R kerámia kondit, de ez is speciális eset.

Szóval valamit valamiért

Kellene még nekem egy kis logikai segítség. Ugye számolom az elméleti veszteségeket, vannak nagyon jó kis képletek. Mégis egyik sem az én esetem, ugyanis valamelyik teljes hidasra számol és/vagy szimplatápos megoldásra.
Kimodelleztem mosfetekkel a végfok részt. Az áramok c. kép a söntökön folyó impulzus áramot szemlélteti. Nemtudom, hogy most akkor 60V ra kell számolnom + 2x Mosfet veszteségeket?
AB osztálynál szorozzák 2/pi vel az egy tranzisztorra jutó veszteséget.

Hát igen, 60V van egy tranzisztoron és az áramok is egyszerre vannak. Szóvval akkor 2x és még a táp is 2x.

Szerintem hülyeséget csinálsz. Legalábbis amit most leírtál, abból nekem sem világos mit akarsz.

A képletek jók, csak meg kellene őket érteni. Ugye milyen veszteségek vannak:

- vezetési veszteség - ez nagyon egyszerű számold ki az áramokat a MOSFETeken, majd P=Rdson*I2

- kapcsolási veszteségek, ebből van sokféle:

- Coss kisülése okozta veszteség, ez egyszerű, ugye kondenzátorban tárolt energie E=1/2*C*U2. Na most ugye itt a teljes tápfeszre töltődik a kondi. És ugye minden kapcsolás alatt kisül, és szorozva ahány FET van

- Reverse recovery okozta veszteség: E=QRrecovery*U - megint teljes tápfeszt látja, és ez ugye kapcsolási periódus alatt plusz emelett még van P=trecovery*I*U*k, ugye mert amíg nem zár be a dióda addig folyik rajta áram, bár ezt 100V alatti FETeknél elhanyagolahtod, mert azok nagyon gyorsan zárnak be, és a bezárás során átfolyó töltések jórésze Qrecovery-re megy.

- S(IxU) - mivel véges gyors a kikapcsolás és se ZVS se ZCS így van feszültség áram szorzat. Megint 100V alatt általában elhanyagolható, mert többnyire gyorsan megtörténi, de ha a zavarkibácsátás miatt a bekapcsolást szándékosan lassítanod kellet akkor mérd meg, hogy a MSOFETnél meddig tart a gate plató áttöltése (vagy számold ki!) majd ugye E=t*I*U és ez ugye kapcsolási periódusonbkét ktészer történik meg.

Remélem így már érthető, nem olyan bonyolult ez. A gate veszteség a gate belső ellenállásán általában elhanyagolható. 200V mosfeteknél meg a reverse recovery a legtöbb. Vacak gate meghajtás esetén meg az integrálos tag.

Ezt értem. Csak egy félhídban van 2 tranzisztor, egy teljes hídban meg 4. Akkor mármint 2x ill. 4x vannak ezek a veszteségek?

Szia!
2 db 22ohmos ellenállás párhuzamosan. Èn most fogok majd mèg 1-1db vègfokot èpíteni, átalakítottam a nyákrajzot, kiváncsi leszek, hogy fog működni.
Majd május 2.-3. hetèn írok, hogy milyen lett nekem a második.

Nem egyértelmű?
Ha ezeket a veszteségeket FETenként számolod (pl vezetési veszteséget FETenként átfolyó árammal), akkor be kell szoroznod a számával. Mi ebben a probléma?

Hát semmi olyan, csak amiből kilestem nem volt világos, hogy egy darabra számolja, vagy már a félhídra. Na meg az, hogy az Upwr nálam 30 vagy 60.

Ezért kell a képletet megérteni, vagy a legjobb ha levezeted... De ezek elég egyszerű képletek.

Fiúk!
Amúgy mit értenek az alatt a gyártók, hogy nagyfeszültségen üzemel egy erősítő így hídkapcsolás nélkül elérhető nagy kimenőteljesítmény. Van olyan FET, vagy IGBT ami mondjuk 4-600V-on jár (audió cél) ?
Meg miért jobb, ha nincs hídban egy végfok? Tehát csak félhidasak a csatornák.
Itt van például a QSC -nek a PLD sorozata. Nézzétek meg

Újraértelmezve = szép külső és rengeteg funkció a proci(k)nak köszönhetően. A többi marketing meg bla bla.

A D-osztályú végfoknál, csak akkor lesz nagyon nagyon szép hangja híd kapcsolásba ha egyszerre, ugyan azon a frekvencián menne. Ezért inkább magasabb feszültségről készítik a végfokot, hogy ugyan azt a teljesítmény tudják adni mint hídba. A félhidas kapcsolást szeretik a gyártók.

Nade várjunk. Értem én, de ezeknél az erősítőknél nem ritkán már csatornánként kilówattokról beszélünk, vagy akár többről. Most ez hogyan jöhet ki sima szimpla kapcsolásból?
A PKN-éknek a táptrafójára min.10kV-van írva. Vagyis a végfetek igen magas feszültséget kaphatnak, és így ezáltal elérhető 200-250V kimeneti feszültség ami írtó nagy teljesítményt jelent 4 ohm-on. Ha az nem híd akkor micsoda? Gyakorlatilag rákötnék egy kerámialapos tűzhelyet, és vígan elműködtetné szinusszal.
Amúgy a QSC-féle mosfet ami "szabadalmaztatott" az mit is jelent? Ahogy így elnézem az animáción két sima fet pár (alsó-felső) egy sínre van kötve gyárilag. Ennyi? Mert akkor ebből még egy darabot használnak akkor valóban csak két darab kell (de az ugyebár négy kapcsolóelemet tartalmaz ami híd). Mert akár hogy nézem nem találok több száz voltra való -csak bőven az alatt- kapható audió célra mos-feteket.

Itt nem audio célra kell a Mosfet, hanem kapcsolóüzemre.

Nem a szép hanghoz van köze. Ezt az állítást alá tudod valamivel támasztani, ami nem audiofil szóbeszéd?

Ugyanazon frekvenciára más az indok: amennyiben a kapcsolófrekvencia nincs zinkronizálva úgy lebegés alakulhat ki. Csak alakulhat, mert rendes szűrésekkel, angyon jó nyáktervvel kontrollálható a dolog.


Alkatrészszámba kisebb, és így olcsóbb egész addig, amíg nem kell 200V vagy a felettei FET. Onnantól kezdve hirtelen drágul, mert a következő oopciók közül kell választaniuk:
- szimpla D-gate vagy superjunction FETek alkalmazása és a lassúság és vacak antiparralel dióda miatti veszteségek lenyelése - illetve a dióda miatti baromi nagy zavarok szűrése
- valamilyen ZVT megoldás alkalmazása (lásd PKNC)
- SiC MOSFETek alkalmazása - nagyon drága

Szóval ez nem az igazi. PKNC is bizonyos végkokokat elve teljes hídban gyártott. Én is favorizálom a telejs hidat, hiszen 100V-os MOSFETtel bőven túl tudom szránayalni a félhidas 200V MOSFET megoldásoakt, sokkal gyorsabb akpcsolással, kisebb zavarkibocástással, és jobb hatásfokkal.

Szóval mindig mérlegelni kell. Amikor teljes hídban eljönnek a 200-250V MOSFETek, akkor megint dönteni kell. Van már 400V SiC, de relatíve nagyon gyenge, de a kapcsolási veszteségei elsöprően jobbak.

Sziasztok!
Ez így jó(csatolmány)? A VCS átvitelét akarnám levezetni. Most nézem, hogy a nevezőben az 1 már nem kell a zárojelbe. De amúgy jó, vagy nem így kell?

Nem jó, mert nem így kell. De közben sikerült Matlabban leszimulálni azokat a fázisokat ami Brunonak van az AES doksiban. Vagyis na, hasonló. Az LPF*FBN kicsit más.