Sziasztok!
Olyan érdekes dologra lettem figyelmes, hogy a PWM jelem nem szimmetrikus. Aztán lemértem a tápfeszeket és a +táp 40V míg a negatív 19V. Mindez úgy, hogy a labortáp kapcsain 30V 30V van. Van valami ötletetek? Ezt még idáig nem nagyon vettem észre. És ez akkor is megvan, ha le van kötve a végtranyó rész.

Egy UcD-nek ugyanúgy kell kiszámolni az a visszacsatolt erősítését, mint egy analógnak:
Av=A/1+AB, ahol A=a nyílthurkú erősítés, B=a visszacsatolási tényező, ami:R1/R1+R2.
A nyílthurkú erősítés nem egy megfoghatatlan dolog a pwm-nél sem. Ki lehet számolni, le lehet szimulálni, ki lehet mérni a gyakorlatban. Ki kell kötni a visszacsatolókört és és megkeresni azt a legkisebb bemeneti feszültséget aminél még táptól-tápig kivezérlődik a félhíd kimenete. A kimeneti feszültség és a bemeneti feszültség hányadosa a nyílthurkú erősítés.

Azt az RRC tagot a visszacsatolásban felejtsd el egyelőre. Az UcD csak arányos taggal is működik, (de ebben az esetben a kimenetet terhelni kell, különben begerjed és az impulzus átvitele is rossz lesz). Ha megnézed szimulátorban, ilyenkor a vivőfrekit a komparátor plusz a kimeneti szűrőkör késleltetése határozza meg. A berezgés frekvenciája ott lesz, ahol a fázistolás eléri a 360 fokot.

Pontatlan voltam (már rég foglalkoztam vele, felejtek. A zöld a félhíd kimenete, a sárga a vivőmaradék).
A berezgés frekvenciáját kizárólag a komparátor késleltetése határozza meg. Ha a késleltetés nulla, akkor a vivőfreki végtelen (lenne). 5ns késleltetésnél 1.5MHz-en rezeg. Itt 200ns a késleltetés. A komparátor nulla voltnál billen át, a félhíd kimenete ezt 200ns elteltével követi.

Szia!
Munka eltolódás, ez lehet kevés kondi miatt, meg lehet gerjedés, vagy nem 50-50%-ra áll be PWM jel.

A közs pont be van rendesen kötve? Ha nincs, akkor a gate meghatjót tápláló áram a negatív ágat terheli, így lehet eltolja a közös pontot.

Sziasztok!
Végre itt vagyok. A rejtélyes hirtelen elhalálozások és a nemszimmetrikus táp oka végre ismert. Előszeretettel áztattam izopropilba, hogy ázzon le a gyanta... Viszont a párhuzamos snubber kondikból kiázott az anyag. Jobb esetben nem szűrt, roszabb esetben elcsúszott a táp. Ennél roszabb esetben rövidrezárta a feteket. Már most működik úgy ahogy kell. Tettem a labortáp és az erősítő közé szűrőpanelt 2x4700µF-al ágonként, így sokkal jobban megy. Csak kicsit elszaladt vele a ló, 750KHz-en kattog...

Sziasztok! Leadtam a szakdogát, az erősítő is megfelel a célnak... Innentől kezdve önszorgalom.
Ahogy számoltam a veszteségeket akkor a vezetési veszteség valami 3W ra jött ki, a reverse recovery meg 15W ra. Gondolom a reverse recovery mindig ott van, terhelés nélkül is, mert kattog az üresen is. Mégis csak terheléskor melegszik számottevően a végtranzisztor. Az a 3W olyan jelentős lenne? Na de mivel nincs hűtése, ezért növekszik az RDS(ON) ja, növekszik a disszipált teljesítmény is. A RR veszteségen segítene egy gyors párhuzamos DS diófa? Lehet, hogy ezt itt olvastam, de ma 3kor arra ébredtem, hogy lemaradtak a párhuzamos schottky fák. Egyáltalán kell?
Készül egy kissebb revízió, mert állítólag kellesz írnom cikket a munkáról a németeknek... Akik mellesleg SMPS-ekkel is foglalkoznak... (Na azoknak felfog tünni minden hiányosság)

Ez nem igaz. Üresjáratban ugye elve ZVS is lehet, nem nagyon van reverse recovery.

A MOSFET reverse recoveryje pedig függ a kikapcsoláskor éppen folyó áramtól. Tegyül fel, hogy akiötlési tényez >50%, tehát az alsó FET dióda vezet (vagy szinkronegyenirányít). Amikor kikapcsoljuk, akkor visszavált mindig diódavezetésre.
A MOSFET antiparralel diódája egy parazita jelenség, de ahogy egy diódánál is, nagy áram esetén a reverse recovery idő és töltés nagysága is nagyobb.
Sőt amikor zárjuk a felső FETet, akkor ugye a felső FETen át elkezd barmoi nagy áram folnyi az alsó MOSFETbe, hogy áttöltse az átmeneti töltést. Nagyon fontos megjegyezni, hogyhgya nagyon gyorsan nyitjuk ki a felső FETet és hirtelen nagy recovery áram idnul meg, akkor nagoyn nagy recovery áramoknál csak az foyló töltések egy része hasznosul az átmeneti töltésben. A nagyobb része csak szimplán átugrik...
Fordítva ugyanez a helyzet.

100V vagy azalatti fezsültésgű jó MOSFETeknél a diódatrükk felesleges, ugyanis ezeknek nagoyn jó a diódájuk (pl FDP3652 <45nC), és az RR veszteség általában kisebb. Ellenben érdemes átnézni jól a kapcsolási sebességeket. Megfelelő kapcsolási sebességek esetén a reverse recovery is javítható.

150V MOSFETnél esetfüggő. A párhuzamos diódának egyrészt kisebb nyitófeszűnek kell lennie (mindenképpen Schottky), másrészt gyorsabbnak kell lennie (megint Schottky), másrészt nagyo közel kell lennie. Uge amikor a FET szinkronegyneirányít, ott folyik az áram. Amikor kikapcsolod, akkor az áramnak át kell vándoorolnia a schottklyba, ha messze van, akkor nem fogja megtenni. Ha meg a dióda nyitófesze nagyobb, akkor eleve nem fog átvándorolni, szóval lehet diódatrükk kell, lásd kövi.

200V MOSFETnél pedig jön az, hogy a schottky nyitófesze nem feltétlen alacsonyabb. Így ekkor sorban be szoktak rakni egy diódát a MOSFETtel, és úgy az antiparralel dióda. Előbbio meggátolja a szinkronegyenirányítást, és a plusz egy dióda megdobja megint a veszteségeket. Szóval a vezetési veszteségek durván nőnek. Cserébe a kapcoslási veszteségeket kitevő reverse recovery eltűnik.

Fontos megjegyezni, hogy ezek során a félhidfesz torzul a nyitófeszekkel, így mindenképpen visszacsatols erősítő kell. (elve is holtidő, meg minden anyámtyúkja miatt szükséges)

Szia. Egy dióda biztos, hogy jobban vezet a mostfet diódájánál, mèg pedig a MURS Dióda. A kattogást tökèletes 50-50% os kitöltèsnèl lehet eltüntetni.

Lehet én vagyok láma, de tudtommal a MURS az MUR széria SMD (D2PAK) változata. Na nézzünk egy példát:
- IRFB4227 - 200V-os tartományben egyik legjobb - Qrr=430-640nC, trr=100-150ns és V=1,3V 25C-on és 46A-nál. 10A-en amúgy 0,7V környékén van 25C
- Az egyetlen hely, ahol a MURS-ról infót találtam ott mondjuk MURS2020 (200V-os) 10A-en 1,0V

Szóval nem annyira biztos, hogy jobban vezet. Persze ha te tudsz jobb diódát, az csak jó (linkelj be adatlapot!). MBR10200 schottky például 10A-nél 25C-on 0,9V, szóval nagyobb, mint a FET-é.

Persze van olyan MOSFET, aminek nagyobb a nyitófesze, de az eleve gagyibb FET, tehát más szempontból is kiesik.

MURS 120-160 (Dióda)
Tessék! Ezt ultra gyors diódának nevezik, ,,kapcsoló dióda"

És ezzel az 1A folyamatos tudásával hova rohanjunk? Másrészt 1A-nál 1,25V a nyitófesze?

Lásd, berakjuka MOSFETtel párhuzamba. 75% a kitöltés, van monjduk +/- 80V és 4 ohm terhelés. Azaz folyik kb 10A a pozitív tápból és az idő 25% -ban ennyi az alsó FETen visszafele. Berakunk a FETtel sorba egy diodát, hogy az előbbi ne történjen meg, majd berakjuk ezt a diódát, amin min 2,5A átlagos áram folyik (most csak becslek össze vissza). Ezt hogy bírja ki ez az 1A-es dióda?

Szóval még mindig nem értelek...

(ha a reverse recoveryt nézed, akkor ennél a LOMEXben kapható olcsó ES1J is jobb - nyitófeszre meg megint vannak jobbak)

Vannak sokkal jobb diódák is, pl. ez:
Bővebben: Link

De tény, hogy sokszor egyszerűbb egy normális MOSFET-et választani.

Na ez már valami, ez tényleg sokkal jobb, hiszen 25C-on 100A/us esetén és 8A áram esetén a reverse recovery töltés mindössze 20nC (hőmérséklettel emelekedik, de 125C-on is csak 60nC körül van).

Azonban a nyitófesze ennek is nagyobb, mint az IRFB4227-nek, tehát ha nem rakunk sorba diódát az IRFB4227-tel, akkor nem fog kinyítni.

Igen, ezért is írtam, hogy nem mindenre megoldás.

Egyébként nincs semmi gond, csak felvetettem ezt a lehetőséget, de ahogy néztem azt a megoldást, annál IRF540 es fetek vannak. Az elég vacak ilyen alkalmazásra, annál szinte bármelyik dióda jobb. Marad így. Továbbiakban jobb tranzisztorokkal próbálkozok. De majd csak akkor, ha lesz pénzem oszcilloszkópra. Addig alszik a fiókban, mert már nem lesz bejárásom a laborba.

Van olyan, hogy IRF540Z. Ez nagyon jó kis tranyó.
És nem tudod megbeszélni, hogy bemenj néha a laborba? Legalább próbáld meg...

Most államvizsgára kell "tanulnom", aztán meg majd látjuk mi és hogy alakúl. Bízok benne, hogy akad valami állás a számomra a HW környéken.

Sziasztok újra. Gondoltam csinálok államvizsgaig egy új erősítőt. Lényegében csak annyi a különbség, hogy tettem 2200µF elektrolitokat +ba a panelre, meg a tranzisztorpárt odébbtoltam, hogy elférjen a hűtőborda.
Természetesen tranyók elszigetelve. De nem működik. Bekapcsoláskor nagy árammal indult, közben sistergett. Mondom Ok majd meglátom mi lesz. Beállt a nyugalmi áram, majd egy darabig megvolt a 0V a kimeneten (földelt bemenet), majd felrobbant az LC szűrő kondija (680nF/100V). Összemocskolva a tekercset is... Most ez milyen "csoda"?
Aztán még kicsit próbálkoztam, hogy elindítom, de a szűrőpanel elektrolitjai elkezdtek kattogni (?) Erősítő terheletlenül.

Ha már átvariáltad a nyáktervet, akkor jó lenne ha belinkelnéd, mert íy nem tudunk segíteni.
Valószínű, hogy valamit tényleg elkötöttél, és azért volt katasztrófa, de lhet használhatatlan lett a nyákterv azzal, hogy a hűtőbordához igazodtál.

Ez a V2, csak ez még nem lett beültetve anno. Az első szerencsére jó.

Azon a kondin iszonyatos áramnak kellett folynia, hogy felrobbanjon. Már írtam neked egyszer (csak nem figyeltél arra sem), hogy terheletlenül SOHA NEM SZABAD BEKAPCSOLNI egy pwm-et, csak akkor, ha már biztosan jól be van lőve az impulzusátvitele. Ha nem a félhíd kimenetén volt a kondi, akkor ÁRAM REZONANCIA.

Azok a 2200µF kondik ilyen helyzetben, mint halottnak a csók! Mintha ott sem lennének...

+2X4700µF a szűrő panelen. A másik erősítőn mindössze 100µF van és az meg jó.
Végülis volt rajta terhelés, az oszcilloszkóp mérőfeje

Class D 2x150W

Ez az én Class D végfokom. Igazából 2x300W-ot tud 4ohmon RMS-ben. Amikor elkezd villogni a piros led akkor az jelzi, hogy az 50V-ot elérte kimenet. Itt a videón csak 8ohmmal terheltem, mert nincs nagy teljesítményű 4ohmos hangfalam.

A legeslegvégén amikor szinte folyamatosan világit a led akkor már egy kicsit torzított.

A videó minőségét ne nézzétek, nincs pénzem egy minőségi videórögzítőre, ami a hangot is simán tökéletesen felveszi! A telefon nem bírta már ezt a hangot se felvenni, mielőtt valaki azt mondaná, hogy torzított (max a videó legvégén) , mert nem torzított, csak nagyon rossz a hangrögzítése a telefonnak, hangosabban megszólalok már azt se bírja!! A legeslegvégén amikor szinte folyamatosan világit a led akkor már egy kicsit torzított.

Még azt hozzá tenném terhelés nélkül bekapcsolom, semmi baja nem lesz. Önrezgő 600kHz környékén ment. 29 és 30A-nál van az áramkorlát IRFB5615-el megy.

2 hét múlva jön egy újabb kiadás belőle, más nyáktervvel meg táppal.

Sziasztok!
Lehet, hogy már kérdeztem. Valaki elmagyarázná röviden, tömören a gate töltést?

Olyan mintha a gate és a source között egy kondi lenne.

Ha úgy általánosságban vagy rá kíváncsi, vannak doksik a neten: vishay, IR, APT.

Csak el kellesz magyaráznom röviden, hogy mi is az...
Ezeket olvastam. Akkor összefoglalom.
A gate és a source között van egy parazita kondenzátor, amit fel kell tölteni - a gate töltésre - Qg (?).
Ez a töltés Qg = Cgs * Ugs. A kapacitás adott az Ugs-t változtathatom.
Viszon a Qg = Ig * t. Tehát minnél gyorsabban akarom feltölteni, annál nagyobb árammal kell töltenem.