Mikrohullámú jelek erősítésére alkalmas tranzisztor. Az áramkiszorítás jelensége miatt nagy áramsűrűségeknél az emittereknek csak a kerülete emittál. Ugyanakkor a kiürített réteg kapacitásának csökkentése, azaz a nagy határfrekvencia megkívánja a. kis emitterterületet. Az emitter lineáris méretének csökkentésével a kerülete egyre nagyobb lesz a területéhez képest. Ezért az overlay tranzisztorban igen sok független kis emittert alakítanak ki, egy aránylag nagyfelületű bázisrétegben. A bázisrétegben, mely p-típusú, az ohmikus ellenállás csökkentésére rácsszerűen p+ diffundált csíkokat hoznak létre, és egy-egy rácspontba kerül az n+-típusú emitter. A félvezető alaptömb (n+-típusú) maga a kollektor. Az emitterekhez ablakokat nyitnak, majd 2-2 sor emittert egy fém csíkkal átfednek. Az emitterek között levő p+ báziscsíkokat ez a fém csík átfedi, rövidzárt azonban nem okoz, mert közben van egy oxidréteg. Az overlay szó ezen átfedésből származik.
Lásd még:
