Fórum témák
» Több friss téma |
Fórum » MOSFET-ek
Lehet, hogy vmiért mégsem zárt le a feted, a gate threshold alacsony értéke miatt.
Igazán akkor látnád, mi a szitu, ha nemcsak lezárnád a tranyót, hanem a kollektornál meg is szakítanád a vezetéket, hogy csak az Rgs ellenállás maradjon a feten és a terhelés.. Egy kis szivárgó áram átvághat. Azt a meghajtót úgy nem javasolom, mert ellentétes fázisban van a bemenőjellel a működés és megkavarhat.... bemenőjel "1", FET lezár... A tápfesz pedig sok, 30 voltot a gate miatt ne engedj rá, menj le 12..15 volt környékére, az bőven elég bármikor. A hozzászólás módosítva: Okt 28, 2014
Bocs, megzavart , hogy PNP-ben gondolkoztál.. tehát a fázis jó..
Az még kérdéses, hogy a felső tranyó, ami lezárná a fetet, kinyit-e annyira ( mivel emitterkövető beállításban van..) , hogy ne maradjon vezetésben cseppet a FET. Idézet: Marmint P csatornasban?„Bocs, megzavart , hogy PNP-ben gondolkoztál” A linkent kapcsolas regi, bevalt megoldas, lezarja a FET-et. Viszont fontos, hogy ha nem 3.3V meghajtast kap, akkor at kell szamolni az emitterellenallast, mert ez egy aramgeneratoros szintattevo. De, ha nem kell nagy sebesseg, akor az eredeti kapcsolas 1k Rgs ellenallassal teljesen jo.
Elhiszem, hogy egy átlagos P csatornás fetet lezár, csak a tranyó nem húzza magát össze 0.7...0.8 V alá és ki tudja, miféle érzékeny fetről van szó, utalva az 5:57 órás beírásra.
Ha 0 V Ugs-nél vezetett (?), ez érdekes.. valami tuti nem úgy volt.. Ismerem egyébként a linkelt kapcsolást, alkalmazom is. Mindenesetre egy alacsony gate thereshold esetén nem alkalmaznám, főleg kisfeszültségű feteknél...
Az emlitett FET IRF9530, Gate threshold 2..4V. Igaz, egy FDV301N eseten ez mar csak 0.7V, ott mar valoban nem szerencses az emitterkovetos meghajtas. Az 5:57-es postra meg csak azt tudom mondani, hogy szerintem meresi hiba, vagy rossz volt az NPN tranzisztor. De nem 0V Ugs, hanem 0V Ube-rol volt szo. De az biztos, hogy valami nem stimmel. 1M Rgs eseten 2V-hoz kell 2uA szivargo aram a tranzisztoron. Ez elofordulhat, bar nem jellemzo. 150 kOhm mellett mar nehezebben elkepzelheto, hogy nyitva maradjon a FET. De nagyon egyszeru, mert harom alkatresz van az egesz kapcsolasban. Meg kell merni, hogy mekkora a gate-source feszultseg, amikor az Ube = 0 es kozben a FET-en folyik 650mA. Csodak nincsenek.
Azt hiszem meg van a hiba. Kicseréltem a meghajtó tranzisztort és most már úgy tűnik működik. Egy olyan tranzisztorral hajtottam meg, amit a kísérletek során már sokat használtam és valószínűleg nagy volt a szivárgó árama. Most egyébként BC182 van benne.
Már csak azt nem értem miért csak terhelés alatt nem zárt le? A hozzászólás módosítva: Okt 28, 2014
Idézet: Ok, csak ez nem derult ki. Ha 11.5V-ra esett vissza csak a GS feszultseg, 150 kOhm mellett , akkor egyertelmuen rossz a tranzisztor. Legalabbis en meg nem lattam 77uA szivargoaramu szilicium tranzisztort. „Ez a mérés meg volt”
Ha megfogadtad volna ( tegnap reggel..), hogy akaszd ki a kollektort, már előbb is rájöhettél volna.
Azt pedig, hogy terhelés alatt miért nem zárt le (?), egy-két JÓ méréssel megállapíthattad volna, csak értékelni is kell a mérési eredményeket. Szerintem sincsenek csodák.
Uraim, a leírás szerint ennek a MOSFET-nek Bővebben: Link a 2. ábráján elvileg le lehet olvasni a feszültség esést is.
Nem értem hogyan. Kérnék valakit, hogy rajzolja be nekem.. PIC-el hajtanám meg, így a Gate 5v-ot kapna. Leolvasható, hogy ebben az esetben 12A lenne a maximálisan áthajtható áramerősség. Hőterheléssel most ne foglalkozzunk... Előre is köszi..
Az inkább 30A. Logaritmikus a skála. És 175 C fokra vonatkozik.
A vízszintes tengelyen van a D és S közötti fesz. Már ha erre érted a fesz. esést. A hozzászólás módosítva: Nov 11, 2014
Igen igazad van, bocsánat..
Kb. 30A lesz 5v-nál a maximálisan áthajtható áram. Viszont nem értem, hogy mennyit esik vissza a feszültség, 5v-os Gate feszültségnél. Van egy példa amit nem értek: Idézet: Ezt hol látja?„drain/source közti maradék-feszültség különböző áramok esetén. Például 3 V gate-feszültség esetén (alulról a 2. görbe) 5.5 A a maximum áram, ahol a FET-en eső feszültség (drain-source közt) 1 V!” 5v-nál ez mennyi lesz? Kérhetném, hogy pirossal rajzold be nekem ezt a képen? Vízszintes és függőleges találkozását.. Köszönöm.. A hozzászólás módosítva: Nov 11, 2014
Amit beraktál képet, azon nincs rajta, mert az a 175C fok-os diagram. Neked az 1-es ábra kell 25 fokra, mert azon az említett görbe 5,5A-nél metszi az 1V-os vonalat. Úgy kb., mert akár 0,8V is lehet, mert elég vastagok a vonalak és rossz az ábra felbontása
A hozzászólás módosítva: Nov 11, 2014
Azt azért hozzátenném, ha nem érdekes a hőterhelés, ha igen, ennél a diagramnál is figyelembe kell venni a 20 us impulzusszélességet, mert van utalás a termikus válasz diagramra ( impulzus kitöltési tényező ).
A pic-es meghajtás körülményei meg más téma ( VOH, freki..)
Így van. Rögtön az elején (absolute maximum ratings) ott van hogy 100 fokon folyamatosan 21A a maximum. Ez nálam azt szokta jelenteni hogy üzemi körülmények között 18A-nél többre nem méreteznék vele áramkört. És ez ráadásul 10V-os gate feszültségre vonatkozik.
Az Rdson pedig a 4-es ábra, abból ki lehet számolni hogy mekkora feszültség fog esni rajta különböző tokhőmérsékleten.
Itt akkor a feszültségesést mindig a görbe, vízszinteshez képes, megkezdet esésekor legelőbb metszett függőleges vonal adja meg?
Egy PIC PWM jelét gondoltam átadni a MOSFET-nek ami azért jóval nagyobb terhelést elvisel. A cél berendezés egy motor aminél Kb. 2A-es maximum csúcsfelvételre számítók, de lehet 3A-is, úgy számolom belefér. A hőtermelés számít, de ha jól számolok, akkor nem kehet gond. Ez egy példa volt, de ha ebből indulok ki és maximum 3A-es terheléssel számolok akkor a következő képen néz ki: 5v-os Gate feszültséggel maximum 30A-t lehet áthajtani rajta: 30A * 30A *0.035 == 31.5W Tudjuk az adatlapból, hogy 62fok/watt a hőtermelődése. Ennél a teljesítménynél 62fok * 31.5W == 1953fok ami == sültfet Mivel nekem maximum 3A-es terhelésem lesz nem kell talán aggódnom.: 3A * 3A * 0,035 == 0.315, 62 * 0.315 == 19.53fok hőtermelésem lesz... Remélem jó a levezetésem. (nyilván ez változhat kicsi és nagy hőtermelődés közben illetve a feszültség visszaesés eredménye miatt is) PIC-el fogom tudni megfelelően hajtani a FET-et? (remélem a 20ps nem lesz gond a PWM-nek)
Több dolgot figyelmen kívül hagysz. Nem elég az adattábla, a FET és a motor működését is ismerni kell különös tekintettel a tranziens jelenségekre:
A motorok nagyon lusták és ha dolgozniuk kell, gonoszkodnak. Ezért bekapcsoláskor túláramot hoznak létre (jó nagyot), kikapcsoláskor pedig túlfeszültséget (ezt szokták párhuzamos schottky diódával kezelni (ez a gonoszkodás visszatükröző eszköz ). Másrészt igaz, hogy a FET vezérlése (Gate) feszültségvezérelt, de ez csak akkor áll, ha néha-néha ki-be kapcsolod a FET-et. Ha PWM-mel vezérled, akkor ki-bekapcsoláskor a töltés másodpercenként elég sokszor jön, megy ez pedig már jelentős áramot hozhat létre a Gate-en is. Másrészt az Rdson a teljesen nyitott FET-re vonatkozik (itt: 10V), ha csak 5V a Gate, akkor nagyobb fesz. esik rajta, így nagyobb az elfűtendő teljesítmény is. Ezért akár néhány amperrel is meg lehet sütni a FET-et. Az Absolute Maximum Rating pedig nem arra van, hogy erre kell méretezni a FET-et, mert ez számára már a halálközeli élmény kategória. Az Electrical Characteristics-et kell használni méretezéshez. Kis olvasnivaló: Link1, Link 2 A hozzászólás módosítva: Nov 11, 2014
Miért nem használsz logikai fet-et? Azok 5V-os gate feszültségnél már teljesen kinyitnak. Sőt a gyártója is 5V-on teszteli. Direkt ilyen célokra gyártják.
Esetleg használhatsz még fetmeghajtó áramkört is.
Pontosan ezt olvasgatom és ennek alapján vezettem le a számolást.
Ha megnézed a második cikk végét, akkor kitér a PWM vezérlésre amely elég sok terhelést levesz a FET-ről. A motor pozitív és negatív szála közé pedig megy egy egyenirányító dióda (pozitív irányba) amely elvileg megvédi a FET-et a visszacsapástól. Ez akkor hibás lenne: Idézet: „Mi a trükk? A PWM esetén a teljesen nyitott állapotú MOSFET-en szinte nincs feszültségesés (3.3 V @ 7A). Zártan meg nincs átfolyó áram. Hűtőborda nem kell és így egy gyors kapcsolónak használjuk.” Tovább gondolva a dolgot: Mi lenne, ha egy kisebb PNP tranzisztorral (12v, 100mA vagy kicsit nagyobb) hajtanám meg a FAT Gate-et? Akkor már kinyitna teljesen. Bár lehet ez már a PWM jelem lassulásba kerülne.. A hozzászólás módosítva: Nov 11, 2014
Hogy néz ki egy logikai FET és mennyit bír?
Közvetlen lehet vele meghajtani egy motort? Nem ismerem ezt az alkatrészt, nem mint ha a MOSFET vagy FET-et ismerném
A PWM-nél a FET Gate lábán szükséges nagyobb áram, amit a PIC-nek tudnia kell meghajtani mind áramban, mind sebességben és a váltóáram miatt bejönnek a kapacitások is mint korlátozó tényező. Az , hogy kell-e hűtés vagy sem, függ a motortól is.
Az IRL kezdetűek a logikaiak (többek között). Pl.: ezek.
Ez tök érdekes, de pontosan ezt a FET-et nézegetem(ttem) és akarom használni
IRLR 024 NPBF Erre tudnál egy kacsolást mutatni vagy rajzolni? PIC-el ezt gondolom közvetlen vagy egy korlátozó ellenállás közbeiktatásával meg lehet hajtani. A PIC maximum 20-25mA-et tud, így ezt korlátoznom kell majd, nehogy leégessem. Csatoltam egy képet ezen még a dióda nincs berajzolva.. (a FET típust ne nézd ennek van csak modellje) A hozzászólás módosítva: Nov 11, 2014
Amit korábban linkeltél (IRLZ34N), az is logikai. Az adattábláján is írják és a típusszámban is benne van az L betű.
A logikai fet ugyan olyan tokozásban kerül forgalomba, mint a hagyományos társaik. Az adatlapjukban feltüntetik, hogy Logic-Level Gate Drive. Ilyet kell keresni. Itt egy példa. Ezeket közvetlenül is meg tudja hajtani a pic de ha nagyobb áramokra van szükséged akkor érdemes fetmeghajtó áramkört is használni. Ekkor nem szükséges logikai fetet használnod. A legeszerűbb meghajtó áramkör egy komplementer tranzisztorpáros. Ekkor nincs galvanikus leválasztás a pic portja és a fet között. Ha leválasztást is szeretnél akkor pedig a pic és a fet közé egy fetmeghajtó optocsatolót kell iktatnod. Ilyen optocsatoló például a TPL250.
Ugyanúgy néz ki mint a másik, a lényegi különbség a képen van. Látható, hogy a logikainak a vezérléséhez valamivel kevesebb feszültségre van szükség, illetve valamivel kisebb a gate töltése, így kisebb vezérlőáramra.
A kép baloldalán van a logikai FET, látható hogy a miller plató 3,5-3,7V körül van, míg a hagyományosnál 5,5V körül. Persze a FET normális bekapcsolásához, és ahhoz hogy minél kevesebb kapcsolási vesztesége legyen a miller plató feletti feszültség kell (a logikai esetében legalább 4-4,5V), és megfelelően nagy áram. Ha 15nC gate töltéssel számolunk, és azt akarjuk hogy gyorsan, mondjuk 100ns körül bekapcsoljon a FET, akkor ehhez I=Q/t vagyis 15nC/100ns=150mA-es meghajtó (gate) áram kell.
KB 2A a maximum amit a motor felvesz ezért 3A-re lenne szükségem maximum.
Ha van rá mód, akkor kihagynám a bonyolítást így elsőnek.. Így is sok az új infó.., később aztán szükséges lehet a meghajtó áramkör...
Értem, ennyit egy mikrokontroller sem tud kiadni..
Ehhez akkor kell egy meghajtó áramkör.
Nem feltétlen, mert Ge Lee 100ns-mal számolt, ami 10MHz. PWM-re ennyi közel se kell. Néhány kHz bőven elég, de pár száz Hz is elég szokott lenni.
A másik pedig, írtam, hogy a motor indításkor nagy áramot vesz fel. Ez a névleges többszöröse, tehát a 3A nem elég. A hozzászólás módosítva: Nov 11, 2014
|
Bejelentkezés
Hirdetés |