Sziasztok,

Kellene nekem egy TSF 8N60M-es FET mert látszólag megsült a laptop töltőmben legalábbis úgy gondolom mert a lábinál feljött a réz a nyákról és kicsit meg is van feketedve a forrasztás körül.
A google-ban keresgélve csak külföldi oldalakt találtam ahonnan be lehet ilyet szerezni és azok közül főleg olyanokat amiken csak több száz darabot lehet rendelni de nekem csak 1db kéne. Tud valaki olyan üzletet itthon ahol esetleg tartanak ilyet vagy olyat amivel ezt ki lehet váltani?
Esetleg, ha már cserélem ezt akkor a másik kettő hűtött tranzisztort vagy FET-et is cserélném, de azokról semmit nem találtam és csak ennyit tudok leolvasni róla: LT 8243 erről tud valaki esetleg valamit?

Szia!
Jobb lenne inkább kimérni, mielőtt feleslegesen cserélnéd. Válassz innen egy megfelelő tokozásút.

Köszönöm a segítséget. Kimérném én de sajna jelenleg csak gagyi időnkén elsötétedő kijelzőjű digitmultim van. Így általában csak kábelek tesztelésére alkalmas mert a hangjelzés az jó rajta de majd megpróbálom jókedvében találni
Viszont van kettő is ami alkalmas lenne csak azt nem tudom, hogy kell e a 147W-os vagy elég a 48W-os, ha a tápegység névleges teljesítménye 90W volt amikor még működött?

A réz hűtőfelületű a nagyobb wattos, a szigetelt fekete a kisebb. Ez jó lesz.

Köszönöm,
Esetleg erről az LT 8243-ról nincs ötlet, hogy vajon az egy tranzisztor vagy fet lehet? Az biztos, hogy fém hűtőfelületű, és méretileg kb ugyan akkora mint a 8N60 illetve kettő van belőle és hűtve is van Tudom, hogy ez nem sok mondhatni semmi de egész egyszerűen mást nem lehet leolvasni róluk ezt is alig alig.

Csinálj képet az LT-ről.

Csináltam pár képet de sajna nem lettek túl élesek, majd próbálok még jobbakat csinálni és azokat is beteszem ugyan oda: Képek
[update]csináltam egy képet a teljes panelről az legalább éles lett

Juhú sikerült megtalálni és igazából egyik sem mert azok Dual Schottky Diódák és a pontos számuk MBR20100CT megmondom erre sose gondoltam volna a kialakításuk miatt.

És ez az LT... -t honnan olvastad le?

Egész pontosan magáról a diódáról csak iszonyat halvány és csak bizonyos szögből nézve látszik. Amúgy összehasonlítva a neten talált képekkel így van feliratozva az enyém:
LT 8243 alatta MBR20100CT (ezt nem lehet sehogy sem még nagyítóval sem elolvasni) és alatta a dióda rajz (amit csak sejteni lehet, hogy az)
Gondolom a melegedés miatt fakul meg rajta ennyire a felirat vagy csak gyárilag ilyen láthatatlan.

Sziasztok!

A következő a problémám. Egy panelen egy fogyasztót (SD kártya) eképpen táplálok meg kapcsolhatóan, azzal a különbséggel, hogy a fogyasztóval párhuzamosan beteszek egy 10µF-os kondenzátort, hogy jobban érezze magát. A baj, az, hogy amikor nincs benne a foglalatban az SD kártya, és megszűnik a panel ellátása, a p csatornás FET drain-jén a kondi miatt tárolt töltések maradnak, és a FET szépen tönkremegy. A választott FET ilyen.

A megoldások, amiket el tudok képzelni:
1.: olyan FET-et választok, aminek a test diódája jó nagy áramot elbír, hogy le tudja vezetni a kondiban tárolt töltéseket;
2.: a 10µF-os kondit a FET másik oldalára teszem (de akkor nem közvetlen a fogyasztó lábán lenne a tartalék delej, aminek lehet hátránya);
3.: lehet, hogy van ezeknél jobb megoldás is.

Mit tanácsoltok?
Köszönöm
Ádám

...
4.: esetleg rá lehetne tenni egy külső védődiódát pluszban.

Hello! Nyugodtan, de Schottky legyen, hogy tényleg az nyisson ki. üdv!

Oké, köszönöm!

Mitol megy tonkre a FET? Mekkora fogyasztasu az aramkorod? Amikor lekapcsolod a tapot, azert nem hiszem, hogy hirtelen akkora aram folyna a 10µF-bol visszafele, hogy tonkremegy a FET diodaja. Vagy ampereket fogyaszt az aramkor 3.3V-rol? Egyebkent azzal nincs baj, hogy amikor a FET bekapcsol, akkor a 10µF feltoltese igen jelentos aramot igenyel?
Tehetsz parhuzamosan az SD kartya tapjaval egy ellenallast, hogy kisusse a kondit.

Hát csináltam egy teszt-áramkört, ahol bent volt a 10µF-os kondi, meg betettem egy ellenállást (kb 100mA-t evett 3V-ról), azzal szimuláltam az SD kártyát. Elvettem a tápot, a FET "betáp" oldaláról, minden gond nélkül. Megismételtem vagy 20-szor, minden OK volt. Amikor viszont ugyanezt eljátszottam úgy, hogy a terhelő ellenállást nem hagytam bent a terhelés oldalon, csak a 10µF-os kondit, az első alkalommal kifeküldt a FET. A test diódája az adatlap szerint max 1.0A-t bír, lehet hogy a 10µF-osból ennél nagyobb árammal indul meg a kisülés, főleg, hogy a test-dióda ellenállása (bár nem tudom mennyi) gondolom nem túl nagy. A kondi feltöltése nem gond, mert a FET tud csúcsban 14A-t.
Lehet tenni párhuzamosan az SD kártyával egy terhelést, de mivel akksiról üzemel a cucc, elég nagy luxus lenne azt az energiát elfűteni. Szerintem marad a FET diódájával párhuzamosan berakott plusz dióda. Kösz, hogy írtál! Jó hétvégét!

Nagyon fura, amit mondasz. Ha a FET csucsban kibir 14A-t, akkor a dioda is szokott ennyit birni, csucsban mindenkepp. De ha azt veszem, hogy 10µF 3.3V, az 1A-rel terhelve 30us alatt kisul. Nem hiszem, hogy ennyi ido alatt tonkremegy egy csucsban 14A-t kibiro MOSFET diodaja. Milyen tipusu FET?

Az is hihetetlen, hogy hirtelen megindulna az aram a kondibol. Hacsak a FET source oldalan semmi kondi nincs. Az viszont semmikeppen nem jo. Valami hidegitok csak vannak, nem? Persze, ha rovidrezarod a betap oldalt, akkor barmi is tortenhet, de gondolom, nem igy erted a betap lekapcsolasat. Mert nem mindegy, hogy a diodan keresztul a 10µF a mukodo keszuleket "kezdi" taplalni, vagy egy hirtelen rovidzarral talalja magat szembe.

Amugy en olyan 1-2k ellenallasra gondoltam. Volt mar olyan SD kartyas melom, ahol az SD kartya tapjat a sw neha lekapcsolta, de ha nem ment le 0V-ig a tap, akkor visszakapcsolas utan a kartya nem indult el rendesen. Egy 2.2k-val kb. 100ms alatt 0-ra kisul a 10uF. Mondjuk en a kartya oldalra nem tennek 10µF-t, foleg, ha a FET Rdson-ja eleg kicsi. A FET ele igen, ott jol mutat a 10uF, de utana csak egy 100nF-t, vagy azt se.

Bocsanat, mar latom, hogy elozoleg irtad a FET tipusat. Nos, valoban, az adatlap 1A-t ad meg maximum dioda aramnak, de a dioda nyitofeszultseg adatnal mar 2.4A armot ir teszt korulmenynek. Szerintem az 1A korlatozas a disszipacio miatt van (700mW SOT23 brrr), impulzusban sokkal tobbet kibir. 2.4A-t egesz biztosan, hiszen ezt irja. A Fig 16-on speciel 14A-ig van az UI diagram skalazva.

Csináltam most egy részletes kísérletet. Minden formában (10µF előtte, utána, kapcsolgatás, közben mindenhogy tápelvétel, visszaadás, táp-hirtelen lehúzás, hirtelen vissza, terheléssel, terhelés nélkül), közben Source-n és Drain-en szkóp. Semmi baja nem lett a FET-nek, minden az elvártaknak megfelelően alakul a szkóp-képek szerint.. Tehát Neked lesz igazad, de akkor az érdekelne baromira, hogy az SD-kártyás panelemben, illetve az utána végzett (nem a mostani, hanem egy hetes) kísérletben mitől ment tönkre a FET?
(Tönkremenetel körülményei az első, kérdés-felvető kommentemben.)

Kösz!

Nem tudom, hogy mitol ment tonkre. Tonkremehet akkor (es tonkre is megy..), ha tulleped a source-gate feszultseg limitet. Erre nagyon erzekenyek, es nem kell hozza aram, hogy tonkremenjen, csak feszultseg. A masik, amitol gond lehet, de itt ez nem valoszinu, hogy nincs teljesen kinyitva/lezarva a FET. Ilyenkor esik is rajta feszultseg meg folyik is aram, igy a disszipalt teljesitmenytol egyszeruen leeg. Ehhez latni kellene a pontos megvalositott kapcsolast, hogy okoskodni tudjunk.

Üdv!

A neten keresgettem "voltage level shifter"-eket. A keresgélés alatt gyakran az alábbi kapcsolással találtam szemben magam.

Fogtam a kapcsolást és megépítettem a Proteusban(7.6), ahol "leszimuláltam".

A szimulátor szerint nem mindegy melyik MOSFETet is használom. Ott a 2N7000 számú MOSFET működik nagyon jól, de a valóságban is így menne?
A jó alatt azt értem, hogy az 3.3V helyett 1.2V-ot, 5V helyett pedig 15V-ot használtam és a kívánt eredményt kaptam. Ez olyasmi szerintem mint az "ideális" vezető, vagy áramforrás(elem)... R=0.0Ohm

A kérdésem az lenne, hogy milyen paramétereknek kell egy MOSFETnek megfelelnie, hogy a képen látható célra használható legyen?

Ezeket a jelszinteket szeretném átalakítani:
15V<->5V
5V<->1.8V
vagy ha lehetne
15V<->1.2V

Meg egy szimulátoros észrevételem lenne.
Fogtam 2 MOSFETet amit egymásnak tükröztem. Mindegy hogyan, mindkét állasban ugyanazt csinálta. Így is ugyanazt csinálta mint a linkelt kép kapcsolása, ha az alacsonyabb feszültségre kötöttem a kapuját. Ami számomra hasznos funkció lehet a közeljövőben, hogy ha földre húzom a kaput akkor mindkét irányba lezár("high-impedance OFF-state"). Mondhatni angol kifejezésekkel a kapcsolást így is jellemezhetném:
"3-state, bidirectional, voltage level shifter(translator), with enable"?

Elnézést mindenkitől a kusza megfogalmazásért...

SB

Üdv!

A netet és a FETek adatlapjait böngészve három értékre lettem figyelmes.

(Drain-source voltage) Vds
(Gate-source voltage) Vgs(max)
(Gate threshold voltage) Vgs(th)(max)

Vds: Az a maximális feszültség amit a FET vezérelni képes.
Vgs(max): Az a maximális feszültség amivel vezérelhető a FET.
Vgs(th)(max): Az a minimális feszültség amivel biztosan vezérelhető a FET.
Vgs(th)(min): Az a minimális feszültség amivel (talán) vezérelhető a FET.
A talán alatt azt értem, hogy vannak az adott típusban olyan FETek, amik képesek rá, de nem mindegyik. A biztosan esetében mindegyik FET, azon típusban, a gyártó garantálja a működést (a megadott hőmérsékleten).
Jól értelmeztem az információkat?

Szóval, ha én egy 15V<->1.2V-os jelátalakítót szeretnék, akkor a keresett FETnek az értékei a következők legyenek:
Vds >= 15V (legyen inkább magasabb)
Vgs(max) >= 15V (legyen inkább magasabb)
Vgs(th)(max) <= 1.2V (legyen inkább alacsonyabb)

A keresés egyik legfontosabb kritériuma számomra, hogy ne SMD legyen.
Eddig ezt találtam, némi kompromisszummal. A Vgs(th)(max) csak 1.8V.

Még egy fontos kérdésem, hogy ha az adatlapon csak a Vgs(th)(min) értéke van megadva, akkor azt hogyan értelmezzem?
Vgs(th)(max) = Vgs(th)(min)? (ergo Vgs(th)(max) = Vgs(th)(typ) = Vgs(th)(max))
Vgs(th)(max) = X*Vgs(th)(min)? (X = mondjuk 4)

SB

Átsiklottál a szokásos adaton: V_gs+/- 20V (általában, de láttam már 30V-ot is).

Ez az nem?
Ezt az adatlapon a "Absolute Maximum Rating" táblázatban láttam.

Sziaztok, hogyan kell a MOSFET katakterisztika ábrát értelmezni? Ha 5V-os a gate feszültség, akkor mekkora a maximális drain-source áram? Mennyi ilyen esetben a MOSFET-en a feszültségesés? Mennyi hőt fog termelni? Hogy kell ezeket kiolvasni az adatlap ábráiból? Egyszerűen nem értem, pedig már fél órája nézegetem... Hogy lehet egyáltalán 100A fölött a görbe egy része, amikor max 32A-t tud például ez a tranzisztor? Valaki elmagyarázná nekem?

Adatlap

Szia!
Az Idm sorban mi áll? Ennek tudatában nem meglepő a nagy áram.

Akkor azt honnan lehet megtudni, hogy tartósan mennyit bír 5V-os gate feszültséggel? Meg hogy mekkora ilyen esetben a D-S ellenállás?

Figure 3.
A disszipációt meg kiszámítod az Rdson-ból és az átfolyó áramból. Még segít a Figure 1 is.

A mikrokontroller kivezetése és a gate láb közé miért kell ellenállást tenni?
Amúgy 1 kHz-es PWM jel mennyire számít gyorsnak? Elbírja bármilyen MOSFET?

Hello!
- Mert táp bekapcsolásakor (és a TRIS kikapcsolásakor) lebeg a port, és a Fet azt tenne amit akar.
- Nem számít gyorsnak, elbírja. De a kérdés második felének nincs értelme egyéb paraméter hiányában. Mert ha "nagy a terhelés", akkor a Fet-et a leggyorsabban kell átkapcsolni, vagy is a GS kapacitást tölteni sütni. stb..