Az EBAY-os vásárlásoknál vigyázni kell, mert általában bontottak lehetnek eredeti V-FET-ek, a kinaiak felismerve a ritka és keresett eszköz forgami értékét "gyártani" kezdték!
Hazai fórumokon található még több infó, nézz utána.
Ide tartoznak még a Nelson Pass féle SIT (static induction transistor) kapcsolások is, tudomásom szerint többen is építtek klón kivitelűeket
TJ.

Rövid áttekintés a V-FET családfájáról:

(Vertical Field Effect Transistor, Static Induction Transistor type)
- V-FET: Sony, Yamaha, NEC, Hitachi (pl. 2SK60/2SJ18, 2SK77, 2SK70/2SJ20, 2SK89/2SJ29)
- V-MOSPOWER FET: Siliconix (pl. VMP1, VMP4, 2N6657, 2N6658, VN66AF, VN88AF)
- V-MOS: Toshiba, Hitachi (2SK405/2SJ115, 2SK414/2SJ119)
- V-DMOS: Supertex (pl. DN2540N5-G)
- SIT: Semisouth (pl. Pass SIT-1)
- SIT: Tokin (pl. 2SK180, 2SK182)

Gondolatébresztőnek itt egy rajz, a Nelson Pass féle V-FET és SIT erősítők közül.
TJ.

A saját tervezésű V-MOSPOWER FET SE 20 wattos tervein dolgoztam az utóbbi hetekben, amiben már szerepel a Parallel Constan Current Source (PCCS) kapcsolási megoldásom.
Az elektronikában jól ismert, sorba kötött FET-es Cascade Constant Current Source párhuzamos verziója lenne ez.
TJ.

Lehet hogy elvesztettem a fonalat. Mitől Vfet erősítő az, ha egy 2N3055 és a párja van a végén, azaz tulajdonképpen a (hangi) lényeget a végtranyók határozzák meg? A SIT 2-nél a SIT maga a végerősítő elem, azt gondoltam ennél meg a FET.

A kapcsolásban egyetlen feszültségerősítő eszkőz van,, ez a Siliconix VMP1, SS triode kapcsolásban. A kimeneti 2N3055/2N5884 tranzisztorok mint followerek funkcionálnak. A továbbiak részletesen ismertetve vannak az "A" osztályú erősítők topikban.
TJ.

Ezen az oldalon kezdtem el a V-MOSPOWER FET SE alapkapcsolásom ismertetését:

https://www.hobbielektronika.hu/forum/a-osztalyu-erositok?pg=115

Építettem Yamaha 2SJ24 V-FET SRPP 2x100 wattos no NFB erősítőt, annak például VMOS kimenete van. Tehát valahol le van írva, hogy a "hangi lényeget" mi és miben határozza meg?
Például egy V-FET eszköznek - bármilyen kapcsolásban - , hol kell lennie és milyen szerepben?
TJ.

A fetes végű erősítőket a fetes erősítők kategóriába sorolják (annak hívják) annak ellenére is, hogy előtte az összes félvezető tranzisztor. A hibrid erősítőket sem hívják csöves erősítőknek, mert ugyan van benne az is, de a vége az mondjuk tranzisztor.
Az elgondolásod alapján ennyiből az összes olyan kapcsolást amiben bárhol van egy jfet azt fetesnek, netán jfet amplifier-nek kellene hívni? Vagy a csöves bufferrel hajtott tranyós végfokokat csöves erősítőknek? Úgy általában véve, a vfetes meg a sit-es erősítőd akkor nevezhető szerintem valóban annak, ha azok vannak a végén, azaz azok hajtják az áramot a hangszóróba. Amíg nem így van, addig az erősítőd ugyanolyan tranyós erősítő mint mondjuk a JLH, annyi különbséggel hogy a végtranyókat nem egy BD tranyó hajtja hanem a vfet.

A szubjektív magánvéleményt köszönöm.
Azért egy félvezetőket tartalmazó erősítő "hangi lényegét" a feszültségerősítő eszköz transzfer karakterisztikája szerintem jobban jellemzi, mint a kimeneti follower.
Ez is egy szubjektív magánvélemény az előbb leirtakéhoz hasonlóan.
A V-MOSPOWER FET SE kapcsolásomban lévő egyetlen feszültségerősítő elem "Solid State Triode" üzemmódját (karakterisztikáját), nem állitanám szembe semmilyen BJT eszközzel. Főleg nem úgy, hogy ez az egyetlen VMP1 közel 1500-at (kb. 63 dB-t) erősít.
TJ.

Megjött néhány alkatrész az épülő 20 wattos verzióhoz, egyből beugrottak a helyükre
TJ.

A készülő erősítő tápegységbe beszabtam a 99,99%-os ezüstszalagokat, amelyek 10x0,5mm-esek, szánkózhatnak az elektronok a puffer kondezátorba 
TJ.

Terveztem egy új logót, ami kétféle utalást is tartalmaz az erősítőm munkaponti BIAS beállítására 
(BIAS > Iout max.)
TJ.

Már csak ez hiányzik a végéről -> ®
Vagy ™

A hátsó panel szerelvényei a helyükre kerültek.
TJ.

Kicsit tekervényes úton, de sikerült beszereznem még kettőt a hiányzó alkatrészek közül. A Hammond 155B DC choke a tápegységbe került, míg a TO-3 tokozású Siliconix VMP1 V-MOSPOWER FET kerámia szigetelő alátétet (alumina ceramic washer) kapott.
Az előzőleg berakott csillám alátét a TO-3-as tokozású VMP1 háza és a hűtőborda között több mint 200pF kapacítás értéket produkált. Az alumina kerámia alátét ezt parazita kapacítást szinte teljesen megszüntette, néhány pF-ra redukálta. Mondanom sem kell, hogy a VMP1 drain-ját a készülékházra söntölő kapacítás radikális csökkentése nagy előnyt jelenthet a jobb minőség elérése felé. 
TJ.

Gondolom a tranzisztoron nagy áramok folynak majd át.... Szerinted van annak jelentősége, hogy 200pF, vagy 6pF? Vagy ez több 10MHz-et erősít majd?

Az említett TO-3-as tokozás NEM a végtranzisztoré, hanem egy feszültségerősítő elemé.
Ezért beteszem a V-MOSPOWER FET SE kapcsolási rajzát, ahol látható, hogy ez az egyetlen feszültségerősítő eszköz a Siliconix VMP1. A VMP1 áramgenerátoros munkaellenállását rontó parazíta kapacítás a test felé nemkívánatos, ennek a csökkentése tehát igencsak előnyős
TJ.

Hirtelen nem tudtam megtalálni az adatlapját ennek a tranzisztornak, így nem tudom mekkora a gate kapacitása sem?! De gondolom nem lesz kicsi, a tokozásból kiindulva...
Így viszont az a 33k-s gate ellenállás elég érdekes megoldás, hisz kapásból bevisz egy erős töréspontot, aluláteresztő szűrő gyanánt! Emellett kapásból nem hinném, hogy jelentősége lenne a drain kapacitásnak már...
Ráadásul, ha jól sejtem, nem is kis áram folyik át a tranzisztoron, tehát még a 200pF-et is rendkívül gyorsan feltölti/kisüti itt... Ennek nem hinném, hogy lenne a hangfrekvenciás tartományban kicsit is befolyásoló tényezője...

Siliconix VMP1 V-MOSPOWER FET-ről bővebb nformáció itt:
http://www.epanorama.net/sff/Components/V-FETS%20for%20Everyone.pdf
VMP1 data:
Ciss= 48pF
Crss= 7 pF

Hmm..., jó kis kapacitásai vannak ennek a FET-nek... Így már annyira nem vészes a bemeneti rész...
Viszont a minimális drain kapacitás, ekkora áramoknál nem hinném hogy befolyásoló tényező lenne továbbra sem..., főleg úgy hogy egy nagy teljesítményű tranzisztor CB kapacitása is rácsatlakozik erre a pontra! A maga 15MHz-es határfrekvenciájával ez a kapacitás elég nagy lesz, bár adatlapon nem látom az értékét...

A TO-3 alumina kerámia szigetelő alátét bekerült a V-MOSPOWER FET SE prototípusába is 
A 10kHz-es négyszög átvitelről teszek fel fotót (8R, 5v/div).
TJ.

A 100 kHz-es négyszögjelek fotói a korábbi csillám szigetelővel, és a most beszerelt alumina kerámia TO-3 alátéttel.
TJ.

Black Gate 2200µF/63v FK bypass capacitor with silver ribbon 
Az ezüstszalag 10x0,5mm-es, négykilences tisztaságú.
TJ.

A kondenzátorban lévő alumínium és elektrolit milyen próba tisztaságú?? ))

Minek az ezüstszalag? Közvetlenül nem lehet odaforrasztani azt a kondenzátort?

Az "A" osztályú üzemmód miatt 80°C környékén lévő hűtőborda szép lassan megfőzné az odarakott elektrolit kondenzátort. Ezért vannak az elkók az előlapra rőgzítve és a minél jobb vezetőképességű ezüstszalaggal bekötve.
Mellesleg ezek a Black Gate elkók az igen jó minőség mellett igencsak drága alkatrészek - érdemes a lehetőség szerint minél jobban kimélni őket.
TJ.

A Black Gate elektrolit kondenzátorok különleges grafit szerkezetűek, a hagyományos elkóknál nagyságrendekkel gxorsabb "elektron transzfer" működést produkálnak.
Info itt:
http://www.octave-electronics.com/Parts/cap/bg_tech.shtml

Nem tudom mit takar ez a "jópofa" fogalom..., de még ha így is lenne..., biztos lehetsz benne, hogy az ESR értéke nagyságrendekkel nagyobb, mint egy sima drótdarabé, amit az ezüstszalag helyére berakhatnál!

Úgy látom, hogy másnak azzal az 5 cm-es drótdarabbal volt problémája:
https://www.hobbielektronika.hu/forum/a-osztalyu-erositok?pg=116
Most meg ez az ezüstszalag bántja egyesek szemét - egyeztessél már a kollegával, hogy melyik legyen a befutó
TJ.