Kevés lesz az 5V ahhoz, hogy rendesen kinyisson, lásd melléklet. Hogy a 7805 mitől forrósodik fel, passz, talán beleng az egész kapcsolás a FET hőtermelése és az R_DS változása miatt, a 7805-ös lábain pedig nincsenek hidegítő kondik. 330 nF a bemenethez, 100 nF a kimenethez.

Az mitől lehet, hogy a motor fölpörög kb fél fordulatra, és utána lassan megáll, ahogy múlik az idő? Mintha a MOSFET fokozatosan teljesen zárna.
Nem tudnál javasolni egy olyan P-csatornás MOSFET-et, amit 5V-ról is többé-kevésbé ki tudok rendesen nyitni, és a hestore-ban kapható? Ha 5A-t tud 5V-ról kinyitva, az megfelelő.

Köszönöm a segítséget, de közben találtam egy combosabb relét, ami kényelmesen elbírja a motort, és mivel nem lesz PWM, így azt használom H hídnak egy N csatornás MOSFET-tel, amivel ki és be tudom kapcsolni a motort.

Üdvözletem!

N csatornás mosfet bekötéshez lenne egy egyszerű kérdésem.

Adott az üzemszerű bekötés amikoris a terhelés a táp és a DRAIN láb közt van, első kép.

De mi van akkor, ha úgy teszem be a terhelést, hogy a SOURCE és a TEST közt legyen? Második kép.

Kérdem én ezt azért, mert kocsiba izzót szeretnék vezérelni vele, viszont a kocsi negatív testelésű, tehát a pozitív ágba kell raknom a kapcsolóelemet. N csatornás fetem van elfekvőben, szóval nem akarok venni külön P csatornásat...

Kipróbáltam egy 3W -os leddel, és működik...
Tulajdonképpen mi a magyarázata, hogy a DRAIN ágba kéne lenni a fogasztónak?

A válasz egyszerű: a source-höz képest kell nézni Ugs-t és ha 12 voltról nyitod, úgy teljesen ki tud nyitni - viszont ha a source -test közé teszed a fogyasztót, egy bizonyos feszültség felett már nem lesz elegendő Ugs-ed,.
Pl. a source-ben lesz 7-8 voltod az izzón, Ugs-re marad 4-5 volt és már nem tud jobban kinyitni és melegedni is fog nagyon.
Úgy képzeld el, mint a földelt kollektoros, vagyis emitterkövető kapcsolást tranyónál - itt pedig source követő és a source Ugs feszültséggel követi Ug feszültségét.
Alacsony Ugs feszültségű fettel sokkal jobb a téma, de úgy is eléggé rossz hatásfokú lesz az áramköröd. ( 12V- Us ), vagyis ( Ud-Us ) * fogyasztó árama fogja melegíteni.
A 3 wattos leded rossz példa egy pl. 21 wattos izzóhoz. Persze belső világításhoz oké, de hűteni akkor is kell a fetet rendesen.

Szia.
Akkor P csatornás fetet kell majd használnod, mert a fetnek a G-S elektródái közé nyitófeszültség kell, anélkül nem fog neked kapcsolni. A második verziónál a fet G-S nyitófeszültsége az előbbi okok miatt levonódik a 12V -ból, ezért maximum annyit tud a fet a fogyasztóra (te esetedben az izzóra) kapcsolni. A fetek U_G-S feszültsége pedig típusfüggő.

Magyarul amint kinyit, a source lábon is 12V lesz a feszültség, így rögtön le is zár (mert nincs elég Gate Source feszkó), majd kezdődik előről.
Tulajdonképpen úgy működik, mint egy relé aminek egy nyugalomban zárt érintkezőjét sorba kötnénk a tekerccsel, be/ki fog kapcsolgatni a kapcsolási frekvenciával...

Akkor azt hiszem, feltaláltam az egy fetes oszcillátort, holnap megyek is a szabványügyi hivatalba és levédetem...

Köszi a velős magyarázatot...

1., válasz gomb... kinek írsz..
2., ha az n-fetről gondolod ezt és a source-ben van a terhelés, nem ugrik fel 12 voltra a source fesz.. csak addig, ameddig elegendő lesz az Ugs a nyitáshoz, tehát fettől függően 7-8-9 voltig.
Csináld meg a teszt-kapcsolást klf. fetekkel egy izzóval és élőben mérheted.

Mindkettőtöknek...
És annyira azért nem érdekel (hogy lemodellezzem), a lényeg az, hogy mégis csak P csatornás fetet kell bugáznom akkor valahonnan...

Így van..

Sziasztok
PWM jellel szeretnék szabályozni fényerőt. A vezérlő jelet egy PIC állítja elő. 160-180V között kellene tudnom szabályozni, 400Hz frekvenciával. Tudnátok segíteni?
Előre is köszönöm.

Konkrétan miben is?
Mármint mi a problémád amire segítséget vársz?

Nixieóra fényerőszabályzásának a megoldásában. Nem foglalkoztam még FET-tel, nem ismerem.

És most konkrétan kapcsolási rajzot akarsz? Vagy mit? Mert ne haragudj, de nekem még mindig nem tiszta...

Van egy PIC-ed, ezzel vezérelsz egy MOSFET -et, ami a nixie háttérvilágítás tápfeszültségét modulálja PWM -el...

Leírtál mindent amit akarsz, csak épp azt nem, hogy mit nem tudsz megoldani...

Nem lenne egyszerűbb egy áteresztő stab egy BU.. tranyóval? Nem ehet sokat az a nixie-rendszer.

Magát a vezérlést.Egy kapcsolási rajzot szeretnék, mert nem tudom,hogy kell méretezni. A PIC egy MPSA tranyát hajt meg, az vezérelné az IRF 9530 FET-et. De hogyan?

A 9530 100 voltos. 9620, 9630 200 voltos.

Ha csak annyi kell, hogy az MPSA hogyan vezérelje az IRF-et, nagyon egyszerű: teszel a kollektorába egy 330k-s ellenállást, az felmegy a +200 volt felé pl. egy 15 voltos zenerre, amin rajta van az IRF 9620 gate-source elektródája és a drain adja a pwm-et lefelé, mint szaggatott anódfeszt.

Köszi, kb. így csináltam én is, csak 12V zenerrel. Melegedett a fet, és nem működött. Így már értem, hogy valószínüleg elfüstölt a 200V-tól.
Köszönöm!

Ja, hát adatlapot megnézhetted volna...nem árt 50 volttal fölé menni a tápnak, úgy keress p-fetet.

Bővebben: Link
És ha valami hasonlót csinálnál, csak az 555 helyére a pic egy kimenetét kötnéd?

Igen. Az 555 3-as lábára van kötve az MPSA.

Hello! Ez nemcsoda, a JFet ebben a kapcsolásában egy egyszerű áramgenerátort képez. Pld..

Hello

Fordított polaritás elleni védelmet szeretnék, erre melyik mosfet lenne az ideálisabb ami sima diódát vagy ami schottky diódát tartalmaz? Pl. ez és ez.

Hogyan szeretnéd alkalmazni. Itt valami még nem kerek a történetben.

A második oldalon a második ábra, NMOS FET. Bővebben: Link

Azt írja a doksiban, hogy a mosfeten eső feszültség az rDS(on) X I Load. Pl. akkor ha 1A-t szeretnék akkor mennyit fog esni a feszültség? 1X0.014-t?

Az Rds(ON) adat minden FET-nél más és más, továbbá függ az UGS és az ID értéktől is. A kissebb feszültségtűrésű FET-nek általában kissen is az Rds(ON) ellenállása, de pontosan az adatlapja tartalmazza.

Értem. Így hirtelenjében ezt a két félét találtam, amit fentebb belinkeltem. Ezeknek az rDS(on) értékük 14,4 és 7.25mohm. Akkor pl. 1A-nál 0.0144V és 0.00725V esik? Ezt jól számolom?

Szerinted melyiket válasszam? Amelyikbe schottky vagy amelyik sima diódás? Kipróbálva mindkettőt azt tapasztaltam, hogy ha pl. fordítva kötök be egy liion akkut és rövidre zárom, akkor a sima diódáson nem történik áram felvétel viszont a schottkys 40uA áramot vesz fel ilyenkor. Ekkora áramerősség ki tud nyiffantani egy IC-t vagy ez még kevés neki?

Azt, hogy az ilyen irányú fordítva kötést mi viseli el, csak az adalapja tudja megvondani, vagy még az sem, esetleg egy teszt, de az keserű tapasztalatokkal is járhat. Nyílván nem mindegy, hogy egy 555-ös IC-ről beszélünk, vagy egy i7 -es CPU-ról.

Én bele merném rakni mindkettőt, hacsak nem valami extra kényes cucc, ki kell, hogy bírja.

Egy TP4056 akku töltő IC lenne az áldozat. Már a sokadik panelt lövöm el, hogy fordítva kötöm rá az akkukat.
Ez mennyire lehet kényes cucc szerinted? Ki kellene bírnia?