Fórum témák
» Több friss téma |
Fórum » Tesla tekercs építése
Mondom, férjen rá a huzal és akkor jó. Legyen kb akkora mint Skorié. Azt ugye tudod, hogy zománcozott vagy szigetelt huzalt kell feltekerni a ferrit magra? Igen, drótokat lehet forrasztani. Sárga- és vörösrezet, alut, stb... Milyen drótot akarsz forrasztani? Melyiket kérdezed? Miért ne lehetne? Remélem nem ónnal akarod szigetelni a drótot!
Idézet: „Igen, drótokat lehet forrasztani. Sárga- és vörösrezet, alut, stb” Alut megnézném, hogyan forrasztasz 
Anno valami paszta kapható volt... Meg van egy ezermesteres cikk, hogy lehet az alut ónnal forrasztani, csak azért nem fogja az ón, mert rendkívül gyorsan oxidálódik az alu. Ott úgy van írva, hogy egy nagy "óncseppben" kell tartani az alut és az ón "alatt" kaparni, így nem tud oxidálódni
Nekem is vannak alu forrasztó rúdjaim, de az lángforrasztáshoz van, nem pákához és ónhoz. Vákumban egyébként lehet forrasztani simán ónnal is, ha az oxid le van kaparva, de itt szó sincs erről.
Én még sosem próbálkoztam vele... Majd talán egyszer. Ez a vákuum-os dolog felkeltette a figyelmemet
Nekem megy a dolog. Lecsiszolom és csiszolás közben már az ujjamon van a forrazstó zsír. Miután lecsiszoltam egyből rákenem és akkor le van takarva forrasztó zsírral. Nagyon nem folyik meg, viszont elég jól oda tapad.
Hát ezt hidegforrasztásnak hívjuk, másfelől biztosra veheted, hogy ott normális kontaktus nincsen, szóval alura ne forrasszál ónnal, mert abból bajok lesznek.
Még sehova nem kellett, csak kipróbáltam. Azt tudom, hogy nem tapad jól meg, nem is foglalkozok vele, nincs sehol szükségem rá
A Conradnál volt kapható:Bővebben: Link
Pár éve még valamilyen pasztát árultak az alumínium forrasztásához.
Pontosan ilyenje van Collectornak is.
Sziasztok!
Szerintetek az hogy lehet, hogy a sorkimenős teslám ugyanakkorát koronázik hogyha le van földelve mint ha nincs?
Szia!
Nos ez sokmindentől függhet,de ez a jelenség nagyrészt úgy valósulhat meg,hogy ilyen nagy frekvenciáknál a kapacitív ellenállás értéke már elég kicsi ahhoz,hogy bármilyen dielektrikum úgymond vezetővé váljon,tehát az asztalon,a huzalok szigetelésein,vagy akár egy levegőben lógó drótdarabon keresztül megoszló térerő,viszonylag jó földpontot képezhet. Idézet: „bármilyen dielektrikum úgymond vezetővé váljon” Ezt nem mondod komolyan...  Hogyan működik a kondenzátor és miként viselkedik váltakozó áramnál?
Valószínűleg megpróbál átmenni bipoláris üzembe (azaz a föld oldalán is koronázik), másfelől az is valószínű, hogy nincs jól összerakva, inkább transzformátorként működik.
Igen később magam is rájöttem,hogy ezért még kikapok itt. :pirul:
Nem,nem gondoltam komolyan,teljes mértékben jogos a felvetésed,és nem szeretnék senkit félrevezetni vagy tévesen informálni félreértés ne essék,tehát nem válik vezetővé semmilyen szigetelő anyag!!! Ugyanis az egymással ellentétben akár nagy távolságokra is lévő pólusok vezetői,a kondenzátor fegyverzetei ként viselkednek,függetlenül az így létrejött kapacitás nagyságától,mindig minden körülmények között két vezeték között töltött részecskék halmozódnak fel,ami a váltakozó áramnál ellenállás ként viselkedik,mivel így a pólusok a frekvencia gyorsaságával folytonos felcserélődésben vannak egymással,ami folytonos újratöltődést is eredményez,a fegyverzetek töltődése pillanatában pedig mint tudjuk áram folyik,és ezt a jelenséget kapacitív ellenállásnak vagy reaktanciának nevezzük.Tehát a „vezető” szót én nem szószerint szerettem volna értelmezni,csak akkor az adott pillanatban egyszerűbbnek láttam közönségesen fejezni ki magam,mint definiálni a kondenzátor működésének apróbb részleteit. Bocsánat a téves fogalmazásomért. 
Egyébként ez a kapacitív kapcsolat a szekunder és minden más tárgy közt igen komoly problémákat okoz, olyan potenciáleloszlás jön létre rajta, ami miatt a geometriát át is kell néha alakítani. Én próbáltam a FEMM-ben modellezni ezt, de az csak nagyon hozzávetőleges volt (itt)
Egyébként ha lenne valami célprogram erre, meg lehetne csinálni az egész geometriát, és behatóbban lehetne tanulmányozni, hogy melyik esetben a legjobb a potenciáleloszlás. Sajnos amit üveg láncszigetelőkön lehetne használni (glimmlámpás mérés) azt teslánál nem lehet.
Szerintem kár vele foglalkozni,mivel úgysem lehet tenni ellene túl sok mindent,elvégre a nagyfrekvencia ezzel jár...
Ez tévedés. A távvezetékeken, és szigetelőkön már régóta használatos a potenciálvezérlés, és az bizony nem nagyfreki. Sőt, DC-n is kell potenciálvezérlés, egyik tanárom mesélte, hogy röntgentrafóba méreteztek emberek egyenirányítást, amit frankón ki is számoltak, de amint bekapcsolták a trafót, rögtön felrobbantak. Ez azért volt, mert a diódasor közepéhez közel volt az egyik nagyfeszültségű kivezetés, és a megosztás, ami létrejött a diódasorban, olyan hatalmas feszültséget hozott létre, hogy átütöttek a diódák. Pusztán a megosztás miatt. A kapacitív áram, és a vezető(k) körül kialakuló térerő egymástól független. A potenciáleloszlást potenciálvezérlő gyűrűkkel szokás kiegyengetni, persze ez sosem lesz tökéletesen egyenletes a nagyon sokféle kapacitív csatolás miatt (meg marha drága). Ezért teslánál sem lehet elérni persze a szép lineáris görbét, de javítani lehet rajta, és kell is, ha az ember nem akar koronázó vezetéket/átütést a szekunderen. Kisebb tekercsek esetén persze ettől nem nagyon kell félni, de a hatás ott is megvan, csak éppen nincs kellő térerő, hogy átütést okozzon.
Nem lehet IGBT helyett FET-et használni, meg más egyebet. Másfelől semmiből sem tart rákattintani a "BACK TO OLTC PAGE"-re és megnézni milyen szikrákat produkál.
Idézet: „Nem lehet IGBT helyett FET-et használni” Miért nem?Nagyon sok esetben helyetesíthetők egymással hisz a működési elvük lényegében ugyanaz.Ez mondjuk egy ZVS kapcsolás,mehetne bele a FET is,csak nem biztos,hogy megéri helyetesítgeni mivel ilyen tápfesz mellett nem hiszem,hogy egyszerűbben talál ilyen teljesítményű FET-eket.Mondjuk nekem így elsőre az IRFP470-es ugrik be,mivel az teljesítményben megegyezik a BUP314-esével,csak a feszültség tűrése kevesebb (nem kevéssel),talán ha kissebb tápfeszen járatná mint 400V,akkor még mehetne bele,de igaz egyszerűbb,ha nem vacakol,és rögtön IGBT vesz bele.Erre a megoldásra egyébként már én is gondoltam korábban,hogy közvetlenül ZVS-el hajtani meg teslát,csak valamiért sosem jutok el odaáig,hogy megvalósítsam... Idézet: „Miért nem?Nagyon sok esetben helyetesíthetők egymással hisz a működési elvük lényegében ugyanaz” Ez nem teljesen igaz. Az IGBT-kre a szaturációs feszültség jellemző, éppen mint a bipoláris tranzisztoroknál. Ez IGBT-nként változó, vehetjük pár V-nak. Egy normál térvezérlésű tranzisztor nem rendelkezik effajta paraméterrel, ellenben maradék ellenállással igen, ez a bizonyos Rds érték. A teljesítmény definíciói alapján: P=U*I, ez jellemzi a bipoláris tranzisztorokat, és IGBT-ket, ami ha a feszültség konstans, egy lineáris görbe. FET-eknél a maradékellenállás miatt P=I^2 *R, mivel kapcsolóüzemben R nagyjából állandó nyitott állapotban, ezért I-től négyzetesen függ a disszipáció, ami nagyon nem hasonlítható össze a lineárissal. Egy bizonyos teljesítményszint felett a FET disszipációja nagyon meredeken elkezd nőni. Emiatt a helyettesítés nem egyértelmű, és nagyobb teljesítményeknél igazából nem is lehetséges, a 2 totál más disszipációs tulajdonságok miatt. Kisebb feszültségeknél a FET célszerűbb, nagyobb feszültségek és teljesítmények mellett pedig az IGBT. DRSSTC-knél például nem nagyon fogsz találni FET-eset (van 1-2, de azok kicsik), minden nagyobb IGBT-vel működik, mert a rezgőkörben 500-800A is folyhat, és ha 2,5V-nak vesszük pl. a 40N60-as IGBT szaturációs feszültségét, a teljesítmény kiadódik 1250-2000W-nak, míg egy átlagos FET, ami legalább 800V-os, minimum 1ohmos Rds-el rendelkezik, a teljesítmény itt pedig 250 és 640 KILOWATT közt mozog ebben az esetben. Ezek bizony nagyon komoly különbségek.
Van egy további hatalmas különbség. A párhuzamos dióda, és annak sebessége.
MOSFET-ben mindenképpen van D-S dióda, ami a nagyobb feszültségű tipusok esetén nem túl gyors. IGTBT-ben csak bizonyos tipusokba integrálnak diódát (ami valójában külön beépített félvezető lapka, míg a FET esetén az eredeti félvezető része). Az IGBT-be integrált dióda általában sokkal gyorsabb, mint egy hasonló MOSFET belső diódája. Kapacitív terhelés esetén (Tesla tekercsnél is előfordulhat, pillanatnyi rezonanciától függően), a lassú dióda a kapcsoló-félvezető halálát is okozhatja. A ZVS történetesen kivétel ebből a szempontból (szerintem), a lassú kapcsolás, a rezonáns üzem, és a nem meredek (hanem közel szinuszos) fesz/áram változás miatt. De pl. egy félhíd esetén ez is hatalmas különbség a két félvezető tipus között. A disszipációnak természetesen érdemes utánaszámolni, bármilyen félvezetőt is használunk. A számítás módja azonban eltérő - mint azt Collector kolléga is említette. Nagy áramok és nagy feszültségek esetén általában az IGBT a nyerő. A kapcsolási sebesség szempontjából (ha a belső dióda hatása az adott áramkörben nem számít - pl. mert a félhídon induktív terhelés van) akkor többnyire a FET a nyerő. Idézet: „Ez nem teljesen igaz.” Teljesen nem,de nagyrészt igaz  Nem egyszer helyettesítettem már én sem,és ha lehet akkor ne térjünk ki a tárgytól,én nem azt mondtam,hogy nincs semmi különbség köztük,természetesen van eltérés hiszen lényegében az IGBT a FET és a BJT tranzisztor ötvözete.Én azt írtam,hogy működési elvben lényegesen nem térnek el,mivel mindkét esetben térvezérelt tranzisztorokról beszélünk,ezért bizonyos esetekben helyettesíthetőek egymással,mint mondjuk egy olyan sematikájú önrezgőben is mint egy zvs,vagy egyébb kissebb teljesítményű áramkörökben ahol a FET-ek teljesítménye még szóba jöhetnek,eltekintve attól,hogy esetenként bizonyos negatív tulajdonságok nem fedik egymást,mint például amit Collector is szóba hozott a bipolárisoknál jelenlévő szaturációs feszültség,és az unipolárisok átmeneti ellenállása.Nos ha csak ezt a két paramétert szeretnénk jellemezni,akkor a tranzisztorok telítési tartományában a szaturációs feszültség bizonyul hátrányosabbnak mivel e-miatt nagyobb mennyiségű diszipáció jön létre mint ideális esetben egy FET-nél.Azonban ezzel szemben az IGBT –k („PNPN” kialakítású) bipolár csatornái mégis jobb terhelhetőséget tesznek lehetővé ami pedig az „N” illetve ”P” csatornájú FET-ekre nem jellemző,nyilván nem véletlenül használnak nagy teljesítményű körökben inkább IGBT-ket és nem FET-eket...Idézet: „Nagy áramok és nagy feszültségek esetén általában az IGBT a nyerő.A kapcsolási sebesség szempontjából (ha a belső dióda hatása az adott áramkörben nem számít - pl. mert a félhídon induktív terhelés van) akkor többnyire a FET a nyerő.” Igen,ezt nekem is így tanították a kezdetektől fogva „ha nagy teljesítmény vezérlése a cél,akkor használj IGBT-t,kissebb teljesítményeknél pedig célszerűbb a FET.” Idézet: „és ha lehet akkor ne térjünk ki a tárgytól,” A tárgy az volt, hogy velkey egy OLTC-be IGBT helyett FET-et akart tenni. Ezt pedig nem lehet megtenni. Illetve meg lehet, csak akkor fedezékbe kell vonulni a szétrepülő FET daraboktól
Miért kipróbáltad már,hogy ennyire biztos vagy benne?
Nem kell kipróbálni, a rezgőkörben már ha 200A is folyik, nincs az a FET, ami elviselné a disszipációt. Hasonló méretű DRSSTC-knél 400-500A a rezgőköri áram, ami átfolyik az IGBT-n is. Éppen a Stewe Ward féle DRSSTC3-at építem, így volt alkalmam ezekről olvasgatni egy keveset.
Nem tudom ezt miért csinálod,de megint csak nem olvasod el amiket ír a másik,és úgy ítélkezel.Szerinted ezeket miért írtam:
1. Idézet: „...mehetne bele a FET is,csak nem biztos,hogy megéri helyetesítgeni mivel ilyen tápfesz mellett nem hiszem,hogy egyszerűbben talál ilyen teljesítményű FET-eket...” 2. Idézet: „..vagy egyébb kissebb teljesítményű áramkörökben ahol a FET-ek teljesítménye még szóba jöhetnek..” 3. Idézet: „...nyilván nem véletlenül használnak nagy teljesítményű körökben inkább IGBT-ket és nem FET-eket...” Jó,akkor elmondom mégegyszer a kedvedért: Ha még a FET elbírja akkor mehet az IGBT helyére,ha nem akkor nem helyettesíthető.Remélem most már érthető voltam. Tudod írogálna itt a fene,ha nem tapasztaltam volna ezeket a dolgokat,mivel míg szervizben dolgoztam nem egy és nem tíz inverteres kapcsolást javítottam meg röpködő meg robbanó FET és IGBT darabok nélkül,viszont részemről a vita itt és most lezárva,mert csinálhatnánk ezt a végtelenségig is akár,és akkor is úgy forgatnád ki más szavát,hogy mindenképp neked legyen igazad,és már csak azért is,hogy a fene nagy büszkeséged ne sérüljön hát legyen csak neked igazad. Szevasz!!! A moderátoroktól elnézést a hangnemért. Idézet: „Jó,akkor elmondom mégegyszer a kedvedért: Ha még a FET elbírja akkor mehet az IGBT helyére,ha nem akkor nem helyettesíthető.Remélem most már érthető voltam.” A kérdés továbbra is az, hogy betehet-e az IGBT-k helyett FET-eket abba az OLTC kapcsolásba. Én azt mondtam, hogy ezt nem lehet megtenni. Bár örülnék neki, ha kitett volna pár mérési eredményt, így csak összehasonlítás alapján mondom ezt. Idézet: „Jó,akkor elmondom mégegyszer a kedvedért: Ha még a FET elbírja akkor mehet az IGBT helyére” Az én kedvemért nem kell elmondani, nem értetted a kérdést. Itt pont ez a kérdés, hogy helyettesíthető-e abban a konkrét kapcsolásban, nem pedig általánosságban beszélünk arról, hogy mikor helyettesíthető. Idézet: „a vita itt és most lezárva,mert csinálhatnánk ezt a végtelenségig is akár,és akkor is úgy forgatnád ki más szavát,hogy mindenképp neked legyen igazad,és már csak azért is,hogy a fene nagy büszkeséged ne sérüljön hát legyen csak neked igazad. Szevasz!!!” Ez egy fórum, ha valami nem tiszta, azért vagyunk itt, hogy tisztázzuk. Ha 1 oldalig tart, akkor 1 oldalig tart, ha 5 oldalon keresztül, akkor 5 oldalon keresztül. Addig nincs probléma, amíg a témánál maradunk, ami eddig meg is volt. Az pedig valóban nem vita, hogy beírsz ilyeneket nekem. Tehát, ha abban a konkrét kapcsolásba tudsz mondani olyan FET-et, amivel helyettesíthető, én azt meg fogom nézni. Ez az én irodalmam Bővebben: Link Bővebben: Link Ennek kb pont hasonló a teljesítménye is a linkelt OLTC-hez, és itt 420A körüli áramok folynak át az IGBT-ken. |
Bejelentkezés
Hirdetés |
