Ötvözéses és diffúziós gyártás folyamatok egyidejű alkalmazásával készül tranzisztor. Az emitter-ötvözéssel készül olyan adalékanyaggal, mely csak kissé diffundál a kristályban. Az ötvözőanyag ugyan akkor tartalmaz egy másik komponenst is mely jól diffundál a kristályban, s az eredet ötvőzőanyaggal ellentétes típusú adalékolást hoz létre. Ötvözéskor ez utóbbi anyag az ötvözési frontot (az olvadt és szilárd anyag határfelületét) elhagyva előre szalad a kristályba, s kialakítja a tranzisztor bázisát az ötvözött részből lesz az emitter. Mivel bázis keskeny, azon kívül inhomogén szennyezőeloszlású, ezért az AD tranzisztornak jó nagyfrekvenciás tulajdonságai vannak. Modernebb technológiák kifejlődése miatt csökkent jelentősége.
Lásd még:
