(akkumulációs réteg). Félvezetők felületén, elsősorban szigetelt elektródájú - térvezérelt tranzisztorok vezérlőelektródája alatt keletkezett réteg, melyben a külső elektromos tér vagy a felületen megkötött töltésék által keltett tér hatására a töltéshordozók száma (vagy elektronok vagy lyukak, a térirányától függően) lényegesen megnő az egyensúlyi értékhez képest. A megnőtt töltéshordozó-koncentráció növeli a vezetőképességet. Ha ez a külső vezérlést végző tér eredménye, akkor a feldúsulási réteg hasznos, ennek alapján működik a szigetelt vezérlőelektródás térvezérelt tranzisztor. Ha viszont a felületre rakódott töltések eredménye, akkor általában káros, pl. vezető csatornát létrehozva, emitter-kollektor rövidzárt okoz.
Lásd még:
