A legrégibb és jelenleg már csak germánium teljesítménytranzisztorok előállítására alkalmazott gyártási eljárás. A megfelelő alakra vágott germánium kristályt az ötvöző adalékanyagból készült golyócskával vagy kis tárcsával, tablettával együtt kerámia vagy grafit tokba (ötvözősablonba) helyezik, amely az alkatrészek helyzetét biztosítja. Germánium esetén ötvözőanyagként leginkább indiumot és aranyat alkalmaznak. Az ötvözést hidrogén- vagy formálógáz-áramban 300... 350 °C-on csőkályhában végzik. A pn-átmenetek az ötvözés folyamán alakulnak ki.