Elektroncsövek anódján keletkező disszipációs teljesítmény, az anódon levő egyenfeszültség és az anódon átfolyó anódáram szorzata. A keletkező hő elsősorban hősugárzás révén vezethető el, a csőben levő vákuum miatt. Nagyteljesítményű adócsövekben víz- és léghűtés használatos.

• disszipáció
• vákuum

Áramköri elemekben az elektromos energia átalakulása hőenergiává. Mivel elektronikus áramkörökben a hőtermelés nem cél, ezért a disszipáció káros jelenség. Az időegység alatt keletkező hőenergia a disszipációs teljesítmény, ezt a túlhevítés elkerülése érdekében el kell vezetni.

• disszipációs teljesítmény

• disszipáció

(termikus megfutás). Elektromos és termikus folyamatok egymásra hatása révén végbemenő jelenség, elsősorban félvezető eszközökben. Az eszközben keletkező disszipációs teljesítmény megnöveli annak hőmérsékletét, a hőmérséklet növekedése az átfolyó áramot, s ez újra a disszipációs teljesítményt. Ha az így létrejövő hőmérsékletnövekedés nagyobb, mint a kiindulási hőmérsékletnövekedés, a folyamat önmagát erősíti, s végül túlmelegedés miatt az eszköz tönkremegy. Ellenkező esetben egy magasabb hőmérsékleten hőegyensúly áll be.

• félvezető eszköz
• disszipációs teljesítmény

Azon térrész hőmérséklete, mely a hűtendő eszközhöz már nem tartozik közvetlenül, ellentétben pl. a hűtő-felülettel, azonban elegendően közel van ezen elemhez, úgy hogy az elemen keletkező disszipációs teljesítményt fel tudja venni. Ha az elem pl. egy műszer vagy más elektronikus készülék belsejében foglal helyet, környezeti hőmérsékleten nem a szobahőmérséklet, hanem a műszer belsejében uralkodó hőmérséklet értendő. mely általában magasabb a szobahőmérsékletnél.

• disszipációs teljesítmény

Félvezető eszközök kristályanyagának hőmérséklete, mely a működés közben keletkező disszipációs teljesítmény következtében magasabb, mint a környezeti hőmérséklet. A disszipációs teljesítmény elsősorban a pn-átmenetek környékén keletkezik, ezért viszonylag nagy kiterjedésű kristály esetén a kristály különböző pontjai más-más hőmérsékletűek lehetnek. Ekkor kristályhőmérsékleten a kristály azon területének hőmérséklete értendő, ahol a disszipációs teljesítmény kiválása miatt a legmagasabb a hőmérséklet. A kristályhőmérséklet növekedése bizonyos határon túl a félvezető eszközt működésképtelenné teszi. Germánium kristály esetén ez kb. 90 °C, szilícium esetén 150...200 °C.

• germánium kristály
• szilícium

Áramkör vagy készülék, valamely elektromos jellemző állandó értéken tartására. Leggyakoribb fajtája a fészültségstabilizátor, amely egyen- vagy váltakozó feszültség stabilizálását végzi. A váltakozóáramú feszültség stabilizátor mágneses anyagok telítési tulajdonságát felhasználva ( mágnesezési görbe) biztosítja az állandó kimenő váltakozó feszültséget. Az egyenáramú feszültségstabilizátor- bemenetére stabilizálatlan egyenfeszültséget kapcsolva, a kimenetén stabilizált egyenfeszültség jelenik meg. A bemenet és a kimenet között egy áteresztő -- tranzisztor vagy elektroncső található, melyet a stabilizátor elektronikája vezérel, oly módon, hogy ezen tranzisztoron eső feszültség változtatásával a kimenő egyenfeszültség állandó maradjon akkor is, ha a bemeneten változik a feszültség. Az áteresztő tranzisztoros megoldás hátránya, hogy a tranzisztoron jelentős - disszipációs teljesítmény keletkezik, aminek elvezetése egyrészt esetleg problémát okoz, másrészt rontja a hatásfokot. Az impulzusüzemű feszültségstabilizátor minimális disszipációs teljesítmény mellett jó hatásfokkal működik, s adott bemenő feszültség mellett a kimeneten különböző feszültségek állíthatók be. Hátránya a bonyolultabb felépítés és a nagy mennyiségű zavaró jel kisugárzása.
Az áramstabilizátor gyakorlatilag egyenáramot stabilizáló áramkör; tipikus alkalmazása a félvezető alapú integrált áramkörök bizonyos típusaiban található áramgenerátor áramának stabilizálása.

• mágnesezési görbe
• integrált áramkör
• elektroncső

Olyan tranzisztor, amelynek megengedett disszipációs teljesítménye viszonylag nagy (kb. 1 W-nál nagyobb). A disszipációs határok kW nagyságig terjedhetnek; az áramhatárok néhány száz A-ig terjedhetnek; a feszültséghatár jelenleg mintegy 1500 V. Készülhet germániumból és szilíciumból. Germánium teljesítménytranzisztorok szinte kizárólag - ötvözött tranzisztorok, jelentőségük egyre csökken. A szilícium teljesítménytranzisztorok a legkülönfélébb technológiával készülhetnek, ezek között azonban az ötvözéses tranzisztorok jelentősége nem nagy. A diffúziós technikával készült szilícium teljesítménytranzisztorok egyszeresen vagy háromszorosan diffundáltatottak. Előbbiek kis feszültségű, kis határfrekvenciájú, és olcsó típusok. Utóbbiak igen nagy feszültségűek lehetnek, határfrekvenciájuk is magasabb, de drágábbak és második letörésre hajlamosabbak. Szilícium teljesítménytranzisztorok készülnek planáris-epitaxiális tranzisztorként is.

• tranzisztor
• disszipációs teljesítmény
• germánium
• szilícium
• diffúziós technika

Diódák, tranzisztorok, integrált áramkörök, tirisztorok, egyéb félvezető eszközök külső házának hőmérséklete. A disszipációs teljesítmény miatt mindig magasabb a környezeti hőmérsékletnél, de alacsonyabb a kristályhőmérsékletnél.

• dióda
• tranzisztor
• integrált áramkör
• tirisztor
• kristályhőmérséklet