Fórum témák
» Több friss téma |
Fórum » MOSFET-ek
Sziasztok!
Tudna valaki nekem olyan típusú MOSFET-et mondani, ami tud 500-1000mA közötti áramot és TO-92-es, vagy hasonló tokozású? SMD nem jó, mindenképpen furat szerelt és itthon kapható típus legyen.
Szia!
Sejtem, mire kell, így gondolom, P-csatornásat keresel. Én nem találtam értelmes típust, csak az "ágyúra verébbel" TO220-as tokos IRF-eket. Esetleg még az IRFD9014 vagy IRFD9110 jöhet szóba, amik DIP4-es tokozásúak, illetve lehet keresni IRFU-kat, amik 3 lábú IPAK tokozásban vannak. Ha valami jó típust találnál, akkor annak én is örülnék!
Köszönöm a válaszodat. Sajnos én is jó ideje vadászok ilyen típusra, ezért is kérdezősködtem errefelé.
Igen P csatornásat keresnék.
Találtam egy típust ami TO-92 tokozású, igaz csak 430mA tud, de talán érdemes lenne vele foglalkozni. Bővebben: Link
Egy gond van vele, hogy valószínűleg nem kapható itthon
Sziasztok!
Tudom ajánlani ezt az oldalt. Itt megadhatod, hogy milyen paraméterű FET-et szeretnél, válaszul pedig megkapod a számodra alkalmas típusokat.
Nekem olyan problémám van, hogy van egy zacskónyi SMD FET-em, amelyekkel több amper erősséggű áramot akarok kapcsolgatni 100kHz körüli frekvencián. Az lenne a kérdésem, hogy miként tudnám megoldani a hűtésüket.
Gondoltam már arra, hogy egy kis méretű nyák lapra forrasztom a FET-eket, belerakom egy befőttesüvegbe amit aztán megtöltök trafóolajjal, de valami száraz megoldás jobban tetszene.
több A-hez nem fog kelleni komoly hűtés kapcsolóüzemben. De egy kapcsolási rajz és típus sokat pontosítana.
Valóban nemigen kell kapcsoló üzemben komoly hűtés, de ha mégis kell, akkor azt leginkább úgy szokták megoldani, hogy egy alulapot vagy bordát a tokozás felől rányomnak a FET-ekre, valamint a hordozó NYÁK-hoz rögzítik, mondjuk csavarozással. A FET-ek felületét be lehet kenni hővezető pasztával, és persze ha a bordának több FET-et is hűtenie kell, akkor feltétel a pontos beültetés, hogy a tokok felszíne egy síkban legyen.
Köszönöm a tippet!
A FET-jeim tipusa Nikos P45N02LD, az adatlapja szerint 45A-es.
És mennyi az a néhány A? Mert a P45N egymagában elegendő ilyen igénybevételre. Csatornaellenállás minimális, a meghajtás jóságán fog múlni döntően a disszipáció. A P45N relatív nagyobb gate kapacitását kell tölteni-kisütni, erősen javallható, hogy ne egy CMOS kimenet legyen a meghajtás, hanem arra tegyél rá vagy egy NPN-PNP buffert (E, B páronként összekötve, egyik C táp, másik C föld, E-k a kimenet), vagy valami direkt FET-meghajtót.
Sziasztok!
Adott egy IR2104 fet meghajtó + IRFZ48N. Honnan tudom kideríteni, hogy ez a fet meghajtó képes e meghajtani ezt a fetet? Illetve, hogyan állítja elő a felső oldali N csatornás fet működéséhez szükséges feszt? Mekkora értékü Boost kondi kell? Remélem a problémám nem csak engem érdekel és mást is segít a kérdés felvetése....
Képes meghajtani. A felső FET működését úgynevezett "lebegő kapu"-val képes elintézni, ha megnézed a blokkdiagrammot, akkor a kimenetre csatlakozó Source-hoz képest kerül eltolásra a vezérlés, amihez a VB-VS közötti kapacitás fogja szolgáltatni a töltést. A kondi feltöltődik, mikor a kimenet földpotenciál közelében van (alsó FET nyit), majd a (FET zárásával) kimenet elindul felfelé és vele a VB láb is, a kondenzátor a dióda miatt nem képes a Vcc felé kisülni, vagyis szépen úszik a kimenettel felfelé, miközben a kondiban tárolt energia elegendő a felső FET nyitásához. Értéke 1-2µF--néhánytíz µF lehet maximum, a működési frekvencia (fel kell tölteni annyi idő alatt, amíg az alsó FET nyitva van!) és az alkalmazott FET határozza meg.
Válaszodat köszönőm.
Ezt idáig értem. De még mindig nem tudom, hogy mely paraméterek határozzák meg, hogy egy adott Fet meghajtó milyen paraméterrel rendelkező Fetet tud meghajtani...
2SK2605 néven kerested? Hqvideo-ban van: Link Próbáltam helyettesítőt találni, de elég spéci tipusnak tűnik a paraméterei alapján. Mibe akarod használni? Lehet, hogy egyes paraméterei nem annyira lényegesek, akkor talán lehetne valami helyettesítőt mondani rá. Bár szerintem bruttó 413Ft-ért nem érdemes másikkal kisérletezni...
Meg kéne nézni a TV kapcsolási rajztát is, hogy milyen rendszerű táp ez. Lehet, hogy nem véletlenül van a 800V-os fet benne, de lehet, hogy egy IRF840 is jó lenne helyette...
Köszi de megrendelem csak nem találtam a k2605 néven ami rá van írva.
Hali!
Vonalszintű jellel szeretnék FET segítségével kapcsolni egy párszáz mA-ű tápot, méghozzá egy mikrofon előerősítő kimenetével. A FET IRL540N lenne, gondolom azért IRL mert Logikai vezérlésű, tehát a Gate-Source áram nagyságától függetlenül, kapcsol a Drain-Source rész, vagyis mindig ugyanannyi áram folyik át a Drain-Source-n keresztül ha jelet kap a Gate. Jól gondolom?
A mosfetnél sosem folyik áram a gate-source között. A logikai azt jelenti, hogy alacsony gate-source feszültséggel már bekapcsolható.
Üdv!
Nagyon sokat kerestem, guglival is, nem jutottam sok mindenre... Keresek olyan kisjelű mosfeteket, ráadásul komplementereket, amik legalább 80V / 200mA / 0,5W -ot tudnak. Tud valaki ilyen tranzisztorokat?
Azt nem úgy számolják. 0,5W nem az a teljesítmény, amit a megengedett feszültség és áram szorzataként kapunk, hanem az a tokon adott feltételek mellett megengedhető disszipáció.
Mind két állítás igaz! És akkor ebből mi következik?
Köszi, de ez teljesítmény fet, én ilyesmit keresek: BSS92.
Még a 150 mA is megfelelne. Csupa fet végfokot akarok csinálni és a dupla differenciálerősítőjű bemenő körébe, meg a meghajtó részbe kellene. Csak nem találok ilyesmit komplementer párban. Néztem a dual komplementer mosfeteket is, azok csak max. 60V ra kaphatók azokban a webáruházakban, amiket megtaláltam, nekem meg +/-33V a tápom.
Az, hogy ezek határadatok, amiket nem léphetsz túl.
Van egy tranyónk, 40V, 200mA, 500mW terhelhetőséggel. Pl. 1V-nál 500mA áram folyhatna, így lenne meg az 500mW. De ezt nem bírná ki a tranyó, mert max. 200mA árammal terhelhető. Vagy pl. 4V -nál 200mA -es max. átfolyó áramot engedélyezve még nem léped túl a max. áramot, de a teljesítmény a tranzisztoron már 800mW, amit nem bír ki. Tehát a megadott adatok határadatok, egyiket sem lépheted túl.
Igen, de közepes teljesítményű FET.
A meghajtó részbe tökéletes, számos példát találhatsz a neten erre! A 0,5W os FET 200-300 mW-tal terhelhető normál körülmények között ez azt jelenti, hogy +/- 45V-nál max 5-6 mA lehet a nyugalmi áram, ez nem túl sok, ha a vég FET-ek bemenő kapacitásit is figyelembe vesszük. A differenciálerősítő részbe, pedig lehet elég a kisebb feszültségű is, amit könyebben találsz. De Te tudod...
Látom nem értetted miről szólt a hozzászólásom, igaz nem is Neked szólt.
De azért köszönöm a fáradozásodat!
A példában nem azt írtam, hogy 4V a tápfesz, hanem azt, hogy 4V a feszültség a feten, és folyik rajta a 200 mA.
A fet nem csak kapcsolóelemként használható. |
Bejelentkezés
Hirdetés |