Két szembe kapcsolt Shottky-diódával felépített tranzisztor, melyeknek fémelektródája közös, és ennek két oldalán találhatók az emitterként, ill. kollektorként működő félvezető rétegek. Az egyik, emitterként szolgáló Schottky-dióda nyitóirányban van előfeszítve, a másik záróirányban, ez a kollektor. Az emitterből a bázisként szolgáló közös fémrétegbe "forró" elektronok lépnek be. Ha a fémréteg elég vékony (,100...1000 A nagyságrendű), akkor az elektronok, mielőtt "lehűlnének", azaz elveszítenék többletenergiájukat, a kollektorhoz jutnak, és ott leküzdve a fém félvezető határfelületén fellépő potenciálgátat, a kollektorba lépnek. Tehát - a tranzisztorhoz hasonlóan - a záróirányú dióda áramát nyitóirányú diódaárammal lehet vezérelni. Az igen vékony bázisréteg miatt határfrekvenciája elméletileg sokkal nagyobb lehet, mint a közönséges bipoláris tranzisztoré. A fémbázisú tranzisztor áramerősítése jelenleg még igen kicsi, technológiája igen nehéz, ezért gyakorlati jelentősége egyelőre nincs.
Lásd még:
