Planár félvezető eszközök gyártásakor alkalmazott technológiai művelet, amelylyel a szilícium-hordozó felületén 0,3...1 m vastag szilícium-dioxid (SiO2) réteget képeznek ki. Ezt a réteget ?védő-oxidrétegnek" nevezik, mert a következő diffúziós műveletek folyamán meggátolja az adalékanyag behatolását a szilíciumba. A diffúzió csak a védő oxidréteg fotolitográfiai marással előállított ablakain keresztül (planár technika) mehet végbe. Az oxidálást rendszerint 1000... 1200°C-on, vízgőzös atmoszférában végzik; ezen a termikus oxidáláson kívül még szerves szilíciumvegyületek (pl. tetra-etoxiszilán) pirolitikus bontásával is lehet védő-oxidréteget előállítani.
Lásd még:
