Az IC 1-8 lábán levő dióda a felső FET-meghajtó számára tölti fel C_b 1µF/25V-os kondenzátort úgy, hogy mikor az alsó oldali FET nyitva van, a C_b negatív lábát 0-ra zárja, így az IC 15V-os tápjából az ES1J diódán keresztül fel tud töltődni. A dióda helyett jó bármilyen más dióda, ami tud legalább 600V-ot és eléggé gyors (jelen esetben 35ns).

A rezonáns kondenzátorokkal párhuzamosan elhelyezett diódák szerepe, hogy nagy terhelésnél ne engedjék a kondenzátorok feszültségét a táp 320V-ja fölé. Ebből adódóan a kondenzátorok legalább 400V-osak legyenek. Célszerűbb minél jobb minőségű kondenzátorokat használni, MKS-t vagy a jobb MKP-kondenzátorokat! 

Az IRF730-as FET, a bekapcsolás pillanatában egy áteresztő FET-ként viselkedik. Addig van nyitva, míg a vezérlés tápfeszültsége meg nem haladja a 12V-ot. Ha a tápegység beindul, utána már saját magát látja el tápfeszültséggel az 1N4148-ason és a 68 ohm-os ellenálláson keresztül.

A kapcsoló FET-eket kiválthatjuk erősebb típusokkal, sőt, akár nagyáramú IGBT-kkel is. IGBT-k esetén lehetséges, hogy ki kell egészítenünk a kapcsolást 1-1 további diódával, ugyanis nem mindegyik IGBT tartalmaz a C-E között antiparalell diódát!
A FET-eken, illetve IGBT-ken akkor lesz minimális a hőveszteség, ha:

• a gyors nyitásukról és zárásukról gondoskodunk, és alacsony Gate töltésű FET-eket, illetve IGBT-ket használunk
• ezeknek a csatorna-ellenállása, valamint maradékfeszültsége minél kisebb.

A kimenetre mindenképpen szerezzünk be LOW-ESR pufferkondenzátorokat, ugyanis a nagyfrekvenciás áramok egy normál kondenzátorban jelentős disszipációt okozhatnak, ami a kondenzátor tönkremeneteléhez vezethet.
A LOW-ESR kondenzátorok kialakításának köszönhetően a fegyverzeteikhez vezető lábak alacsony ellenállásúak és induktivításúak, ami még nagyfrekvenciás áramoknál sem okoz gondot.
Az egyenirányító diódákra mindenképpen, a FET-ekre pedig 150W felett tegyünk hűtőlapot. Természetesen használjunk csillám szigetelőlapkákat mindegyik alaktrésznél.