Kár, hogy ez a védelem így az esetek 90%-ban gerjedni fog áramhatároláskor…

80%-nál ilyen (lásd a csatolt képen), 90%-nál már tizedszázalékos, felette meredeken emelkedik. Zenehallgatáshoz nem feltétlenül kell maximális kivezérléssel használni , hangosítós célra meg teljesen kivezérelve is kiváló lenne. Persze ez csak egy modell, amiben nem pontosan olyanok az alkatrészek, mint ami bele lett tervezve, illetve ami kellene bele.

Azért még el tudom érni a 0,04%-ot. ( 2 x 43V táp és 80Vp-p jön ki belőle. ) De ez még nagyon messze van Brunó eredményeitől. A hangosítás meg sosem érdekelt.

Ugyan az unity coupled V-FET SE kapcsolása még a kisérletezés fázisában van, de egy lehetséges elrendezési tervem azért már van
TJ.

Az unity coupled V-FET SE következő verziója már egy komolyabb kimeneti eszközt használ, ez az Exicon cég ECW20P20 teljesítmény MOSFET tipusa. Ennek az eddigieknél lényegesen nagyobb a meredeksége, így a source körében már a vezérlő jel 95%-a megjelenik. :smile53:
Ez azért fontos, mert a bemeneti paramétereket (impedancia, kapacítások) részben ez az érték határozza meg, mivel a source körét followernek is tekinthetjük.
A másik változtatás, hogy a bemeneti 2SK79 V-FET kapott egy kék LED-et, amelynél lehetséges az átfolyatott többletáram segítségével a THD finombeállítása. Ez az áramváltoztatás V-FET source potenciálját néhány tized volttal tudja tologatni, így THD minimum jól beállítható (1kHz/1W/8R/0,05%).
TJ.

Sikerült beszerezni a teljesítmény MOSFET-ket leszorító aluminium síneket, talán így időtálló lesz a mechanikai kivitelezés, és a hőátadási képesség is
TJ.

Újabb elrendezési terv az Unity Coupled V-FET SE-hez, a két fojtótekercs majd a doboz belsejében lesz.
TJ.

Remélem nem veszed okoskodásnak... Nem tudom a két kondér szimmetrikus tápba van e, de az a kettő amelyik bordához közelebb van előbb fog öregedni a másik kettőhöz képest. Persze kérdés, hogy a borda milyen meleg üzemelés alatt?

Jelenleg az ötletelés fázisában járok, ezért semmi sem végleges
A nagyméretű hűtőborda szerintem olyan nagyon nem lesz forró, de ezek a kondik amúgy is kint vannak a doboz tetején. Mi van azokkal az erősítőkkel, ahol a dobozon belül vannak az elektrolit kondenzátorok?
Ott szerintem mindig melegebb van, mint ezeknek itt kivül...
TJ.

Ez egy olyan verzió, ahol a pufferkondik nincsenek a hűtőborda közelében, viszont a vezetékezés már nem annyira ideális.
TJ.

Az élet is konstruálja a fejlesztés alatt lévő erősítőt, mivel sikerült venni még egy ugyanolyan hálózati transzformátort.
Dual monó rulez
TJ.

Rulez!

Hát még ha a paneltől is elszigetelnéd... Meg egy dobozban két önálló egységként építenéd...
Mondom én, aki ilyet nem is tud tervezni.

Nyított kaput döngetsz, két teljesen szeparált erősìtő van a fotón, ez lenne a "dual monó kivitel"
TJ.

Tápegység.

A borda közös marad?

Igen, de szerintem az egymástól 20cm-re lévő MOSFET-eknél nem lesz nagy áthallás.
TJ.

Felkerültek a forrlécek az alusínre, az alkatrészek majd szépen elférnek a 8 (nyolc) forrasztási ponton
TJ.

Mi tartja a helyén a forrlécet? A kép alapján nem látom ezt a részletet.

Te tudod, de ez így nálam ez nem igazi duál-monó, mivel a borda miatt, mivel közös, nincs csatornánkénti külön földcsillagpont. És az is érdekes kérdés, hogy a bordát, mivel szép nagy, hol földeled majd le?

A forrlécet a leszorító aluminiumsín élébe fúrt lyukaknál rőgzítettem., ez egy 4 forrasztásifül + 1 földeléses tipus.
TJ.

Mivel ez egy tápfeszültséggel működő erősítő, így a csillagpontot a hűtőborda közepére teszem, és oda lesz a két különálló erősítő földje lekötve....tökéletes lesz a csatornák szeparációja.
TJ.

Ha Te mondod...
A válaszod azért köszönöm!
ME

Köszönöm, ez a részlet nem látszódott.

Korábban írtam, hogy a laterális MOSFET-ek mellett kiprobálnám a V-MOSFET-ket is, ezeket annakidején Toshiba és a Hitachi fejlesztette ki (a '80-as évektől voltak használatban).
A Toshibának a gate nyitófeszültsége valamivel a laterálisok MOSFET-ek felett van, a Hitachinak pedig a legmagasabb értékű (3-3,5v körüli).
Ezek a V-MOSFET-ek valamivel kisebb belső kapacításokkal rendelkeznek, és lényegesen gyorsabbak is a laterális versenytársaiknál
A Toshiba 2SJ92-vel kezdtem, kicsit kellett emelnem nyítófeszültségen, de az optimális munkapontban (1A körül) sajnos magasabb THD-t tudott.
A Hitachi 2SK119 már 4 volt feletti gate feszültséget kért, viszont 0,65A beállításnál tudta a minimális 1 wattos THD-t produkálni. Ez nagyon pozitív hír, mivel az "A" osztályú munkapont miatti hőterhelés így lényegesen alacsonyabb lett (most csatornánként kb. 40W)
Per pillanat - műszaki mérések alapján - kimeneti eszközként a V-MOS FET nyerő húzás.
TJ.

Ezt a legutolsó verziót a Hitachi 2SJ119 V-MOS-al a kimenetén megmértem:
1kHz/1W/8R= 0,06% THD (FFT fotó)
1kHz/10W/8R= 0,65% THD (FFT fotó)
Frekvenciamenet: 1W/8R= 15Hz-70kHz -1/-3dB
10W/8R= 40Hz-60kHz -1/3dB
TJ.

A no NFB kapcsolástechnikával ismerkedő, szakmabeliek számára készìtett mérés - a zenehallgatáshoz semmi köze.
20kHz/1W/8R (FFT fotó)
TJ

A minimál konfigurációs, no NFB-s feszültségerősítő fokozatot használó erősítőknek is megvannak a maguk nehézségei, titkai. Ki kell keresni a két aktív eszköznek az adott paraméterek melletti optimális munkapontját, ezeket egymáshoz "illeszteni", hogy azok eredője minél kisebb torzítást eredményezzen.
Aztán ott van az SE kimenőtranszformátor, a maga sajátságos tulajdonságaíval (a légrés, és az ebből következő alacsonyfrekvenciás problémák), ami az előző két aktìv eszköz működését szintén befolyásolja.
Elég ha azt megemlítem, hogy a bemeneti 2SK79 munkaellenállása a 2SJ119 source körében lévő tekercs impedanciájától fűgg elsősorban, mivel azt ez a tekercsrész húzza utána (bootstrap).
Az unity coupled elve is csak addig működik jól, amíg a megosztott primer tekercs alacsonyfrekvenciás impedanciája elegendő az ellencsatoláshoz. De közben a primer tekercsen átfolyó DC áram sem lehet nagyobb mint amit a kimenő konstrukciója elvisel - a nagyobb DC áramnál szépen "összeomlik" a kimenőtranszformátoron lévő jelalak.
Szóval egy nem egyszerű mutatvány ennek a 7 alkatrészből álló erősìtőnek a megtervezése...és még most nincs vége
TJ.

" SE kimenőtranszformátor, a maga sajátságos tulajdonságaíval (a légrés, és az ebből következő alacsonyfrekvenciás problémák "

Mi köze van a légrésnek, az alacsonyfrekvenciás problémákhoz?