váltakozóáramú erősítő adalékolás. Tiszta - félvezető egykristályba igen kis mennyiségű speciális anyag bevitele, mely a kristály elektromos tulajdonságait befolyásolja a kívánt módon és mértékben. Az elemi félvezetők (-- germánium, - szilícium) a periódusrendszer negyedik oszlopában találhatók. AC-erősítő céljára az ezzel szomszédos, tehát a harmadik vagy ötödik oszlopban található elemek alkalmasak. Az ötödik oszlop elemei (foszfor, arzén, antimon) a kristályban a tiszta kristályhoz képest lényegesen több szabad, áramvezetésre alkalmas elektront keltenek. Ezek az anyagok a - donorok, a kristály ekkor donorszennyezett vagy n-típusú lesz. A harmadik oszlop elemei (bór, alumínium, gallium, indium) a kristályban elektronhiányt, lyukakat hoznak létre, melyek bizonyos körülmények között pozitív töltésű részecskeként viselkednek. Ezek az atomok az akceptor atomok, a kristály ekkor - akceptorszennyezett vagy p-típusú.

• félvezető
• germánium
• szilícium
• donorok
• akceptor

Általánosságban a felület bevonása alumíniummal. Legfontosabb alkalmazásai a híradástechnikában:

a) Elektroncsövek lemezalkatrészei nagyrészt alumíniummal bevont (alumíniummal "plattírozott") 0,15...0,3 mm vastag vaslemezből készülnek. A szivattyúzás folyamán a fényes aluminizált felület sötétszürke, jól sugárzó felületté alakul át és emellett getterahatásával (getter) hozzájárul a gáztalanításhoz.

b) Elektronsugárcsövek és tv-képcsövek ernyőjén levő fényporrétegre vákuumpárologtatással alumínium réteget visznek fel. Ez a réteg az ernyőt a becsapódó negatív ionok ellen védi; továbbá kifelé reflektálja a fényt, ily módon a fényhasznosítást javítja és csökkenti az ernyő
többi részének zavaró megvilágítását. Ezen kívül levezeti az ernyőről a negatív töltést és így megakadályozza az ernyő helyi feltöltődését.

c) Félvezető eszközöknél maszkolt vákuumpárologtatással alumínium csíkokat képeznek ki, az egyes elemek közötti elektromos vezető összeköttetés céljából.

• getter
• vákuumpárologtatás

Egyik elemünk, melynek rendszáma 79, atomsúlya 197. Az elektronikában olyan helyen használják, ahol fontos a korróziómentes, tartós érintkezés, pl. jelfogóknál. Használják egyes félvezető diódák gyártásához is.

Aranyatomok diffundáltatása félvezető anyagba. A kristályba beépült aranyatomok csökkentik a kisebbségi töltéshordozók élettartamát. Mivel á félvezető eszközök kapcsolási idejét nagymértékben nneghatározza a kisebbségi töltéshordozók élettartama, ezért az aranydiffúzió segítségével jelentősen növelhető az eszköz. (dióda, tranzisztor) kapcsolási gyorsasága. Az aranykoncentráció növelése a kapcsolási idők csökkenését eredményezi. Határt szab ennek azonban az, hogy az aranykoncentráció nem érheti el a félvezető anyagban levő donor vagy akceptor szennyezésének koncentrációját, mert ekkor az eszköz működésképtelen lesz.

• félvezető
• akceptor
• dióda
• tranzisztor

(AFC=Automatic Frequency Control). Televízió és rádióvevőkészülékek oszcillátorfrekvenciájának önműködő finomhangolása. Megkönnyíti a készülék állomásra hangolását, mert a finomhangolást nem kell kézzel elvégezni és csökkenti az oszcillátorfrekvenciának a külső tényezők (melegedés, nedvesség, tápfeszültség-változás) hatására bekövetkező esetleges vándorlását. A kapcsolás két lényeges eleme a diszkriminátor és a változtatható reaktancia. A diszkriminátor a vevőkészülék pillanatnyi középfrekvenciáját hasonlítja annak helyes értékével és a frekvenciaeltérés függvényében (előjel helyesen) egyenfeszültséget szolgáltat. Az oszcillátorkörben levő változtatható reaktancia értékét a diszkriminátor szolgáltatta feszültség szabályozza. Diszkriminátorként a frekvenciamodulációs vételtechnikában ismertek használatosak. Változtatható reaktanciaként régebben reaktanciacsövet (mint változtatható induktivitást), valamint vasmagos tekercset (amelynek induktivitását előmágnesezéssel változtatták) használtak. Volt olyan megoldás is, amikor egy kondenzátort diódán keresztül kapcsoltak párhuzamosan az oszcillátorkörrel és a dióda áramáteresztő idejét változtatták az egyenfeszültséggel, tehát tulajdonképpen a folyási szöget és ezáltal a kapacitás értékét. A félvezetőtechnika elterjedése óta változtatható reaktanciaként záróirányban kapcsolt félvezető dióda használatos, amelynek kapacitása egyenfeszültséggel szabályozható.

• diszkriminátor
• reaktanciacső
• folyási szög

Regiszterekben a bejövő információ számjegyeit fogadó kapcsolás. Impulzusüzemű jelzésmód esetén általában jelfogókkal vagy félvezető kapcsolóeszközökkel felépített számláló- vagy léptetőregiszter. Általában egyetlen számjegy fogadására képes; a rögzített számjegynek megfelelő információt a számjegyek közti szünetben tárolókba töltik át, melyek egyszerűbb felépítésű, olcsóbb kapcsolások, mint a számlálók. A nullázás után kész a következő számjegy fogadására.

• regiszterek
• tárolók

Tulajdonképpen félvezető anyag, melyre az integrált áramkört készítik, de magát az IC-t is nevezik gyakran chip-nek. a félvezető anyagra különféle eljárásokkal viszik fel az alkotóelemeket, mint ellenállások, kondenzátorok, diódák, tranzisztorok, tekercsek, stb.

Kapcsoló, amelyet Dudley és Buck amerikai fizikusok fejlesztettek ki. A cryotron azon az elven működik, hogy ha egy egyenes huzaldarabot a tekercs belsejében elhelyezünk, és Iétrehozzuk a szupravezetés állapotát, igen kis feszültség képes a huzaldarabon keresztül az állandó áramot fenntartani. A szupravezető állapot függ a hőmérséklettől (le kell hűteni a szupravezetési hőmérsékletig) és a mágneses tértől. Így a tekercsben folyó áramot megváltoztatva, a huzal szupravezető állapotából normális (ellenállásos) állapotába billenthető át. A cryotront elektronikus számítógépekben memoria- és kapcsolóelemként lehet használni, de a hűtőberendezés helyigénye és a súlya miatt az egyéb (pl. mágneses vagy félvezető alapú) elemekkel nem versenyképes.

(channel-effekt). Tranzisztorokban lép fel, ha az emitter és kollektor között a félvezető kristály felületén ohmos kontaktust teremtő csatorna keletkezik. Oka lehet kívülről rárakodott szennyezés vagy a felületen növesztett rossz minőségű oxidréteg (planár tranzisztor). Kisebb csatorna kialakulása esetén romlik az áramerősítési tényező és nő a záróáram (pn-átmenet). Nagyobb csatorna a tranzisztort működésképtelenné teheti.

• tranzisztor
• planár tranzisztor
• pn-átmenet

(peakdetektor). Olyan detektor, amelynek kimenetén a jel csúcsértékével arányos egyenáramú jel jelenik meg. A csúcsdetektor rendszerint a jel periódusidejéhez képest nagy időállandójú RC áramkört és egy vagy több dióda elektroncsövet vagy félvezető diódát tartalmaz.

• elektroncső
• dióda

• elfajult félvezető

(permittivitás). Szigetelő- és félvezető anyagokra, ill. az üres térre jellemző mennyiség. Ha a térben elektromos töltéseket halmozunk fel, a pozitív és negatív töltések között elektromos térerősség jön létre, amelynek nagysága függ a töltéseket körülvevő, a teret kitöltő anyagtól. A tér anyaggal való kitöltése után a térerősség általában csökken. Hogy hányad részére, azt a relatív dielektromos állandó e_r néhány anyagra a következő:


Az abszolút dielektromos állandó a relatív dielektromos állandó és egy e₀ tényező szorzata (e₀ =e₀e_r), amelynek értéke a mértékegység-rendszer választásától függ. Vákuum
ban a relatív - értéke 1, e₀ tehát a vákuum abszolút -ja. Így választva, végtelen kiterjedésű, egységnyi távolságban vákuumban levő síkok egységnyi felületén egységnyi töltést elhelyezve a két sík között a térerősség egységnyi. Az MKSA mértékegység-rendszerben
e₀ = 8,86 - 10^-12 As/Vm.

Más értelmezés szerint a relatív dielektromos állandó azt mutatja meg, hányszorosára nő egy kondenzátor kapacitása, ha a fegyverzetei közötti teret vákuum helyett a vizsgált dielektrikummal töltjük ki.

Egy anyag dielektromos állandójának kondenzátoroknál van szerepe, mert ez határozza meg, hogy az anyag mekkora kapacitás növekedést okoz a levegőhöz képest, melyet egységként tekintenek. Vannak anyagok, melyek dielektromos állandója változik a frekvenciával, növekvő frekvenciánál pl. csökken. Példák: epoxi műgyanta 3,7-3,4, papír 3,3-2,8, polietilén 2,3, porcelán 5,4-5,0.

Félvezető alapú monolit integrált áramkörökben használt ellenállás, amely általában az áramkör tranzisztorainak bázisával együtt készül, többnyire - akceptoratomok diffundáltatásával. Mivel ekkor a négyzetes ellenállás 200 W körüli érték, ezért problémát jelent a túl kicsi vagy túl nagy ellenállásérték megvalósítása. Gyakorlatilag így néhány száz ohmtól kb. tíz kiloohmig terjed a diffundált ellenállások értéke.

• ellenállás
• tranzisztor
• négyzetes ellenállás

Kis anyagi részecskék (atomok, molekulák, elektronok stb.) áramlása, melyet az illető részecskék helytől függően változó koncentrációja okoz. Az áramlás mindig a nagyobb koncentrációjú helyről a kisebb koncentrációjú hely felé történik. Az áramlás nagysága, intenzitása arányos az egységnyi hosszra eső koncentrációváltozással. Az arányossági tényező a diffúziós állandó, amely erősen függ a hőmérséklettől. A diffúzió jelentős szerepet játszik a félvezető eszközök gyártástechnológiájában. Az adalékanyagokat a félvezető kristályba nagyon gyakran diffúzió segítségével viszik be. A töltéshordozók diffúziója jelentős szerepet játszik a félvezető eszközök működésében.

• félvezető eszköz
• diffúziós állandó

Adalékanyagok diffúziójával készült pn-átmenet. Pl. n-típusú, azaz donorszennyezésű kristályból kiindulva (állandó szennyezéskoncentrációt feltételezve); a felületről p-típusú szennyezést diffundáltatva, az akceptor atomok koncentrációja a felülettől befelé haladva csökken. Ha akceptor és donor atomok egyidejűleg vannak jelen, az effektív adalékanyag-koncentráció a kettő különbsége lesz. Ha a felületen az akceptorkoncentráció nagyobb, mint a donorkoncentráció, akkor a félvezető a felület közelében p-típusú lesz. Ahol az akceptorkoncentráció lecsökken a donorkoncentráció értékére, ott lesz a pn-átmenet. Beljebb az anyag n-típusú marad. A pn-átmenet környékén az effektív szennyezéskoncentráció jó közelítéssel lineáris függvénye a távolságnak.

• diffúzió
• pn-átmenet

Elektroncső, vagy félvezető, amely az áramot csak egyik irányban engedi át. Számos célra használható, leggyakoribb felhasználási területek a rádiófrekvenciás detektálás, azaz a hangfrekvencia leválasztása, hálózati egyenirányítás készülékekhez, keverés.

Nemlineáris eszköz, amely egyik irányban jól vezeti az áramot, másik irányban pedig közelítőleg szakadásként viselkedik. Megvalósítható elektroncsőként, ez a vákuumdióda vagy pn-átmenet segítségével, ez a félvezető dióda. A vákuumdióda egyre inkább előtérbe szorul, mert a félvezető dióda kisebb méretű, nem igényel külön fűtést, hosszabb élettartamú stb. A dióda használható egyenirányításra, demodulációra, kapcsolóként stb.

• elektroncső
• pn-átmenet
• egyenirányítás
• demoduláció

Félvezető diódáknál, amikor az áramot éppen nem vezeti át (egyik irányban), kapacitás jelenik meg. Ezt nagyfrekvenciás áramkörökben figyelembe kell venni. Gyakran éppen ezt hasznosítják és olyan diódákat készítenek, melyek a kapacitásukat változtatják a feszültség hatására, és így változtatható kondenzátort helyettesítenek. (Varaktor-diódák).

A dióda (akár vákuumdióda, akár félvezető dióda) kapacitása. Vákuumdiódánál megkülönböztetik a hidegkapacitást, valamint a felfűtött csövön pozitív anódfeszültségek mellett mérhető melegkapacitást. Ez utóbbi 4/3-szorosa az előbbinek. A félvezető diódának kétféle kapacitása van: az átmeneti kapacitás és a diffúziós kapacitás (diffúziós impedancia).

• dióda
• átmeneti kapacitás
• diffúziós impedancia

Olyan eszköz, amellyel a jel erősségét lehet két pont között korlátozni (limiter). Általában két félvezető diódából áll, párhuzamosan kapcsolva, de ellentétes polaritással. Ha pl. egy szilícium diódánál a lezáráskor max. 0,6 V felszültséget enged át, a korlátozó áramkör minden jelet levág, mely 0,6 V-nál nagyobb. Csak kis amplitúdójú jelekhez használható, mert a nagy amplitúdók levágása torzításokat okozhat.

Kristálytani fogalom. A kristályos anyag szerkezete nem mindig hibátlan, nem minden atom foglalja el az elméletileg meghatározott helyzetet. Minden eltérés az ideális szerkezettől, akár interszticiósan beépült (interszticiós beépülés) atomok "feszítik" a rácsszerkezetet, akár mechanikai hatások torzították azt el. Ilyen mechanikai hatások főleg a kristályosítás vagy utólagos megmunkálások, alakítások során érik a kristályt. A diszlokációk jelenléte zavarokat okoz a kristályból készített félvezető eszközök működésében, elsősorban azért, mert a töltésthordozók élettartamát jelentősen csökkenti.

• interszticiós beépülés
• élettartam

Szilárd anyagban, hőmérsékleti egyensúly állapotában mérhető térerősség. Fémekben általában nem jelentkezik. Félvezető anyagokban, ha a szennyezés sűrűsége vagy a tiltott energiasáv energiaszélessége a hely függvényében változik, drifttér jön létre, amielőjelétől függően - segíti vagy fékezi a szabad töltéshordozók mozgását. Beszélhetünk gyorsító vagy fékező drifttérről. A drifttranzisztorok bázisrétegébe a szennyezést úgy viszik be, hogy annak sűrűsége a kollektor felé folyamatosan csökken. Az így kialakult csökkenti a töltéshordozók - futási idejét, s ezáltal nagyobb áramerősítési tényező és nagyobb - határfrekvencia jön létre.

• hőmérsékleti egyensúly
• térerősség
• félvezető
• tiltott energiasáv
• drifttranzisztor

Olvadékból növesztett egykristályok előállításánál az olvadékban, ill. az abból kikristályosodó egykristályban levő szennyezéskoncentrációk aránya. Általában a kikristályosodó anyagban levő szennyezéskoncentráció lényegesen kisebb az olvadék szennyezéskoncentrációjánál. Egy vagy több olvadt zónát végighúzva így egy egykristályrúdon a szennyezőanyagok a rúd végén koncentrálódnak, tehát a rúd többi része tisztább lesz. Az egyensúlyi megoszlási együtthatónak nagy szerepe van a tiszta félvezető anyagok előállításában.

• félvezető

Folytonos rácsszerkezetű kristály, amelyben az atomok meghatározott geometriai rendben helyezkednek el. Az egykristály elemi kockák (paralelepipedonok) háromdimenziós halmazának tekinthető és meghatározott kristálysíkok mentén könnyen darabolható, hasítható. A félvezető eszközök készítéséhez felhasznált kristályok általában egykristályos szerkezetűek. E kristályok tulajdonságait a kristályrácsba beépített idegen atomok (szennyezett kristály) befolyásolják. A szubsztitúciósan beépült atomok elsősorban az elektromos vezetési tulajdonságokat módosítják, míg az intersztíciósan beépült szennyezők a szabad töltéshordozók élettartamát csökkentik (szubsztitúciós és intersztíciós beépülés). Hasonló hatással vannak a geometriai deformációk formájában jelentkező rácshibák, a diszlokációk is.

• félvezető eszköz
• szennyezett kristály
• diszlokáció
• intersztíciós beépülés

Két fém elektródát tartalmaz, melyek között elektrolit van. Áramvezetésre az elektrolit bomlása következtében az egyik elektródán (anód) oxidréteg keletkezik. Az anód és az elektrolit képezi a kondenzátor fegyverzeteit, az oxidréteg a dielektrikum. A másik elektróda (katód) csupán az áramot vezeti az elektrolithoz. A vékony oxidréteg (10^-6...10^-4cm) miatt a fegyverzetek távolsága igen csekély, ezért kis térfogatban nagy kapacitás valósítható meg. Az oxidréteg fenntartásához állandó egyenfeszültség jelenléte szükséges (pozitív pólus az anódon), amely gyenge áramot, a maradékáramot hozza létre. Ennek értéke nagyságrendileg 10^-6...10^-2 A és nagymértékben függ a kapacitástól, a feszültségtől, valamint a hőmérséklettől. Veszteségi tényezője meglehetősen nagy és erősen hőfokfüggő (tg d=0,1...0,3, 20 °C-on és 50 Hz-en). E tulajdonságai miatt csaknem kizárólag egyenfeszültségű áramkörökben használják, szűrőkondenzátorként. A gyakorlatban főleg az alumínium anódú és ennek megfelelően alumínium-oxid dielektrikumú - terjedt el.
A tantál anódú elektrolitkondenzátor tantál kondenzátor néven ismeretes. Ennek dielektrikuma tantál-pentoxid. Cseppfolyós és szilárd félvezető elektrolittal is készül (száraz tantálkondenzátor). Az alumínium elektrolitkondenzátornál kisebb méretek, kisebb maradékáram és nagyobb megbízhatóság jellemzi, azonban lényegesen drágább annál. Szokásos értéktartomány:

alumínium - 1...100 000 mF

tantál - 0,1...1000mF.

• elektrolit
• kondenzátor

Az elemi részecskék egyike; elektronok képezik az atomban az atommagot körülvevő elektronburkot és meghatározzák annak kémiai tulajdonságait. Mint vezetési elektronok fémekben és félvezetőkben létrehozzák az elektromos áramot. Gázkisülésekben - nagyobb mozgékonyságuk folytán - az elektronok szerepe a kisülés áramában sokkal nagyobb, mint az ionoké. A vákuumban elektromos és mágnesterek által megszabott pályán haladó "szabad" elektront az elektroncsövek, az elektronsugaras megmunkálások, az - elektronmikroszkóp és számos műszer működésének alapja. Ez utóbbi eszközökben az - hullámtermészete jut érvényre, a v sebességgel repülő - hullámhossza l=h/mv, ahol h a Plankállandó.
Félvezető kristályokban az -ok a sávmodell által megszabott energiaszinteken helyezkednek el. Az elektron töltése, az elemi töltés, e= =1,602X 10^-19 As, nyugalmi tömege m= =9,107 X 10^-31 kg. Az anyagban kötött kilépését szabad elektron formájában az anyag felületéről - elektronemissziónak nevezik Az emisszióhoz szükséges munka, a kilépési munka az anyagra, ill. annak felületére jellemző, méréssel meghatározható állandó.

• elektroncsövek
• plankállandó

Elektronok vezérlésén alapuló eszköz; az elektronika, híradás- és műszertechnika, automatika, ipari elektronika egyik legfontosabb aktív eleme. Elektródákból áll, melyek búrában (üveg-, fém- vagy kerámia) helyezkednek el, ez egyúttal védi a külső levegőtől is. Az -ben rendszerint egyetlen katód van, ezenkívül az - rendeltetésétől függően további elektródák, de legalább még egy elektróda. Az egyenirányítócsövek egy vagy két anódot, az erősítő- és keverőcsövek anódot és rendszerint több rácsot, az - elektronsugárcsövek elektronágyút és esetleg eltérítő elektródákat is tartalmaznak. Az adócsövek - amin a magyar nyelvhasználat szerint általában a néhány 100 wattnál nagyobb teljesítményű csöveket értik, függetlenül attól, hogy adási célra használják-e - rendszerint 1-2, esetleg 3 rácsot és anódot tartalmaznak, felső teljesítményhatáruk többszáz kilowatt. Mikrohullámú adás és vétel céljára - klisztronok, - haladóhullámú csövek, hátrálóhullámú csövek használatosak, a rádiólokátorok nagyrészt - magnetofonokkal működnek. Az elektroncsövek további fontosabb fajtái a kijelzőcsövek, hangolásjelzőcsövek, képfelvevő- és képerősítőcsövek, - stabilizátorcsövek, fotocellák, elektronsokszorozók stb. Az elektroncsövek túlnyomó része vákuumcső; a gáztöltésű elektroncsövek rendszerint nemesgázt vagy higanygőzt tartalmaznak. Az elektroncső katódja izzókatód vagy hidegkatód fotokatód; a legelterjedtebb ezek közül az izzókatád. A rádió- és tv-vevőkészülékek csöveit - a vevőcsöveket - a félvezető eszközök erősen háttérbe szorították.

• elektron
• elektronágyú
• kijelzőcsövek
• hangolásjelzőcsövek
• képfelvevőcsövek
• képerősítőcsövek
• stabilizátorcsövek
• fotocellák
• elektronsokszorozók

Az alkalmazott fizika tudományos és technikai szakterülete, amely az elektronok kölcsönhatásán alapuló jelenségek kutatásával, feltárásával, gyakorlati hasznosításával és üzemszerű felhasználásával foglalkozik. Eszközei: elektroncsövek, ioncsövek, félvezetők, mágneses erősítők, továbbá minden olyan készülék és berendezés, amelynek működésében alapvetően megnyilvánul a szabad elektronok vándorlása. Főbb ágazatai az egyes elektromos jelenségek megnyilvánulása, kutatása, ill. alkalmazási területe szerint határozhatók meg.

a) Energiaelektronika: az elektromos energia előállításával, átalakításával és szabályozásával foglalkozó ágazat.

b) Gyengeáramú elektronika: gyengeáramú jelek keltésével, átalakításával, átvitelével és felhasználásával foglalkozó ágazat.

c) Erősáramú elektronika: erősáramú jelek keltésével, átalakításával, átvitelével és felhasználásával foglalkozó ágazat.

d) Bioelektronika: az élő szervezetek élettani megnyilvánulásainak hatására keletkező elektromos jelenségek kutatásával, feltárásával, és hasznosításával foglalkozó ágazat.

e) Híradástechnikai elektronika: hírközlésre vagy információátvitelre, jelformálásra vagy jelátalakításra alkalmas eszközök, készülékek, berendezések, ill. ezek aktív alkatrészeinek kutatásával, alkalmazásával, tömeggyártásával és felhasználásával foglalkozó ágazat.

f) Számítástechnikai elektronika: programozott információt tartalmazó elektromos jelek előállításával, átvitelével, tárolásával és feldolgozásával foglalkozó ágazat.

g) Optoelektronika: a fény hatására keletkező elektromos jelenségek feltárásával és alkalmazásával, továbbá e jelenségek kölcsönhatásán alapuló eszközök, készülékek és betömeggyártásával foglalkozó ágazat.

h) Vezérléstechnikai elektronika: készülékek és berendezések, ill. programozható folyamatok vezérlésével és szabályozásával foglalkozó ágazat.

i) Ipari elektronika: ipari és nagyüzemi készülékek, berendezések vagy technológiai folyamatok vezérlésével és szabályozásával foglalkozó ágazat.

Az elektronika szaktudomány is, amely jelenleg is fejlődik és területe egyre bővül. A már meglevő szakágazatok fejlesztése és kombinációja eredményeként újabb ágazatok jönnek létre. A kutatások ma már kiterjednek a ferromagnetizmus, a szupravezetés, a gerjesztett sugárzás stb. jelenségeire és alkalmazási lehetőségeik feltárására is.

A kapcsolómezőben és a vezérlés egységeiben egyaránt elektronikus kapcsolóelemeket tartalmazó távbeszélőközpont. Az elektronikus központokban fellépő elsődleges probléma a kapcsolómező kialakítása elektronikus elemekkel, mivel a jelenlegi elektronikus kapcsolók vezérlő áramköre nem független galvanikusan a vezérelt áramúttól, és a kapcsoló kontaktusviszonya is sokkal rosszabb az elektromechanikus kapcsolóelemek érintkezőire jellemző értéknél. Az elektronikus kapcsolómezőben alkalmazott kapcsolóelemek: elektroncsövek, gáztöltésű hidegkatódos csövek és újabban négyrétegű félvezető elemek,
vezérelt egyenirányítók. Az elektronikus kapcsolómező jelenlegi nehézségei miatt a kvázi-elektronikus központokban reed-jelfogós kapcsolómezőt alkalmaznak. Az elektronikus központok kapcsolóelemeinek nagy működési sebessége lehetővé teszi az erősen összetett, komplex vezérlési feladatok megoldását, s ezáltal a központ sok olyan szolgáltatásra képes, mely az elektromágneses rendszerű központokban megoldhatatlan lenne. Az elektronikus központokban került előtérbe az időosztásos kapcsolású átviteli utak felhasználása.

• kvázi-elektronikus

Crossbar-központok vezérlése elektronikus kapcsolóelemekkel kialakított vezérlő áramkörökkel. Elsősorban a közös vezérlésű központokban kerül előtérbe, a vezérlés működési idejének csökkentése végett. Az alkalmazott kapcsolóelemek elsősorban félvezető kapcsolóeszközök, ritkán négyszög-hiszterézisű ferritek. Az előnyei: igen gyors működés, az elektromechanikus elemeknél nagyobb üzembiztonság, kis karbantartási igény, kisebb energiaigény. Ugyanakkor az elektromechanikus és az elektronikus kapcsolóelemek együttműködtetése számos problémát vet fel, ezek: eltérő feszültség- és teljesítményszintek, induktív kapcsolóelemek által keltett zavaró impulzusok, érintkezők pergéséből adódó zavaró impulzusok stb. A lassú működésű elektromechanikus kapcsolómező korlátozza a vezérlőegység gyors kapcsolási lehetőségeinek optimális kihasználását; ennek kiküszöbölésére a kapcsológépek működtető mágnesei és a vezérlőegység közé időtranszformátorokat iktatnak. Az elektronikus vezérlés egyik változata a számítógéppel vezérelt központ, mely a kísérleti megvalósítás stádiumában van. Az elektronikus vezérlés előnyeinek teljesebb kihasználására a kvázi-elektronikus központ nyújt lehetőséget.

• Crossbar-központ
• időtranszformátor
• kvázi-elektronikus

(degenerált félvezető). Olyan félvezető kristály, amelyben a szabad elektronok sűrűsége az atomokéval összemérhető és így a hőmérséklet kevéssé befolyásolja a kristály tulajdonságait. Ezzel ellentétben a klasszikus félvezető kristályban a szabad elektronok sűrűsége a hőmérséklet növelésével rohamosan, exponenciális összefüggés szerint nő. A viszonylag kis hőmérsékleten a klasszikus félvezető a hőmérséklet vagy a szennyezés nagymértékű növelésével válik elfajult félvezetővé. Erős szennyezés következtében elfajult félvezetőből készül pi. az Esaki-dióda, amelynek viselkedése ezért kevéssé hőmérsékletfüggő.

• Esaki-dióda

1. Az anyag azon tulajdonsága, hogy az áram folyását gátolja, és az I² R villamos teljesítményt hővé alakítja át, ahol I az átfolyó áram, R az ellenállás ezen tulajdonságát számszerűen kifejező érték. Magát ezen értéket is ellenállásnak nevezik. Egysége az ohm. Nagysága az anyag minőségétől és geometriai alakjától függ. Az egységnyi hosszú és egységnyi keresztmetszetű anyag ellenállás át fajlagos ellenállásnak nevezik.

2. Alkatrész, mellyel az áramkörbe ellenállást visznek be ellenállást használnak az áram vagy feszültség értékének beállítására és sok más célra. Az ellenállás lehet a) állandó értékű, melynek értéke gyakorlatilag nem változtatható; b) változtatható, melynek értéke kézzel beállítható; c) változó ellenállás, melynek értéke a rákapcsolt feszültség, a hőmérséklet vagy a ráeső fény függvényében változik. Az állandó értékű
a technológiai kivitel szerint lehet réteg ellenállás, tömör ellenállás vagy - huzalellenállás. A változtatható ellenállások közül leggyakrabban használt a - potenciométer. Az "állandó" értékű ellenállások értéke is függ a hőmérséklettől, bár kisebb mértékben, mint a változó ellenállásoké. A hőmérsékletfüggést a hőmérsékleti együtthatóval jellemzik (szokásos jelölése T_k vagy T_c, ami azt fejezi ki, hány %-kal változik az ellenállás értéke 1 °C hőmérsékletváltozás esetén. A tiszta fémek hőmérsékleti együtthatója pozitív, egyes fém ötvözeteké, a széné, a félvezetőké és az elektroliteké negatív. A pozitív (negatív) hőmérsékleti együttható azt jelenti, hogy a hőmérséklet növelésekor az ellenállás növekszik (csökken).

• réteg ellenállás
• tömör ellenállás
• félvezető

Kristálytani fogalom. A kristályt alkotó atomok elektronjai meghatározott értéktartományba eső energiával rendelkezhetnek. Ezek az értéktartományok az energiasávok. A félvezető kristályban ezeket a megengedett értékeket tartalmazó energiasávokat általában tiltott energiasávok választják el egymástól.

• félvezető
• tiltott energiasáv

Félvezető rétegek egymás feletti növesztésével létrehozott tranzisztor. Különösen alkalmas nagyfrekvenciás üzemeltetéshez.

Félvezető kristályokkal kapa csolatos fogalom. A szabad töltéshordozók - kristályra kapcsolt elektromos térerősség hatására egyirányban áramolnak, elektromos áram jön létre. Ha a félvezető kristályban az áramot lényegében egyfajta töltéshordozók - akár lyukak, akár elektronok - vezetik, extrinsic vezetésről beszélünk. A kristály hőmérsékletének növelésével a valenciakötésekből felszabaduló lyuk-elektron-párok sűrűsége fokozatosan elfedi a szennyezés által behozott típusú töltéshordozók változatlan mennyiségét és akkor az - helyett az intrinsic vezetés kerül előtérbe.

• valenciakötés
• intrinsic vezetés

(akkumulációs réteg). Félvezetők felületén, elsősorban szigetelt elektródájú - térvezérelt tranzisztorok vezérlőelektródája alatt keletkezett réteg, melyben a külső elektromos tér vagy a felületen megkötött töltésék által keltett tér hatására a töltéshordozók száma (vagy elektronok vagy lyukak, a térirányától függően) lényegesen megnő az egyensúlyi értékhez képest. A megnőtt töltéshordozó-koncentráció növeli a vezetőképességet. Ha ez a külső vezérlést végző tér eredménye, akkor a feldúsulási réteg hasznos, ennek alapján működik a szigetelt vezérlőelektródás térvezérelt tranzisztor. Ha viszont a felületre rakódott töltések eredménye, akkor általában káros, pl. vezető csatornát létrehozva, emitter-kollektor rövidzárt okoz.

• félvezető

Félvezető eszközöknél, elsősorban diódáknál, és tirisztoroknál a kikapcsolást végző külső jel megjelenése és az eszköz tényleges kikapcsolása között eltelt idő. Az eszköz ezen időn belül még nem rendelkezik záró sajátosságokkal, diódák esetén pl. a záróirányú áram sokkal nagyobb a szivárgási áramnál, ezt lényegében a külső áramkör határozza meg. Tirisztorokra ezen időn belül nem szabad pozitív anódfeszültséget adni, mert a tirisztor ekkor újra benyújt. A feléledési idő arányos az eszköz gyengébben adalékolt ( - adalékolás) rétegében levő kisebbségi töltéshordozók élettartamával, gyors kapcsoláshoz tehát kis élettartam szükséges. Függ ezenkívül a nyitó- és a záróirányú áram viszonyától, amit a külső áramkör határoz meg.

• dióda
• tirisztor

Jól vezető fémekben az átfolyó áram hatására a hőmérsékleti egyensúlyban fennálló töltéssűrűség nem változik meg, a felhalmozott töltés elhanyagolható. Vákuumban elektronáram csak felhalmozott töltés jelenlétében folyik. Az így felhalmozott töltés egyúttal tértöltést is képvisel. Félvezető kristályokban áramot vezetve általában szintén jelentős mennyiségű töltés halmozódik fel. A felhalmozott lyuk- és elektronmennyiség külön-külön nagy lehet még akkor is, ha a különbségükkel arányos tértöltés hatása elhanyagolható. A félvezető eszközökben az áram hatására jelentkező az elektromos jellemzők frekvenciafüggését okozza, az áram kikapcsolásakor késleltetési jelenségeket eredményez.

• hőmérsékleti egyensúly
• töltéssűrűség, tértöltés

Olyan anyag, amelynek elektromos vezetőképessége nagyságrendileg a jól vezető fémek és a szigetelő jellegű dielektrikumok között van. (Félvezető kristály, tiltott energiasáv.)

• vezetőképesség
• dielektrikum
• tiltott energiasáv

• monolit integrált áramkör

Félvezető alapanyagból készült, elektronikus feladatok ellátására alkalmas eszközök. Főbb csoportjaik: félvezető diódák, tranzisztorok, tirisztorok, monolit integrált áramkörök, különleges eszközök.

• félvezető
• diódák
• tranzisztorok
• tirisztorok

Olyan kristályos szerkezetű anyag, amelynek elektromos vezetőképessége a jól vezető fémek és az elektromos szigetelők vezetőképessége közötti értéket mutat. Az utóbbi évtizedekben nagy jelentőségre tettek szert a valenciakristályokból szennyezéssel félvezetővé tehető kristályos anyagok, mint amilyen az elemi szilícium és a germánium. Hasonló tulajdonságokat mutatnak egyes fémoxidok, mint pl. a rézoxid vagy a periódusos rendszer III-V., vagy II-VI. oszlopából választott elemek vegyületkristályai, mint pl. a Ga-As. A szennyezett kristály az elektromos áramot vezeti. Amennyiben a vezetés elsősorban szabad elektronok közvetítésével történik, a félvezető kristály n-típusú; a lyukvezető anyag a p-típusú félvezető kristály. Több azonos jellegű, de különböző mértékben szennyezett kristály megkülönböztetésére használják erősebb szennyezés esetén az n⁺, ill. p⁺ jelölést, míg a gyengébben szennyezett jelleget a v, ill. p fejezik ki.

Két szembe kapcsolt Shottky-diódával felépített tranzisztor, melyeknek fémelektródája közös, és ennek két oldalán találhatók az emitterként, ill. kollektorként működő félvezető rétegek. Az egyik, emitterként szolgáló Schottky-dióda nyitóirányban van előfeszítve, a másik záróirányban, ez a kollektor. Az emitterből a bázisként szolgáló közös fémrétegbe "forró" elektronok lépnek be. Ha a fémréteg elég vékony (,100...1000 A nagyságrendű), akkor az elektronok, mielőtt "lehűlnének", azaz elveszítenék többletenergiájukat, a kollektorhoz jutnak, és ott leküzdve a fém félvezető határfelületén fellépő potenciálgátat, a kollektorba lépnek. Tehát - a tranzisztorhoz hasonlóan - a záróirányú dióda áramát nyitóirányú diódaárammal lehet vezérelni. Az igen vékony bázisréteg miatt határfrekvenciája elméletileg sokkal nagyobb lehet, mint a közönséges bipoláris tranzisztoré. A fémbázisú tranzisztor áramerősítése jelenleg még igen kicsi, technológiája igen nehéz, ezért gyakorlati jelentősége egyelőre nincs.

• Shottky-dióda
• tranzisztor

Fémréteg felvitele, technológiai művelet, amit vákuumpárologtatással, porlasztással galvanikus úton, vagy fémszórással végeznek. Félvezető eszközök és integrált áramkörök gyártásakor leginkább alumíniumot és aranyat visznek fel párologtatással. Vékonyréteg-áramköröknél a króm-nikkel réteget párologtatják, a tantál réteget porlasztással állítják e16. Papír- és műanyag fólia kondenzátoroknál a legtöbbször alumínium réteg felvitelét jelenti párologtatással. Régebbi rádiócsőtípusok esetében árnyékoló fémréteget vittek fel az üveg ballonra, rendszerint fémszórással.

• vákuumpárologtatás
• porlasztás
• integrált áramkör

(LED=Light Emitting Diode). Fénykibocsátásra alkalmas félvezető dióda. Alapanyaga valamilyen intermetallikus vegyület, legtöbbször galliumarzenid vagy gallium-foszfid. A nyitóirányban előfeszített fényemissziós diódaban - töltéshordozók (lyukak, elektronok) rekombinációjakor felszabaduló energia fotonok formájában lép ki a diódából. A kibocsátott fény lehet koherens (azonos fázisú), ekkor a fényemissziós diódát lézerdiódának nevezik. A fényemissziós dióda felhasználható különböző kijelzésekre, fényelektromos erősítő alkatrészeként stb.

• félvezető dióda
• foton

A Field Effect Transistor szavak rövidítéséből származik az elnevezés. Olyan tranzisztorról van szó, melynél a villamos erőtér kerül kölcsönhatásba a félvezető anyaggal. Az ilyen tranzisztorokat erősítő, oszcillátor, vagy kapcsoló áramkörökben használják. Jellemzőjük a nagy bemeneti impedancia, így a bemenet alig terheli a meghajtó fokozatot.

• térvezérelt tranzisztor

A Field Effect Transistor szavak rövidítéséből származik az elnevezés. Olyan tranzisztorról van szó, melynél a villamos erőtér kerül kölcsönhatásba a félvezető anyaggal. Az ilyen tranzisztorokat erősítő, oszcillátor, vagy kapcsoló áramkörökben használják. Jellemzőjük a nagy bemeneti impedancia, így a bemenet alig terheli a meghajtó fokozatot.

(villódzási zaj). Kísérletekkel kapott eredmények szerint sok elektronikus eszköznél (pl. elektroncsöveknél, félvezető diódáknál, tranzisztoroknál stb.) olyan zaj lép fel, melynek teljesítménysűrűsége nem egyenletes, hanem az eszközön átfolyó I áram négyzetével egyenesen és az f frekvenciával fordítottan arányos. Utóbbi jelleg széles frekvenciatartományban, 6.10^-5 Hz-től több MHz-ig mutatkozik, és az ilyen spektrumú zajokat összefoglalóan flickerzajnak nevezik.

Félvezetőkben, fémekben azon elektronok, amelyek energiája jóval nagyobb, mint az adott hőmérsékleten az illető anyagban az elektronok átlagos energiája. Mivel az elektronok átlagos energiája és a hőmérséklet szoros kapcsolatban vannak egymással, ezért a forró elektronokhoz egy, a közeg hőmérsékleténél magasabb hőmérséklet rendelhető, innen származik elnevezésük. A forró elektronok létrejöhetnek külső behatásra is (elektromos erőtér, besugárzás stb.). Fontos szerepet játszanak több félvezető eszköz működésében (Gunn-dióda, Schottky-dióda).

• Gunn-dióda
• Schottky-dióda

Dióda-elektroncső felépítésű fényelektromos átalakító, amely vákuumtérben (vákuum fotocella) vagy nemesgáztérben (gáztöltésű fotocella) fotokatódot és anódot tartalmaz. A fotokatódok anyagi összetétele és felépítése a fotocella spektrális érzékenységi tartománya szerint különböző; leggyakoribb a cézium-céziumoxid fotokatódok, melyek a látható spektrum nagy, részében vagy az infravörös tartományban érzékenyek. A vákuum fotocellak inkább mérési célokra alkalmasak. A gáztöltésű fotocellak érzékenysége mintegy négyszerese a vákuum fotocellak érzékenységének, de kevésbé stabilisak, áramuk nem szigorúan arányos a megvilágítással és sötétáramuk nagyobb. A fotocella jelentősége a fényérzékeny félvezető eszközök megjelenésével erősen csökkent.

Fény érzékelésére alkalmas ellenállás. A beeső fény változtatja az ellen-állás értékét és a változás áramkör segítségével elektromos jellé alakítható. Anyaga félvezető. A beeső fotonok növelik a töltés-hordozók számát, ez okozza az ellenállásérték megváltozását. A fényerő növelésével az ellenállás értéke csökken, a kettő közötti kapcsolat azonban eltér a lineáristól.

• ellenállás
• foton

Planár tranzisztorok, valamint félvezető alapú integrált áramkörök gyártásakor alkalmazott technológiai eljárás. A szilíciumot fedő oxidréteg (szilicium-dioxid) nem engedi át a szilícium félvezető eszközök adalékolására használt bórt és foszfort, így az oxidréteggel a szilícium fetülete maszkolható, Úgy, hogy a bór, ill. foszfor csak bizonyos területeken tudjon bediffundálni a szilícium alaplapkába. Ehhez az oxidot e felületekről el kell távolítani. Mivel rendkívül kis felületekről van szó, ezért ez csak fotóeljárással lehetséges. Az oxidot először bevonják egy fényérzékeny lakkal, majd egy megfelelő negatívon keresztül megvilágítják. A megvilágított helyeken a lakk polimerizálódik. Az ezután következő "előhívásnál" a nem megvilágított lakk leoldódik, a polimerizálódott lakk nem. Ezután a szeletkét marószerbe (HF) mártják, ahol az oxid a lakkal nem bontott részekről leoldódik, és a szilícium felületét nem védi. Az ezután következő diffúziós lépésnél a bór vagy foszfor adalékanyag ezeken a felületeken be tud hatolni a szilíciumba, míg az oxiddal védett felületeken nem. Így szabályozott alakú és mélységű ph-átmenetek hozhatók létre. A fotoreziszt-technika igen termelékeny, az ezzel gyártott félvezető eszközök különlegesen megbízhatók.

• szilícium
• pn-átmenet

A FET, vagy térhatású, ill. tértöltéssel működő tranzisztorok kis zajú erősítő eszközök. Ennek egyik fajtája a gallium-arzenid tranzisztor, rövidítve Ga As félvezető, ill. GaAsFET. Ideálisan alkalmazható URH és mikrohullámú előerősítőkhöz, ahol a kis zaj lényeges.

A periódusos rendszer negyedik oszlopában helyet foglaló elem, melynek rendszáma 32, atomsúlya 73. A természetben vegyületeiben fordul elő. Gyémántrácsban kristályosodik. Rendszáma: 32, atomsúlya: 72,60, olvadáspontja: 958 °C. Atomsűrűsége: 4,42 . 10²⁸ atom/m³, relatív dielektromos állandója: 16.

Tiszta állapotban jó szigetelő, adagolt szennyező anyagok hatására félvezetővé válik. Korábban diódák, tranzisztorok gyártására használták, ma a szilícium majdnem minden területen kiszorította. Diódaként előnyük, hogy a feszültségesés csak fele akkora, mint szilícium esetében.

1. Vákuumtechnikában aktív gázokat (főképp oxigént) lekötő anyag, a szivattyúzás után a búrában maradó, továbbá az eszköz működése következtében felszabaduló gázok elnyelésére. Elektroncsöveknél leginkább báriumot, magnéziumot alkalmaznak elpárologtatott getterként és titánt, zirkoniumot, tantált - főkép adócsövekben - nem elpárologtatott getterként.

2. Félvezető eszközök gyártása során a félvezető felületi szennyezéseit lekötő anyag. Így pl. germánium alapú félvezető eszközöknél a felületről a rézszennyezést ólomgetterezéssel és a képződött réteg leoldásával távolítják el. Szilícium alapú félvezető eszközöknél - főképp arany- és rézszennyezések megkötésére - bórüveg és foszforüveg gettert alkalmaznak és ezeket a gettereket nem távolítják el a felületről.

• elektroncső

Az elektroncsőgyártásban alkalmazott művelet, a getter elpárologtatása hevítéssel, rendszerint nagyfrekvenciás indukciós hevítéssel; ennek eredményeképpen a ballonon gettertükör csapódik le. A félvezető eszközök gyártásakor a getterezés olyan művelet, mellyel a félvezető szelet (lapka) felületét védőanyagokkal kezelik; a getterezésnek ezt a fajtáját a diffúziós kályhákhoz hasonlóan kályhákban végzik.

• getter

Olyan félvezető, amely az URH és mikrohullámú tartományban oszcillátorként működik. Általában üregrezonátor belsejében helyezik el. Hátránya a csekély hatásfok és a hőérzékenység. Kimenő teljesítményük 20 GHz-en elérheti a 0,1 W-ot.

Fluoreszkáló bevonattal ellátott, kisméretű ernyőt tartalmazó elektroncső amelynek ernyőjén az elektronok által ért és ennek hatására világító felületrész a vezérlőelektróda feszültségének függvényében változik. Rádió-vevőkészülékekben a hangolás, hangfrekvenciás készülékekben pedig a kivezérlés ellenőrzésére használt optikai jelzőeszköz. Használatos kivitelei: "varázsszem", "varázslegyező". A félvezetőtechnika elterjedésével alkalmazhatósága csökken, mert a hangolásjelző cső működéséhez min. 100 V feszültség szükséges.

Olyan elektronikus áramkör, készülék, amelyben együtt alkalmaznak félvezetőket és elektroncsöveket, vagy jelfogót és kapcsolódiódát, stb.

(elektronsűrűség, lyuksűrűség). Kristályban, ill. vákuumban a térfogategységenként található töltéshordozók száma. Jól vezető anyagok esetében nagyságrendileg azonos a kristályt alkotó atomok sűrűségével, félvezetők esetében annál nagyságrendekkel kisebb.

• vákuum
• félvezető

Félvezető eszközökben áramot úgy hoznak létre, hogy az eszközt alkotó kristály egyes helyein az egyensúlyi állapothoz képest felesleg töltéshordozókat hoznak létre, más helyein pedig zérussűrűséget tartanak fenn. Közbenső helyeken a hordozósűrűség folyamatosan változik. A legnagyobb változás irányába mutató egységnyi hosszúságon mérhető sűrűségváltozás. Egydimenziós esetben a gradiens a változás irányába mutató koordináta szerinti differenciálhányadossal egyenlő.

• hordozósűrűség

Általában félvezetőknél, vagy más elektronikus alkatrészeknél alkalmazott eszköz, amely a keletkező hőt elvezeti és ezzel megakadályozza az eszköz túlmelegedését. Anyaguk jó hővezető fém, vas, vagy alumínium. Fontos a teljes felület betakarása, azaz a felületi érintkezés, amit néha ragasztással fokoznak.

(termikus megfutás). Elektromos és termikus folyamatok egymásra hatása révén végbemenő jelenség, elsősorban félvezető eszközökben. Az eszközben keletkező disszipációs teljesítmény megnöveli annak hőmérsékletét, a hőmérséklet növekedése az átfolyó áramot, s ez újra a disszipációs teljesítményt. Ha az így létrejövő hőmérsékletnövekedés nagyobb, mint a kiindulási hőmérsékletnövekedés, a folyamat önmagát erősíti, s végül túlmelegedés miatt az eszköz tönkremegy. Ellenkező esetben egy magasabb hőmérsékleten hőegyensúly áll be.

• félvezető eszköz
• disszipációs teljesítmény

Mikrohullámú rezgések keltésére alkalmas félvezető eszköz, általában szilíciumból készítik. Lényegében egy pn-átmenetből áll, amelyhez kis szennyezéskoncentrációjú futási tér csatlakozik. Záróirányban a lavinaletörés közelében előfeszítve, a diódán levő váltakozófeszültség-csúcsok idején a pn-átmenet környékén lavinasokszorozás révén töltéscsomagok keletkeznek, melyek a futási téren áthaladva nem oszlanak szét. Mire a futási tér végére érnek, a váltakozó feszültség fázisa megváltozik, így feszültségminimumhoz árammaximum tartozik, ami a váltakozó tér energiáját növeli. Az impatt diódával mW nagyságrendű teljesítmények érhetők el a GHz-es frekvenciákon.

• félvezető eszköz
• pn-átmenet
• lavinasokszorozás

Félvezetők belsejébe különféle úton bejuttatott töltéshordozó. Az injekció leggyakrabban nyitóirányú pn-átmenettel valósítható meg. Az egyik oldalról a nyitófeszültség következtében a többségi töltéshordozók átjutnak a másik oldalra (pl. a p-oldalról a lyukak az n-oldalra); ahol már kisebbségi töltéshordozók lesznek, s a kisebbségi töltéshordozók koncentrációját az egyensúlyi érték fölé növelik. Az injekció megvalósítható fém félvezetőátmenettel is (Schottky-dióda).

• töltéshordozó
• pn-átmenet
• többségi töltéshordozó
• Schottky-dióda

(IC=Integrated Circuit). Mechanikusan egységes, szilárd testet alkotó áramkör, melyben az áramkör alkotóelemei felismerhetők, de mechanikusan szét nem választhatók. Az egész integrált áramkör egy tokban foglal helyet. Az integrált áramkör lehet félvezető alapú monolit integrált áramkör és szigetelő alapú integrált áramkör.

• félvezető alapú monolit integrált áramkör
• szigetelő alapú integrált áramkör

(ionimplantáció). Ionok bejuttatása félvezetőkbe, ionbombázás segítségével. Az ionok adalékanyag atomok (szilícium esetén bór-, ill. foszforatomok), melyek a beépülés következtében a kristály jól meghatározható részein n-, ill. p-típusú részeket hoznak létre. Így készíthetők diódák, tranzisztorok stb. Az ionbeültetés előnye a hagyományos tranzisztortechnológiai eljárásokkal (ötvözés, diffúzió) szemben, hogy igen kis méretek, és igen kis mélységekbe bevitt adalékolások érhetők el, a hagyományostól eltérő eloszlással. Hátránya a nehézkes, bonyolult technológia, ezért jelenleg inkább még csak laboratóriumi körülmények között alkalmazzák.

• ionimplantáció
• félvezető
• diódák
• tranzisztorok

A vezetékes hírközlőközpontokban az egyes vonalak közötti kapcsolatot létesítő kapcsolóelemek hálózata. Az elektromechanikus kapcsolómezőben alkalmazott kapcsolóelemek: jelfogók, forgómozgású és Crossbartípusú kapcsológépek és újabban üvegcsövesjelfogók (kvázielektronikus központ). Az elektronikus kapcsolómezőben a keresztpontok megvalósítására gáztöltésű hidegkatódú csöveket és félvezető eszközöket alkalmaznak, ideális kapcsolóelem azonban még nem ismert. A kapcsolómező kapcsolóelemei legfeljebb egyszerű tárolási műveletre képesek ( kapcsolómemória). Beállításával kapcsolatos bonyolultabb logikai műveletek elvégzésére a -höz vezérlő áramköröket rendelnek. Kisebb központokban a kapcsolómező egyetlen összefüggő egységet alkot, nagyobb központokban több fokozatra tagolódhat. Általában alkalmazott fokozattípusok: koncentráló jellegű híváskereső mező, szintén koncentráló előválasztó típusú mező, expanziós jellegű csoportválasztó- és vonalválasztó-fokozatok, valamint kombinált fokozatok (pl. a kettős híváskereső vagy a híváskereső és vonalválasztó egyesítéséből adódó előfizetői fokozat). A kapcsolómező vezérelhető fokozatonként, vagy kisebb egységek esetén közös vezérlés alkalmazható.

• kapcsológép
• üvegcsövesjelfogó
• kvázielektronikus
• kapcsolómemória

Két vagy több video összekeverése elektromos úton. A különböző forrásokból származó képjeleket (kamera, filmbontó, képmagnó stb.) általában időben egymás után használják fel, attól függően, hogy az események melyik részletét akarják a nézőnek
megmutatni, vagy hogy az adott produkció dramaturgiailag a képek milyen sorrendiségét kívánja meg. Ezért leggyakrabban elegendő az egyik képforrásról a másikra való átkapcsolás. Ezt nevezik kemény vágásnak. A kezelőasztalon erre a célra nyomógombokat használnak, melyek jelfogókat vagy félvezető kapcsolókat vezérelnek. Az átkapcsolás rendszerint a képkioltás időtartamára esik, s így a kapcsolási tranziens a képen nem látható. A tranziens nélküli átkapcsolás előfeltétele természetesen, hogy a két forrás képe legalább a képváltójelek tekintetében szinkronban legyen eltüntethető (elúsztatható) vagy megjeleníthető. Ugyanígy előfordul az is, hogy a két képnek fokozatosan kell egymásba áttűnnie. S végül szükség van különböző hatásos trükkök, effektusok előállítására is, ami a trükkkeverés vagy háttér-bekeverés segítségével lehetséges. Ez utóbbi esetben tehát egyidejűleg két forrás képe jelenik meg a képernyőn, így képkeverésről a szó szoros értelmében csak ilyenkor beszélhetünk. A két különböző képjel összekeverése csak akkor valósítható meg, ha a jelek a legszigorúbb szinkronban vannak, tehát nemcsak a kép-, hanem a sorszinkronjelek is szűk tolarenciahatáron belül időben egybeesnek. A keverés esetén két eljárás alkalmazható: az additív és a nemadditív keverés. Az első eljárásnál a két képjel egyszerűen összegeződik, s a két kép együtt, egymásra szuper-ponálva jelenik meg a képernyőn. A nemadditív keverésnél ezzel szemben minden időpillanatban a két képjel közül a nagyobb jel kikapuzza. Ezzel a módszerrel egészen különleges hatások érhetők el. A keverők lehetnek egyszerű keverők, amellyel a jel elúsztatható, vagy kettős átkeverők (X-keverők), amelyek ellentétes irányban szabáIyoznak, vagyis az egyik kép elúsztatásával egyidejűleg a másik képet bekeverik. A kemény vágás is megoldható igen gyorsan működő X-keverőkkel. A trükk-keverők a nemadditív keverők közé tartoznak. Lényegük, hogy egy előre meghatározott és helyzetében vagy méretében is változtatható formátumnak megfelelő, egymással ellenfázisban levő kapcsolójeleket állítanak elő, amelyek egy képsor meghatározott részén az egyik forrás jelét kikapuzzák és helyébe a másik forrás képjelét teszik be. A kapuzójel nemcsak generátorokkal, hanem egy másik kép kontúrjaiból is előállítható, s így az egyik kép egy tetszőleges sablonba (pl. kulcslyuk) helyezhető bele. Ugyanígy valósítható meg a háttér-bekeverés is. A sötét (színes felvételnél kék) háttér előtt álló tárgy vagy színész kontúrjai előállítanak egy kapuzójelet, amely egy másik, a háttért adó képből az ő alakjának megfelelő részt kikapuzza, s annak helyébe az ő képe kerül.

Olyan áramkör, amely váltóáramot alakít át lüktető egyenárammá. Működéséhez középleágazással ellátott hálózati transzformátor szükséges, rendszerint a középleágazás a negatív pólus. A szekundér tekercs mindkét végére egy-egy dióda csatlakozik, ezek másik vége egyesítve szolgáltatja a pozitív pólust. Dióda lehet cső, vagy félvezető. Mindkettő egy-egy félhullámot egyenirányít. Négy diódával megoldható, hogy ne legyen szükség trafó tekercs leágazásra. A kétutas egyenirányító előnye az egyutashoz képest, hogy a lüktető egyenáram szűréséhez kevesebb kondenzátor szükséges.

Szilárd testekben azon energia, mely szükséges ahhoz, hogy egy - elektron a test belsejéből a külső térbe ki tudjon lépni. A valóságban a kilépési munka átlagérték, mivel a testek belsejében az egyes elektronok különböző energiával rendelkezhetnek. Precízebb megfogalmazásban a kilépési munka a félvezető közvetlen közelében a tér potenciálja és a Fermi-szint különbsége.

• Fermi-szint

pn-átmenetekben végbemenő injekció, melynél az injektált kisebbségi töltéshordozók koncentrációja lényegesen kisebb a félvezetőben levő szennyező(adalék) anyagok koncentrációjánál, és a többségi töltéshordozók koncentrációja függetlennek tekinthető a kisebbségi töltéshordozók koncentrációjától. A félvezető eszközök alapvető elmélete a kisszintű injekción alapszik, mert ekkor egyszerűbbek az összefüggések, mint nagyszintű injekciók esetén, s a szokásos működési-tartományokban a kisszintű injekció általában fennáll.

• pn-átmenet
• injekció

Jelfogókból vagy félvezető kapcsolóelemekből összeállított lánc, amelynek egyidejűleg csak egyetlen tagja lehet aktiválva Ezért olyan érintkezőhálózatot, ill. kapuáramkör-rendszert tartalmaz, amely bármely lánctag aktiválásakor letiltja az összes többi lánctag aktiválását. kizáróláncokat használnak - azonosításkor az elsőbbségi sorrend biztosítására. Az itt alkalmazott kizáróláncok működése olyan, hogy ha egyidejűleg több lánctagot próbálnánk aktiválni, ezek közül csak az elsőbbségi rendben legelől álló válhat aktívvá. Az elsőbbségben állók sorrendje változtatható, ha a - elsőbbséget meghatározó bemenő vezetékei egy sorrendi áramkör kimeneti pontjaira csatlakoznak, mert ekkor az elsőbbséget ennek pillanatnyi állapota határozza meg.

• sorrendi áramkör

Fizikai fogalom. Olyan kristály, amelynek vezetőképessége (azaz a benne található szabad elektronok sűrűsége) a hőmérséklettel exponenciálisan nő. A hőmérséklet vagy a szennyezés nagymértékű növelésével a szabadelektron-sűrűség az atomsűrűséggel összemérhetővé válik. Ekkor az exponenciális növekedés érvényét veszti, a kristály elfajult félvezetővé válik.

• elfajult félvezető

A mikrohullámú tartományban használatos sebességmodulációs elektroncső, amelynek működése egy elektronágyúból kilépő folytonos elektronsugár ?csomósításán (bunching) és az elektroncsomóknak üregrezonátorokon való átfutásán alapszik. A kétüreges erősítő eszköz); kimenő üregéből a bemenő üregébe nagyfrekvenciás energiát visszacsatolva oszcillátorként működik. A kimenő üreget a bemenő üreg frekvenciájának egészszámú többszörösére hangolva frekvenciasokszorozónak használható. Az együregű reflexklisztron-cirkulátorral együtt használva kisteljesítményű erősítő. A reflexklisztronban a néhány 100 V negatív feszültségű taszítóelektróda (reflektor, repeller) visszafordítja az elektronokat úgy, hogy azok kétszer repülnek át a rácsok által képzett résen és gerjesztik az üreget, ahonnan csatolóhurokkal a kimenő teljesítményt kicsatolják. A taszítóelektróda mindig negatív feszültségére váltakozó áramú jelfeszültséget szuperponálva a reflexklisztron frekvenciamodulációra használható. Az adóklisztronoknál a fókuszált elektronsugár egymásután több üregrezonátoron halad át. Az első a bemenő üreg, ebbe csatolják be a bemenő erősítendő teljesítményt, az utolsó üregből csatolják ki a kimenő teljesítményt, ami a jelenlegi legnagyobb típusoknál kb. 50 kW. Az adó klisztronok előnye, hogy vezérlésükhöz 5... 20 W bemenő teljesítmény elegendő, így az adó összes előfokozatai félvezetőkkel megépíthetők és az egyetlen elektroncső a végerősítő klisztron. A nagyteljesítményű klisztronokat áramló levegő-, víz- vagy forralóhűtéssel látják el és a vákuum állandó értéken tartására gyakran ion getterszivattyúval (appendage pump) is.

• elektroncső
• elektronsugár

Szilárd anyagok (fémek, félvezetők) érintkezésekor a két anyag között fellépő feszültségkülönbség; egyenlő a két anyag kilépési munkájának különbségével.

• félvezető
• kilépési munka

(egyenáramú erősítő). Tetszőlegesen lassan változó jelek erősítésére alkalmas - erősítő. Régebben csak elektroncsöves közvetlencsatolt erősítőt használtak, egyenáramú erősítőkhöz. A félvezetős kapcsolástechnika, különösen pedig az - integrált áramkörök megjelenésével ez általánossá vált. Az erősítőfokozatok csatlakozópontjain általában eltérő egyenfeszültség található, ezért a közvetlencsatolt erősítőben a fokozatok csatolására szintáttevő áramköröket alkalmaznak, amelyek be- és kimeneti (egyen) szintje eltérő, de - tetszőlegesen lassú - változásokat veszteség nélkül átvisznek.

• egyenáramú erősítő
• szintáttevő áramkör

Félvezető eszközök kristályanyagának hőmérséklete, mely a működés közben keletkező disszipációs teljesítmény következtében magasabb, mint a környezeti hőmérséklet. A disszipációs teljesítmény elsősorban a pn-átmenetek környékén keletkezik, ezért viszonylag nagy kiterjedésű kristály esetén a kristály különböző pontjai más-más hőmérsékletűek lehetnek. Ekkor kristályhőmérsékleten a kristály azon területének hőmérséklete értendő, ahol a disszipációs teljesítmény kiválása miatt a legmagasabb a hőmérséklet. A kristályhőmérséklet növekedése bizonyos határon túl a félvezető eszközt működésképtelenné teszi. Germánium kristály esetén ez kb. 90 °C, szilícium esetén 150...200 °C.

• germánium kristály
• szilícium

(lavinasokszorozás). Félvezetőkben, nagy térerősségek hatására végbemenő folyamát. A térerő a félvezetőben áramló töltéshordozókat felgyorsítja. Bizonyos átlagos úthossz befutása után ezek ütköznek a kristály rácspontjaiban levő atomokkal, az ekkor leadott energia a kristály kötött elektronj ai közül ú j abb elektront tesz mozgóképessé, azaz egy elektron-lyuk pár keletkezik. Ezen frissen keletkezett töltéshordozók ismét felgyorsulnak, ütköznek, további elektron-lyuk párokat hoznak létre stb. Így a félvezetőben kezdetben folyó kis áram megsokszorozódik, határesetben végtelenhez tart.

• félvezető
• kristály rácspont

Három vagy több kivezetéssel rendelkező félvezető eszközök ( tranzisztorok, tirisztorok stb.) azon kivezetésének potenciálja, amelyhez külső áramköri elem nem csatlakozik, azaz szakadással van lezárva. A lebegő potenciál értéke különböző lehet, az eszközben található pn-átmenetek előfeszítésétől, a geometriai viszonyoktól stb. függően.

• félvezető eszköz
• tranzisztor
• tirisztor

Elektronikus vagy mágneses (ferrites) áramkör, amely logikai feladatokat old meg. Alapáramkörökből épül fel, melyek logikai műveleteket hajtanak végre és tárolnak. A leggyakrabban használt logikai alapműveletek IN, VAGY, tagadás, NEM ÉS, NEM VAGY. Ezeket kapuáramkörök valósítják meg. A tárolást különböző típusú flip-flop áramkörök végzik.
Az elektronikus logikai áramkör általában logikai függvényt megvalósító részből és inverterből áll. A logikai függvényt realizáló rész ellenállásokból diódákból, tranzisztorokból állhat. Használatos logikai áramköri rendszerek: DCTL, DTL, ECL, RTL, TTL.
A mágneses (ferrites) logikai áramkörök általában több tekerccsel ellátott ferritmagos áramkörök. A bemenő információt egy-egy ferritgyűrű tárolja, A logikai függvényt a kimenő információt szolgáltató ferritgyűrű állítja elő a bemenő információt rögzítő ferritmagok kimenő tekercse és segédtekercsek segítségével. A mágneses logikai áramkörben az információt a ferritmag remanens indukciója tárolja. Kimenő elektromos jel a ferritmag átbillentésével nyerhető. A ferritmagos áramkörök tulajdonságai a csatolóáramkörökbe helyezett tranzisztoros erősítőkkel javíthatók. A ferrites logikai áramkör jelentősége a félvezetőtechnika, különösen a szilárdtest-áramkörök megjelenése óta csökken. Különleges célokra egyéb felépítésű logikai áramkörök is használatosak: tunneldiódás, kriotronos, fáziszáró oszcillátort tartalmazó, mikrohullámú stb.

• kapuáramkör
• flip-flop áramkör
• DCTL
• DTL
• ECL
• RTL
• TTL

(Large-Scale Integrated circuit=Nagymértékben integrált áramkör). Olyan félvezető alapú monolit integrált áramkör, amely sok funkciót ellátó komplett egységet tartalmaz, esetleg egy készülék egész elektronikus részét. A LSI-ben levő tranzisztorok száma, mely a bonyolultság mértékét jól jellemzi, néhány száztól néhány ezerig terjedhet.

• tranzisztor

A félvezető kristály valenciakötéseiben található elektronhiány, amely energiaközléssel ( gerjesztéssel) elmozdítható. Részecskének tekinthető, amelynek töltése és tömege pozitív. A lyukak a vegyértéki sáv elektronnal be nem töltött állapotait foglalják el; ha sűrűségük meghaladja az elektronok sűrűségét, az anyag lyukvezetővé válik. A lyukak jelenléte kísérletileg a Hall-hatás mérésével mutatható ki.

• félvezető kristály
• valenciakötés
• gerjesztés
• vegyértéki sáv
• Hall-hatás

Planár technikával készített félvezetőeszközök (diódák, tranzisztorok, integrált áramkörök), továbbá vékonyréteg- és vastagréteg-áramkörök gyártásához használatos segédeszköz, amelynek segítségével a rajzolatokat (pattern) viszik át a hordozó (szubsztrátum) felületére. Az ábrát nagyított (10...+100-szoros) léptékben készítik el és egy vagy több lépésben fényképezéssel kicsinyítik. Félvezető eszközök gyártásához fotomaszkokat vagy kevésbé sérülékeny krómmaszkokat használnak. Ez utóbbiaknál üveglapra felvitt krómréteg fedi a rajz átlátszatlan részeit. A planár technikában egymást követő lépésekben több (3...6) maszkot használnak, ezért pontos illeszkedésről kell gondoskodni. Végső kicsinyítésben egyetlen
400...2000 azonos ábrát tartalmaz; a kielégítő pontosságot léptető-fényképező kamerával (step and repeat camera) érik el. A vékony- és vastagréteg-áramkörök maszkjai nagyobb méretűek, kevésbé finom rajzolatúak, egy maszkra csak 1...20 ismétlődő ábra fér el. Ezeknél az áramköröknél fotomaszkokat vagy vékony fémlemezből kémiai marással készített fémmaszkokat használnak.

• planár technika
• diódák
• tranzisztorok
• integrált áramkör

Maszk alkalmazása diszkrét félvezető eszközök vagy integrált áramkörök gyártásához. A félvezető technikában maszkolással, végzik az ?ablaknyitást" (planár technika). Vastagréteg-áramkörök készítésénél az ábrát szitanyomással viszik fel, vékonyréteg-áramkörök készítésénél pedig vákuumpárologtatással vagy porlasztással.

• maszk
• planár technika
• porlasztás

(félvezető alapú monolit integrált áramkör). Félvezető egykristályból, elsősorban szilíciumból készülő integrált áramkör. Az áramkör elemeit egyetlen darab kristálylemezen alakítják ki, planár-technikával, a planár-tranzisztorok hasonlóan. A diódákat a tranzisztorok kivezetéseinek megfelelő összekötésével valósítják meg, az ellenállásokat megfelelően diffundáltatott csíkokkal (bázisdiffúzió). Kapacitások lezárt pn-átmenettel valósíthatók meg, induktivitást a monolit integrált áramkörhöz kívülről kell csatlakoztatni.

• félvezető
• egykristály
• dióda

(Medium-Scale Integrated circuit = Közepes mértékben integrált áramkör). Olyan félvezető alapú monolit integrált áramkör, amely több alapáramkört foglal magában, de bonyolultsága nem éri el egy alegység bonyolultságát. Általában egy, esetleg több komplett funkciót lát el. Az MSI-ben levő tranzisztorok száma kb. húsztól kétszázig terjedhet.

Különleges félvezető, amely három ponton átmenetet tartalmazó négy lapkából áll. Általában kapcsolási célra használják, minthogy fordított irányban úgy viselkedik, mint egy közönséges dióda, nagy az ellenállása és alig folyik áram át rajta. Vezető irányban eleinte csekély áram folyik, egy bizonyos pont elérésekor hirtelen indul be az áram, akkor is, ha a feszültség minimális. Rendszerint egy rövid indító impulzussal kapcsolják a diódát. A kapcsolási idő gyors, 1-2 nanoszekundum.

Növesztett eljárással előállított tranzisztor. Donor és akceptor szennyezést tartalmazó félvezető anyag olvadékából egykristályt húznak. A szennyezőanyagok koncentrációja a megszilárduló kristályban függ a kristályhúzás sebességétől, mégpedig különbözőképpen az akceptor és donor atomok esetén. Ezért változtatgatva a húzási sebességet, a megszilárduló kristály sávokban hol p-, hol n-típusú lesz. Megfelelően felszeletelve így pnp- vagy npn-tranzisztorok készíthetők. A technológia nem különösen termelékeny, a hozzávezetések (különösen a bázis-hozzávezetés) létesítése nehéz, ezért jelentősége csekély, inkább tudománytörténet szempontból érdekes.

• tranzisztor
• akceptor
• félvezető

Elektronikus erősítő kimeneti egyenfeszültségének a vezérléstől független, spontán megváltozása, elsősorban a hőmérséklet vagy öregedés jellegű paraméterváltozás eredményeként. A nullpont-vándorlás közvetlenül csatolt, egyenáramú rendszereknél hamis kimeneti jelet eredményez, ezért itt feltétlenül csökkentendő. Az elektroncsöves áramkörök ilyen szempontból rosszabbak a differenciálerősítős, félvezetős, elsősorban integrált áramköröknél, ez utóbbiak nullpont-vándorlás a bemenetre vonatkoztatva közönségesen néhány mV/°C lehet, amelyet az erősítéssel szorozva kapjuk a kimeneten a nullpont-vándorlás értékét.

• erősítő
• elektroncsöves áramkör

RCA gyártmányú, kerámia alaptárcsára felépített, fémbúrás, nagy megbízhatóságú, rázásálló, kb. 10 mm átmérőjű elektroncső sorozat. A félvezető eszközök elterjedésével elvesztette jelentőségét.

• elektroncső

Félvezetőkhőz készített fémcsatlakozás, mely nem végez egyenirányítást, azaz az áram mindkét irányban akadálytalanul folyik. ermániumhoz antimonos ón-ólom-ötvözet és arany használatos, szilíciumhoz alumínium és arany. Ugyanaz a fém adhat ohmos kontaktust vagy nem ohmosat, a félvezető adalékkoncentrációjától és típusától függően.

• félvezető
• egyenirányítás

Információ továbbítását, tárolását stb. elektromos és optikai úton megvalósító technika. Elektromos-fény és fényelektromos átalakítókat tartalmaz. Az optoelektronika eszközei ( fotodióda, fototranzisztor, fényemissziós dióda, lézerdióda stb.) ma már túlnyomórészt félvezető alapanyagból készülnek.

• fotodióda
• fototranzisztor
• fényemissziós dióda
• lézerdióda

Mikrohullámú jelek erősítésére alkalmas tranzisztor. Az áramkiszorítás jelensége miatt nagy áramsűrűségeknél az emittereknek csak a kerülete emittál. Ugyanakkor a kiürített réteg kapacitásának csökkentése, azaz a nagy határfrekvencia megkívánja a. kis emitterterületet. Az emitter lineáris méretének csökkentésével a kerülete egyre nagyobb lesz a területéhez képest. Ezért az overlay tranzisztorban igen sok független kis emittert alakítanak ki, egy aránylag nagyfelületű bázisrétegben. A bázisrétegben, mely p-típusú, az ohmikus ellenállás csökkentésére rácsszerűen p⁺ diffundált csíkokat hoznak létre, és egy-egy rácspontba kerül az n⁺-típusú emitter. A félvezető alaptömb (n+-típusú) maga a kollektor. Az emitterekhez ablakokat nyitnak, majd 2-2 sor emittert egy fém csíkkal átfednek. Az emitterek között levő p⁺ báziscsíkokat ez a fém csík átfedi, rövidzárt azonban nem okoz, mert közben van egy oxidréteg. Az overlay szó ezen átfedésből származik.

• tranzisztor
• határfrekvencia
• félvezető

Planár félvezető eszközök gyártásakor alkalmazott technológiai művelet, amelylyel a szilícium-hordozó felületén 0,3...1 m vastag szilícium-dioxid (SiO₂) réteget képeznek ki. Ezt a réteget ?védő-oxidrétegnek" nevezik, mert a következő diffúziós műveletek folyamán meggátolja az adalékanyag behatolását a szilíciumba. A diffúzió csak a védő oxidréteg fotolitográfiai marással előállított ablakain keresztül (planár technika) mehet végbe. Az oxidálást rendszerint 1000... 1200°C-on, vízgőzös atmoszférában végzik; ezen a termikus oxidáláson kívül még szerves szilíciumvegyületek (pl. tetra-etoxiszilán) pirolitikus bontásával is lehet védő-oxidréteget előállítani.

• planár technika

• passzivált felület

Az ideális és a valóságos - áramkör között eltérést okozó olyan elem, mely az áramkör működését zavarja, s a tervező akaratától függetlenül, pótlólagosan jelenik meg az áramkörben. Konkrét kapcsolási elemként sohasem jelennek meg, hanem az áramkörbe beépített elemekben, vagy azok között mint nemkívánt másodlagos hatások, Passzív parazita elemek a parazitaellenállások, kapacitások, induktivitások; aktív parazita elemek a parazita félvezető diódák, tranzisztorok, tirisztorok. Utóbbiak nemkívánt erősítő vagy nemlineáris funkciót végezhetnek.

• dióda
• tranzisztor
• tirisztor

Félvezető eszközök gyártásában a félvezető kristály felületének védelmére alkalmazott eljárások gyűjtő elnevezése.

Külső, elsősorban elektrokémiai hatásoknak ellenálló felület, amely védi az alatta levő rétegeket. A planár tranzisztor és a szintén planár technológiával készülő félvezető alapú monolit integrált áramkör esetén a szilícium alaplemez felületét oxidálják, és a keletkező szilícium-dioxid passziválja (védi) a felületet, és az alatta levő elektromosan aktív területeket. Az említett eszközök ezért oxidvédett félvezető eszközök. Germánium alapanyagból készült tranzisztor is védhető szilícium-dioxiddal, ahhoz azonban a szilícium-dioxidot külön fel kell vinni a germánium felületére, pl. megfelelő gázhalmazállapotú vegyület passzivált felület elbontásával. egyéb módon is készíthető, (pl. üveggel, különböző lakkokkal stb.)

• planár tranzisztor
• tranzisztor

Nagyfeszültségű félvezető dióda, amelynek p- és n-rétege között intrinsic kristály van. Záróirányú előfeszítés esetén e rétegben nincsen tértöltés, így a térerő benne helytől független értékű. Mivel a lavinajelenség közelítőleg egy adott térerőnél következik be, az i-réteg vastagságának növelésével növelhető a letörési feszültség. Nyitóirányban a p-, ill. n-oldalról az i-rétegbe belépő töltéshordozók nagymértékben csökkentik annak ellenállását, így nagy áramok esetén is kicsi lesz a nyitóirányű feszültség. A pin-dióda igen elterjedt a teljesítményelektronikában.

• félvezető dióda
• lavinajelenség

Félvezető eszközök ( diódák, bipoláris és térvezérléses - tranzisztorok, félvezető alapú integrált áramkörök) előállítására jelenleg általánosan használt eljárás. Alkalmazásának feltétele, az olyan konstrukció, hogy a kivezetések - egy kivételével - a hordozó (szubsztrát) egyik oldalán legyenek. Kb. 200mm vastag szilícium lemezek (?lapkák") felületén először - oxidálással szilícium-dioxid (SiO₂ , kvarc) védőréteget alakítanak ki. Ezt kb. 0,3 mm vastag fotoreziszt (fotolakk) réteggel vonják be, utána maszkon keresztül ultraibolyafénnyel megvilágítják, majd ?előhívják". Az előhívás pl. triklór-etilénben történik. A negatív fotoreziszt a fény hatására polimerizál, így az előhívás által a nem megvilágított helyeken oldódik ki a fotoreziszt, a pozitív fotoreziszt pedig éppen ellenkezőleg, a fény hatására válik oldhatóvá. A maszkolás által így a fotoreziszttel nem védett felületrészeken pl. ammonium -fluoridos marószerrel eltávolítják a SIO₂-réteget, vagyis ablakot nyitottak a védő-oxidrétegben. Az ablakokon át megy végbe az adalékanyag (donor vagy akceptor) diffúziója. Ezután újabb oxidálással második védőréteget állítanak elő és az előző műveletsort annyiszor ismétlik, ahányszori diffúziót kell alkalmazni az eszköz kialakításához. Az utolsó ablaknyitás után következő művelettel, a fémezéssel állítják elő az áramhozzávezetések csatlakoztatására és az elemek villamos összekötésére szolgáló apró fémfelületeket, vezetőcsíkokat. Az áramhozzávezető huzalokat rendszerint termokompressziós hegesztéssel kapcsolják a fémréteghez. A planár technika egyetlen szilícium lapkán több száz, esetleg néhány ezer diszkrét félvezető eszköz, vagy integrált áramkör előállítását teszi lehetővé. Az egyes diódákat, tranzisztorokat vagy áramköröket úgy választják szét, hogy a Si-hordozót gyémánt heggyel karcolják és a karcolások mentén széttördelik. A befejező műveletek: a különféle mérések és a tokozás. A planár technika erősen kiszorította a régebben használatos egyéb technológiákat, jelenleg a szilícium alapú félvezető eszközök általánosan elterjedt gyártási eljárása.

• dióda
• integrált áramkör
• akceptor
• tokozás

Elektromos töltéssel rendelkező részecskék (ionok, elektronok) sokasága. Szokásos az anyag negyedik állapotának nevezni. A plazmafizika a technika különböző területein nagy jelentőségű (szabályozott termonukleáris reakció, elektromágneses hullámterjedés, mikrohullámú elektroncsövek stb). Félvezető eszközökben a nagy áramsűrűségek hatására mikroplazmák keletkezhetnek.

Alapjában véve a vidikonnal azonos felépítésű tv-képfelvevőcső. A jellemez foto vezetőrétegének anyagául a vidikonnál használt antimon-triszulfiddal szemben kristályos ólomoxidot alkalmaznak. Ezzel a félvezető anyaggal igen jó érzékenységet lehet elérni; a vidikon legkellemetlenebb hibája a tehetetlenség, azaz a hosszú idejű ?emlékezés" nélkül. További előny még az ortikonnal szemben is, hogy a kép háttér-egyenletessége igen jó. Eleinte a színes kameráknál hátrányt jelentett a plumbikon kisebb vörösérzékenységű csövet sikerült kifejleszteni. A plumbikont kiváló tulajdonságai és főleg az ortikonnál lényegesen kisebb méretei miatt elsősorban a színes kamerákban kezdték alkalmazni, ezáltal a kamera méretei csökkenthetők. Ma már korszerű kamerákban gyakorlatilag csak ezt a felvevőcső-típust használják.

• vidikon
• ortikon

Apró, szinte mikroszkopikus méretű egykristály darabkákból (kristallitokból) felépített kristály. A kristallithatárokon igen gyakran idegen anyagok helyezkednek el. A polikristályos szerkezetű anyag tulajdonságai kisebb-nagyobb mértékben eltérnek az egykristályos szerkezetűétől. Félvezető eszközök készítéséhez általában nem alkalmazható.

• egykristály

Elektronfizikai fogalom. Az elektronok energiája általánosságban helyzeti (potenciális) és mozgási (kinetikai) energiából tevődik össze, ami azt jelenti, hogy az elektronok meghatározott potenciális energiájú helyen tartózkodnak és ugyanakkor a mozgási energiájuknak megfelelő sebességgel mozognak. Nagyobb helyzeti energiának megfelelő (?magasabb") helyre csak sebességük; tehát mozgási energiájuk csökkenése árán juthatnak, mivel összenergiájuk külső energiaközlés hiányában változatlan. Az elektronok mozgási energiájánál nagyobb potenciális energiájú helyekre az elektronok általában nem kerülhetnek. A rendelkezésre álló mozgási energiánál ?magasabb" potenciálú hely. A félvezető kristályok valenciakötéseiben helyet foglaló elektronoknak az atom környezetéből való elmozdulását a - tiltott sávnak megfelelő ?magasságú" potenciálgát akadályozza, míg a fémkristályban szabadon mozgó elektronok mozgását a kilépési munkának megfelelő magasságú potenciálgát korlátozza a kristály térfogatára. Egy-egy ilyen potenciálgát ?megmászásához", tehát a magasabb potenciális energiájú helyre való átjutáshoz elegendő energiával csak kevés számú elektronnak van lehetősége, ti. azoknak, amelyek elegendően nagy mozgási energiával rendelkeznek. A mozgási energia külső energiaközléssel pl. melegítéssel növelhető, s így pl. növekvő hőmérséklettel egyre több elektron szakad ki a valenciakötésekből, ill. hagyhatja el a fémkristály belsejét. Ha a szélessége véges, azaz adott távolságra a potenciális energia visszacsökken az elektron tartózkodási helyén mérhető értékre, a potenciálgáton azon elektronok egy része is átjuthat, amelyek nem rendelkeznek elegendő energiával a potenciálgát ?megmászásához". Ez az alagútjelenség. Az átjutás valószínűsége a potenciálgát magasságának és szélességének csökkenésével nő.

• valenciakötés
• kilépési munka

Félvezetőkben végbemenő folyamat, amikor a töltéshordozók egyesülve kölcsönösen semlegesítik egymást. Lényegében arról van szó, hogy egy, a vezetési sávban szabadon mozgó elektron visszaesik a valenciasávba, megszüntetve ott egy elektronhiányt, azaz egy lyukat. Ez megtörténhet egy lépésben (közvetlen rekombináció), vagy a tiltott energiasáv közepe közelében elhelyezkedő energiaszint segítségével (közvetett rekombináció). Ilyen energiaszintet hozhat létre pl. szilíciumban az aranyszennyezés.

• félvezető
• töltéshordozó

Eszköz töltéssel rendelkező elemi részecskék kimutatására és számlálására. A nagy sebességgel repülő részecske ionizálja környezetét. Az így keletkező újabb töltéseket felgyorsítják, majd ütközés révén ezek újabb töltéseket keltenek, így végül az ezen térrészhez csatlakozó elektródákon észrevehető dram fog átfolyni. Az ütközéses sokszorozódás létrejöhet gáztöltésű elektroncső belsejében, - ez a Geiger-Müller-számlálócső, - másrészt - félvezető anyagban. Utóbbi célra alkalmas a pin-dióda, melynek középső i-rétegében nagy térerősség van (záróirányú előfeszítés), s a detektálandó részecske által keltett töltéshordozók számát a lavinajelenség nagy mértékben megnöveli.

• gáztöltésű elektroncső
• pin-dióda
• töltéshordozó

Félvezetődióda-típus (félvezető, dióda). Lényegében egy pn-átmenetből, azaz egy p- és egy n-rétegből, továbbá hozzávezetésekből áll. A rétegdióda készülhet - ötvözéssel, planár-eljárással ( planár tranzisztor) stb. A nagyáramú diódák a szükséges nagy felület miatt kizárólag -k.

• félvezető
• dióda
• pn-átmenet
• planár tranzisztor

(forró elektron dióda). Félvezető és fém között létesített egyenirányító átmenet. Az N-típusú félvezető és a fém érintkezésénél potenciálgát létesül. Ennek magassága külső feszültség hatására a fém felől nézve nem változik (nagysága egyenlő a fém, ill. a félvezető kilépési munkáinak különbségével), míg a félvezető felől nézve erősen változik. Így változik a félvezetőből a potenciálgát legyőzése után a fémbe jutó forró elektronok száma. Ha a félvezető felőli potenciálgátat a külső feszültség csökkenti, az átfolyó áram nő, ez a Schottky-dióda nyitóiránya. Ha ezt a potenciálgátat a külső feszültség növeli, akkor elektronok csak a fémből tudnak belépni a félvezetőbe, mivel ott a potenciálgát magassága állandó, így ez az áram feszültségfüggetlen és kis értékű lesz. Ez a záróirány. Mivel a Schottky-diódaban a kisebbségi töltéshordozók nem játszanak szerepet, és így a töltéstárolás is hiányzik, ezért a Schottky-dióda igen gyors kapcsolóeszköz. A kapcsolási sebességet csak kapacitások korlátozzák.

• félvezető
• kilépési munka
• töltéstárolás

Félvezetőkben a töltés semlegességének feltétele: a félvezető térfogategységében az összes pozitív és összes negatív töltések megegyeznek egymással. A töltéshordozók közül a lyukak pozitív, az elektronok negatív töltésűek. Az adalékanyagok gyakorlatilag ionizáltak a félvezetőben, a donor ionok pozitív töltésűek, az akceptor ionok negatív töltésűek.

• töltéshordozó

Áramkör vagy készülék, valamely elektromos jellemző állandó értéken tartására. Leggyakoribb fajtája a fészültségstabilizátor, amely egyen- vagy váltakozó feszültség stabilizálását végzi. A váltakozóáramú feszültség stabilizátor mágneses anyagok telítési tulajdonságát felhasználva ( mágnesezési görbe) biztosítja az állandó kimenő váltakozó feszültséget. Az egyenáramú feszültségstabilizátor- bemenetére stabilizálatlan egyenfeszültséget kapcsolva, a kimenetén stabilizált egyenfeszültség jelenik meg. A bemenet és a kimenet között egy áteresztő -- tranzisztor vagy elektroncső található, melyet a stabilizátor elektronikája vezérel, oly módon, hogy ezen tranzisztoron eső feszültség változtatásával a kimenő egyenfeszültség állandó maradjon akkor is, ha a bemeneten változik a feszültség. Az áteresztő tranzisztoros megoldás hátránya, hogy a tranzisztoron jelentős - disszipációs teljesítmény keletkezik, aminek elvezetése egyrészt esetleg problémát okoz, másrészt rontja a hatásfokot. Az impulzusüzemű feszültségstabilizátor minimális disszipációs teljesítmény mellett jó hatásfokkal működik, s adott bemenő feszültség mellett a kimeneten különböző feszültségek állíthatók be. Hátránya a bonyolultabb felépítés és a nagy mennyiségű zavaró jel kisugárzása.
Az áramstabilizátor gyakorlatilag egyenáramot stabilizáló áramkör; tipikus alkalmazása a félvezető alapú integrált áramkörök bizonyos típusaiban található áramgenerátor áramának stabilizálása.

• mágnesezési görbe
• integrált áramkör
• elektroncső

Szilárd anyagban, kristályban kis mennyiségben jelenlevő idegen anyag. A vagy a szilárd anyag előállítása során marad jelen, vagy a tiszta anyaghoz adalékolják. Megfelelően megválasztott szennyezés az anyag tulajdonságait kedvezően befolyásolja. Hatása különösen erős a félvezető kristályoknál, amelyek vezetési tulajdonságait igen kis mértékű (10^-7...10^-5%) szennyezés is alapvetően meghatározza.

• félvezető kristály

A meghatározó alkotóanyagokon kívül kis mértékben egyéb anyagok atomjait is tartalmazó kristály. A szennyezések intersztíciós vagy szubsztitúciós beépülés útján helyezkednek el. Szennyezőatomok vagy a kristály előállításakor maradnak a szerkezetben, vagy későbbi műveletek során épülnek be. Ez utóbbi folyamat az adalékolás. A szennyezőatomok különösen a szigetelő jellegű valenciakristályok tulajdonságait módosítják. Igen kis mértékű szennyező jelenléte félvezető tulajdonságokat eredményez. A szubsztitúciósan beépült szennyezőatomok elsősorban a kristály vezetőképességét, az intersztíciósan beépült anyagok pedig elsősorban a szabad töltéshordozók élettartamfal befolyásolják.

• intersztíció
• szubsztitúció
• félvezető

(Si.) A periódusos rendszer negyedik oszlopában helyet foglaló elem. Bár a földkéregnek mintegy 1/4-e szilícium, a természetben csak vegyületeiben fordul elő. Gyémántrácsban kristályosodik. A kis mértékben szennyezett szilícium kristály félvezető tulajdonságokat mutat, és félvezető eszközök készítésére használják. Rendszáma 14, atomsúlya 28, olvadáspontja 1410 °C, atomsűrűsége 4,96 ? 10²⁸ atom/m³, relatív dielektromos állandója 12.

• félvezető eszköz
• félvezető
• dielektromos állandó

Az USA-ból származó, igen kis méretű elektroncső-sorozat (átmérő kb. 6 mm, hossza 30...40 mm), a hajlékony dumet áramhozzávezetők közvetlen beforrasztása is alig igényel helyet. A félvezető diódák és tranzisztorok általános elterjedése előtt a szubminiatür csöveket kis helyfoglalásuk miatt pl. nagyothalló készülékekben alkalmazták.

Különböző félvezető eszközök, integrált áramkörök gyártásánál olyan kiinduló alaplemez, melyre a későbbiekben valamilyen technológiai lépés eredményeként újabb anyagmennyiség kerül. A lapka lehet pl. - félvezető, s erre epitaxiális kristálynövesztéssel újabb réteget növesztenek; vagy szigetelő, amire vákuumpárologtatással, vagy szitanyomással viszik fel az új réteget.

• félvezető eszköz
• integrált áramkör
• epitaxiális kristálynövesztés

(memória, tár). Kódolt, digitális alakban adott információt korlátlan ideig, változatlan minőségben megőrző berendezés. A tárolóval szemben támasztott követelmények: a) hozzáférési ideje legyen mikél kisebb; b) az információt bármikor felhasználható módon tetszőlegesen hosszú ideig tárolja; c) tárolókapacitása legyen minél nagyobb. Az adatokhoz való hozzáférés módja szerint véletlen elérésű és soros (kiváró) elérésű tároló különböztethetők meg. A véletlen elérésű tárolónál a keresett rekesz címe alapján közvetlenül történik az adatok kiolvasása vagy beírása, a tároló hozzáférési idő a rekesz fizikai elhelyezkedésétől függetlenül állandó. A soros (kiváró) elérésű tárakban (pl. mágnesszalag) a hozzáférési idő az információ fizikai helyétől függően változik, ezért gyakran átlagos hozzáférési idővel jellemezhetők. A tárolók egy gyakran használt csoportját alkotják az állandó vagy fix tárak, amelyekbe az elraktározandó információt a gyártás során írják be, ezt később már nem lehet megváltoztatni. Ebbe a csoportba tartoznak pl. a digitális berendezések vezérlésére használt anikroprogramtárak. A tárolót leggyakrabban mágneses fizikai jelenségek felhasználásával valósítják meg (mágneskártya, mágneslemez, mágnesszalag, mágnesdob stb.) de egyre jobban terjednek a félvezető elemes (elektronikus) és az optikai módszereket alkalmazó (holografikus) tártípusok is.

• hozzáférési ideje
• mágnesszalag
• mágneskártya
• mágneslemez
• mágnesszalag
• mágnesdob

A hosszegységre eső potenciálváltozás. Vektormennyiség, iránya az azonos értékű potenciálhoz tartozó, általában görbe felületekre merőleges és értéke annál nagyobb, minél gyorsabban változik ezen irányban a potenciál.

A térerősség hatására a szabad töltéshordozók mozgásnak indulnak; a pozitív töltéssel rendelkező részecskék a térerősséggel egyező, a negatív töltésűek a térerősséggel ellentétes irányban mozdulnak el. Szabad töltéshordozókat tartalmazó közegben a térerősség hatására így elektromos áram (vezetési áram) jön létre.

Igen nagy térerősségnél a szilárd anyagokat alkotó atomokból elektronok szakíthatók le, így elektromos gerjesztéssel növelhető a szabad töltéshordozók száma. A megnövekedett hordozósűrűség a nagy térerősség hatására nagyértékű elektromos áramot eredményez. A másodlagos hőhatás a szilárd anyagban maradó változásokat hozhat létre. Szigetelőanyagoknál a jelenséget átütésnek, félvezetőknél inkább letörésnek nevezik.

A hordozógerjesztés fizikailag téremisszióval vagy szekunderhordozó-gerjesztéses sokszorozással (multiplikációval) magyarázható.

Egy villamos, mágneses, vagy elektromágneses tér erősségének mértéke. Mértékegysége volt/méter, villamos térnél, mágneses térnél a gauss. Elektromágneses tér esetében szintén a volt/métert használják, ez a térerősségmérő által mutatott érték, néha alkalmazzák a watt/négyzetméter mértékegységet is. Az adóantenna sugárzását is ezekkel mérik, csak kisebb egységek használatosak, mint millivolt/méter, vagy mikrovolt/méter. A térerősség egyenes arányban van a hullámhosszal és fordítottan arányos a távolsággal. Teljesítmény mérésnél a távolság négyzetével csökken a mérhető teljesítmény.

• vezetési áram, téremisszió

Elektronikus egység vagy elem kimenetén levő elektromos jel viszszajutása a bemenetre, termikus úton. Főként olyan elemeknél jelentős, melyek elektromos jellemzői erősen függnek a hőmérséklettől. Ilyenek a félvezető alapanyagból készült eszközök ( dióda, tranzisztor, integrált áramkör stb.). A termikus visszacsatolás úgy is értelmezhető, hogy az elektromos változás termikus változást okoz, s ez újabb elektromos változáshoz vezet. Ilyen folyamat megy végbe pl. a hőmegfutás esetén.

• félvezető
• dióda
• tranzisztor
• integrált áramkör

Szabályozott hőmérsékletű teret előállító berendezés. Tágabb értelemben, belső tere a környezetnél alacsonyabb is lehet, de általában magasabb, azaz a termosztát többnyire csak fűt. A híradástechnikai termosztátok kristályok, hőmérsékletfüggő félvezető elemek, esetleg egész áramkörök konstans hőmérsékleten való tartására alkalmasak. Részei: szabályozott hőmérsékletű belső tér, fűtőtest, hőmérsékletérzékelő, hőmérsékletszabályozó áramkör, külső hőszigetelés. A termosztát jósága a szabályozási tartományba eső külső környezeti hőmérsékletváltozás és az általa a belső térben létrehozott hőmérsékletváltozás hányadosa. A termosztát szabályozására felhasználnak: hőkapcsolót, valamint hőmérsékletfüggő ellenállást (negatív- és pozitív hőmérsékleti tényezőjű ellenállást), változó ellenállást. A hőmérséklet szabályozására felhasználhatók az egyes anyagok (pl. naftalin) olvadékainak fázisállapotai.

• hőkapcsoló

Az áramot vezető térben (vákuumban, félvezető anyagban) jelentkező elektromos töltés. Vákuumban a tértöltést alkotó töltéshordozők vezetik az áramot. Félvezető anyagban a tértöltés közel zérus, azaz állandó térerősség mellett is folyhat áram. A tértöltés jelenléte hatással van az áramvezető tulajdonságokra.

• vákuum
• félvezető anyag

valenciakristályok vezetési és vegyértéki sávját ( valenciasáv) elválasztó energiasáv. Ha a tiltott energiasáv eltűnik, a kristály jó vezetőtulajdonságokat mutat. A véges szélességű tiltott energiasávval rendelkező anyagok félvezetők. Keskenyebb tiltott energiasáv esetén az anyag viszonylag kisebb, szélesebb - esetén viszonylag nagyobb hőmérsékleten működő félvezető eszközök készítéséhez használható. Néhány fontosabb félvezető anyag tiltott energiasávának értéke 0 K hőmérsékleten:

Si - 1,21 eV

Ge - 0,75 eV

Se - 1,8 eV

In-Sb - 0,27 eV

Ga-Ao - 1,53 eV

Cd-S - 2,4 eV.

A tiltott energiasáv értéke hőmérsékletfüggő, kis, negatív hőmérsékleti együtthatóval rendelkezik.

• valenciakristály
• valenciasáv
• hőmérsékleti együttható

Diódák, tranzisztorok, integrált áramkörök, tirisztorok, egyéb félvezető eszközök külső házának hőmérséklete. A disszipációs teljesítmény miatt mindig magasabb a környezeti hőmérsékletnél, de alacsonyabb a kristályhőmérsékletnél.

• dióda
• tranzisztor
• integrált áramkör
• tirisztor
• kristályhőmérséklet

Elektronikus segédeszközök főképp félvezető diódák, tranzisztorok, tirisztorok, tokba zárása, ami a gyártás során a végső mérést megelőző utolsó művelet. Célja a benne levő alkatrész(ek) védelme atmoszférikus és mechanikus behatások ellen. A tok anyaga, üveg, fém, műanyag vagy kerámia. A lezárás történhet műanyagkiöntéssel vagy hegesztéssel; más eljárások szerint a műanyag tokot a tokba zárt alkatrészt körülvevő módon fröccsöntéssel vagy "fluidizálással" állítják elő. Szokásos kiviteli formák pl. flat pack, dual in line. tokozást gyakran alkalmaznak tekercsek, kapcsolók, jelfogók stb. védelmére, ez esetekben a tokozásoknál általában nem szükséges a megkövetelt hermetikus zárás; a tokba zárt alkatrész javítása, tisztítása, karbantartása érdekében bontható tokozást alkalmaznak.

• diódák
• tranzisztorok
• tirisztorok

Félvezetőkben az egyensúlyi értéket meghaladó töltéshordozósűrűség. többlet hordozósűrűsége lehet akár a többségi, akár a kisebbségi töltéshordozóknak. A többlet hordozósűrűségek a jó közelítéssel azonosak, mert a félvezetőben a kvázi semlegesség fennáll, azaz az összes negatív és pozitív töltésmennyiség térfogategységenként egyenlő vagy majdnem egyenlő. Ha van némi különbség, ez térerő kialakulására vezet. A többlet hordozósűrűséget valamilyen külső ok hozza létre, mely az egyensúlyt megbontja. Ilyen lehet pl. a megvilágítás vagy a töltéshordozók injekciója. A többlet hordozósűrűség ezen külső ok megszűnése után az idő függvényében exponenciálisan csökken; ennek időállandója a kisebbségi töltéshordozók élettartama.

• félvezető

Olyan anyagi részecske, amely elektromos töltéssel rendelkezik és elektromos erőtérben többé kevésbé szabadon elmozdul. Fémkristályban csak elektronok, gáztérben és elektrolitokban ezen kívül ionok, félvezető kristályban lyukak is szerepelhetnek töltéshordozóként. Szilárd anyagban a hőmérsékleti egyensúlyi értékhez képest eltérő mennyiségű töltéshordozó a felesleg töltéshordozó. A felesleg töltéshordozók menynyisége lehet pozitív vagy negatív. Ha szenynyezett félvezetőben (extrinsic kristály) a kétfajta előjelű - sűrűsége nem egyenlő, akkor beszélünk többségi és kisebbségi töltéshordozóról. Donor atomokkal szennyezett kristályban az elektronok a többségi, a lyukak a kisebbségi töltéshordozók, míg akceptor atomokkal szennyezett kristályban az elektronok a kisebbségi, a lyukak pedig a többségi töltéshordozók.

• extrinsic kristály
• félvezető kristály

Erősítésre használható félvezető eszköz. Működését az ideális tranzisztor határozza meg, amit a valóságban másodlagos tényezők befolyásolnak. Ilyenek az egyes félvezető rétegek soros ellenállásai, továbbá a különböző parazita elemek.

• félvezető eszköz
• ideális tranzisztor
• parazita elem

Félvezető felületére szorított fémtű (wolfram, arany), amely diódaként működik, azaz egyenirányításra használható. Működési elve még nem teljesen tisztázott, hasonló a Schottky-diódáéhoz. A tűsdióda csak kis teljesítményszinteken alkalmazható, leggyakoribb felhasználási területe a demodulácló.

• félvezető
• Schottky-dióda

Elektronikus eszközök (félvezető eszközök, vékonyreteg- és vastagréteg-áramkörök) kivezető huzaljait ultrahangos hegesztéssel hegesztik kontaktusnyomás és ultrahang együttes alkalmazásával. A nagy energiájú ultrahang (rázással) eltávolítja a felületi oxidhártyát, sőt helyileg megbontja a kristályrácsot. Alumínium felület és aluminium huzal összehegesztésére szinte kizárólag ultrahangos hegesztést használnak, ezen kívül olyan helyeken, ahol a termokompressziós hegesztés nagyobb hőmérséklete nem engedhető meg. Gyakran hibridáramkörök aktív elemeinek beültetésére is alkalmazzák. A ultrahangos hegesztés kisebb hőhatással kombinálható úgy, hogy vagy a tű, vagy a tárgytartó fűthető.

• félvezető eszköz
• vékonyreteg
• vastagréteg-áramkör

Vezető, félvezető vagy elektroncső belsejében meleggé átalakult teljesítmény

(kondukciós sáv). Az az energiasáv, melybe a kristályt alkotó atomok szabad elektronjai energiájának értéke esik. A különböző energiaállapotokból felhasadással létrejött vezetési sávok általában átlapolódnak, részben fedésbe kerülnek, míg a félvezető kristályban a legkisebb energiához tartozó vezetési sávot a valenciakötésben levő elektronok által alapállapotban elfoglalt valenciasávtól tiltott energiasáv választja el.

• energiaállapot
• félvezető
• valenciasáv